公开(公告)号：WO2016012754A3

公开(公告)日：2016-05-06

申请号：PCT/GB2015052036

申请日：2015-07-15

申请人： ALPHA METALS ,  SETNA ROHAN P

发明人： CHOUDHURY PRITHA ,  DE AVILA RIBAS MORGANA ,  MUKHERJEE SUTAPA ,  SARKAR SIULI ,  PANDHER RANJIT ,  BHATKAL RAVINDRA ,  SINGH BAWA

IPC分类号： C22C13/00 ,  B23K1/00 ,  B23K1/002 ,  B23K1/005 ,  B23K1/08 ,  B23K35/00 ,  B23K35/02 ,  B23K35/26 ,  C22C13/02

CPC分类号： B23K35/262 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/002 ,  B23K1/0056 ,  B23K1/085 ,  B23K35/00 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/0233 ,  B23K35/0238 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/26 ,  B23K2201/40 ,  B23K2201/42 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29105 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29117 ,  H01L2224/29123 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29149 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29157 ,  H01L2224/2916 ,  H01L2224/29163 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/29171 ,  H01L2224/29172 ,  H01L2224/2918 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01058

摘要： A lead-free, antimony-free solder alloy comprising: (a) from 1 to 4 wt.% silver (b) from 0.5 to 6 wt.% bismuth (c) from 3.55 to 15 wt.% indium (d) 3 wt.% or less of copper (e) optionally one or more of the following elements 0 to 1 wt.% nickel 0 to 1 wt.% of titanium 0 to 1 wt.% manganese 0 to 1 wt.% of rare earths, such as cerium 0 to 1 wt.% of chromium 0 to 1 wt.% germanium 0 to 1 wt.% of gallium 0 to 1 wt.% of cobalt 0 to 1 wt.% of iron 0 to 1 wt.% of aluminum 0 to 1 wt.% of phosphorus 0 to 1 wt.% of gold 0 to 1 wt.% of tellurium 0 to 1 wt.% of selenium 0 to 1 wt.% of calcium 0 to 1 wt.% of vanadium 0 to 1 wt.% of molybdenum 0 to 1 wt.% of platinum 0 to 1 wt.% of magnesium (f) the balance tin, together with any unavoidable impurities.

摘要翻译： 一种无铅，无锑焊料合金，其包含：（a）1至4重量％的银（b）0.5至6重量％的铋（c）3.55至15重量％的铟（d）3重量％ 。％或更少的铜（e）任选一种或多种以下元素0至1重量％的镍0至1重量％的钛0至1重量％的锰0至1重量％的稀土，例如 作为铈0至1重量％的铬0至1重量％的锗0至1重量％的镓0至1重量％的钴0至1重量％的铁0至1重量％的铝0 至1重量％的磷0至1重量％的金0至1重量％的碲0至1重量％的硒0至1重量％的钙0至1重量％的钒0至1 钼的重量百分比为0至1重量％的铂0至1重量％的镁（f）余量为锡，以及任何不可避免的杂质。

公开(公告)号：WO2015169571A1

公开(公告)日：2015-11-12

申请号：PCT/EP2015/058476

申请日：2015-04-20

申请人： HERAEUS DEUTSCHLAND GMBH & CO. KG

发明人： NACHREINER, Jens

IPC分类号： B22F1/00 ,  B22F7/08 ,  H01B1/22 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L24/83 ,  B22F1/0055 ,  B22F1/0062 ,  B22F7/08 ,  B22F2001/0066 ,  H01B1/023 ,  H01B1/026 ,  H01B1/22 ,  H01L24/29 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/29163 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00

摘要： Metallpaste enthaltend (A) 75 bis 90 Gew.-% wenigstens eines Metalls, das in Form von Partikeln vorliegt, die ein Coating aufweisen, das wenigstens eine organische Verbindung enthält, (B) 0 bis 12 Gew.-% wenigstens eines Metallprecursors, (C) 6 bis 20 Gew.-% eines Gemischs mindestens zweier organischer Lösemittel und (D) 0 bis 10 Gew.-% wenigstens eines Sinterhilfsmittels, dadurch gekennzeichnet, dass das Lösemittelgemisch (C) zu 30 bis 60 Gew.-% aus mindestens einem mit Ausnahme einer Methylsubsitution am vorletzten C-Atom unsubstituierten 1-Hydroxyalkan mit 16-20 C-Atomen besteht.

摘要翻译： 金属膏包含（A）75〜90重量％的至少一种金属存在于具有从0包含至少一种有机化合物的涂层，（B）的颗粒的形式的％至12重量％的至少一种金属前体的％，（ C）6〜20重量％的至少两种有机溶剂的（D）0至10重量％的至少一种烧结助剂的％的混合物制成％，其特征在于，所述溶剂混合物（C）30至60重量％的至少一种的％ 用Methylsubsitution的与16-20个碳原子取代的1-羟基烷烃的倒数第二个碳原子上的异常。

公开(公告)号：WO2016012754A2

公开(公告)日：2016-01-28

申请号：PCT/GB2015/052036

申请日：2015-07-15

申请人： ALPHA METALS, INC. ,  SETNA, Rohan P

发明人： CHOUDHURY, Pritha ,  DE AVILA RIBAS, Morgana ,  MUKHERJEE, Sutapa ,  SARKAR, Siuli ,  PANDHER, Ranjit ,  BHATKAL, Ravindra ,  SINGH, Bawa

IPC分类号： C22C13/00

CPC分类号： B23K35/262 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/002 ,  B23K1/0056 ,  B23K1/085 ,  B23K35/00 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/0233 ,  B23K35/0238 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/26 ,  B23K2201/40 ,  B23K2201/42 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29105 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29117 ,  H01L2224/29123 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29149 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29157 ,  H01L2224/2916 ,  H01L2224/29163 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/29171 ,  H01L2224/29172 ,  H01L2224/2918 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01058

摘要： A lead-free, antimony-free solder alloy comprising: (a) from 1 to 4 wt.% silver (b) from 0.5 to 6 wt.% bismuth (c) from 3.55 to 15 wt.% indium (d) 3 wt.% or less of copper (e) optionally one or more of the following elements 0 to 1 wt.% nickel 0 to 1 wt.% of titanium 0 to 1 wt.% manganese 0 to 1 wt.% of rare earths, such as cerium 0 to 1 wt.% of chromium 0 to 1 wt.% germanium 0 to 1 wt.% of gallium 0 to 1 wt.% of cobalt 0 to 1 wt.% of iron 0 to 1 wt.% of aluminum 0 to 1 wt.% of phosphorus 0 to 1 wt.% of gold 0 to 1 wt.% of tellurium 0 to 1 wt.% of selenium 0 to 1 wt.% of calcium 0 to 1 wt.% of vanadium 0 to 1 wt.% of molybdenum 0 to 1 wt.% of platinum 0 to 1 wt.% of magnesium (f) the balance tin, together with any unavoidable impurities.

摘要翻译： 一种无铅，无锑焊料合金，其包含：（a）1至4重量％的银（b）0.5至6重量％的铋（c）3.55至15重量％的铟（d）3重量％ 。％或更少的铜（e）任选一种或多种以下元素0至1重量％的镍0至1重量％的钛0至1重量％的锰0至1重量％的稀土，例如 作为铈0至1重量％的铬0至1重量％的锗0至1重量％的镓0至1重量％的钴0至1重量％的铁0至1重量％的铝0 至1重量％的磷0至1重量％的金0至1重量％的碲0至1重量％的硒0至1重量％的钙0至1重量％的钒0至1 钼的重量百分比为0至1重量％的铂0至1重量％的镁（f）余量为锡，以及任何不可避免的杂质。

公开(公告)号：WO2006008410A1

公开(公告)日：2006-01-26

申请号：PCT/FR2005/050521

申请日：2005-06-29

申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  MORICEAU, Hubert ,  FEUILLET, Guy ,  POCAS, Stéphane

发明人： MORICEAU, Hubert ,  FEUILLET, Guy ,  POCAS, Stéphane

IPC分类号： H01L21/98 ,  H01L25/065 ,  H01L21/18

CPC分类号： H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29117 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29164 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/10329 ,  Y10T156/10 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： L'invention concerne un procédé d'assemblage par adhésion moléculaire d'un premier substrat et d'un deuxième substrat selon des faces de contact, la face de contact du premier substrat présentant une couche électriquement conductrice sur au moins une partie de sa surface, le procédé comprenant les étapes suivantes : - dépôt d'une couche de liaison sur au moins une partie de la couche électriquement conductrice, ladite couche de liaison étant apte à assurer une adhésion moléculaire avec une zone de la face de contact du deuxième substrat et apte à se combiner avec la couche électriquement conductrice pour former un alliage conducteur, - mise en contact et collage par adhésion moléculaire de la couche de liaison du premier substrat avec la zone de la face de contact du deuxième substrat, - transformation, sur tout ou partie de son épaisseur, de tout ou partie de la couche électriquement conductrice avec tout ou partie de la couche de liaison et avec au moins une partie de l'épaisseur de la zone de la face de contact sur tout ou partie de la surface du deuxième substrat pour former une zone d'alliage(s) conducteur(s).

摘要翻译： 本发明涉及一种通过分子粘合沿接触面组装第一衬底和第二衬底的方法，第一衬底的接触面在其表面的至少一部分上具有导电层。 本发明的方法包括以下步骤：在导电层的至少一部分上沉积连接层，所述连接层能够确保与第二基底的接触面的区域的分子粘附并能够与 导电层以形成导电合金; 将第一基板的连接层与第二基板的接触面的区域接触，并通过分子粘合将其接合; 在其全部或一部分宽度上，全部或部分导电层与全部或部分连接层进行转换，接触面的面积的至少一部分宽度在表面的全部或部分上 以形成导电合金区域。

公开(公告)号：WO2014088966A2

公开(公告)日：2014-06-12

申请号：PCT/US2013/072675

申请日：2013-12-02

申请人： INVENSAS CORPORATION

发明人： UZOH, Cyprian, Emeka

IPC分类号： H01L23/485

CPC分类号： H05K13/046 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/50 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/10 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/98 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05138 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/0518 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13105 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13138 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16501 ,  H01L2224/16505 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/27464 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29105 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/8112 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81825 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8312 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01071 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2224/05552

摘要： A microelectronic assembly includes a first substrate having a surface and a first conductive element and a second substrate having a surface and a second conductive element. The assembly further includes an electrically conductive alloy mass joined to the first and second conductive elements. First and second materials of the alloy mass each have a melting point lower than a melting point of the alloy. A concentration of the first material varies in concentration from a relatively higher amount at a location disposed toward the first conductive element to a relatively lower amount toward the second conductive element, and a concentration of the second material varies in concentration from a relatively higher amount at a location disposed toward the second conductive element to a relatively lower amount toward the first conductive element.

摘要翻译： 微电子组件包括具有表面和第一导电元件的第一基板和具有表面和第二导电元件的第二基板。 组件还包括连接到第一和第二导电元件的导电合金块。 合金质量的第一和第二材料的熔点低于合金的熔点。 第一材料的浓度在朝向第一导电元件设置的位置处的相对较高的量的浓度变化到朝向第二导电元件的相对较低的量，并且第二材料的浓度在浓度上从相对较高的量在 朝向第二导电元件朝向第一导电元件朝向相对较小的量设置的位置。

公开(公告)号：WO2004109792A1

公开(公告)日：2004-12-16

申请号：PCT/DE2004/001090

申请日：2004-05-26

申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  JEREBIC, Simon ,  THEUSS, Horst ,  POHL, Jens

发明人： JEREBIC, Simon ,  THEUSS, Horst ,  POHL, Jens

IPC分类号： H01L21/58

CPC分类号： H01L24/71 ,  H01L23/4827 ,  H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/278 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29157 ,  H01L2224/2916 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/75733 ,  H01L2224/83121 ,  H01L2224/83143 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/839 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95144 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0101 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/01105 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/00012

摘要： Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauteil sowie einen Halbleiterwafer und einen Bauteilträger zur Herstellung des Bauteils. Das elektronische Bauteil weist dazu einen Halbleiterchip (1) mit einer eine integrierte Schaltung aufweisenden Chipoberseite (2) und einer Chiprückseite (3) auf, wobei die Chiprückseite (3) eine magnetische Schicht (7) hat. Außerdem weist ein Chipträger an seiner Trägeroberseite (5) ebenfalls eine magnetische Schicht (8) auf. Mindestens eine der beiden Schichten (7, 8) ist permanentmagnetisch, so dass der Halbleiterchip auf dem Chipträger (5) magnetisch fixiert ist.

摘要翻译： 本发明涉及一种电子元件和半导体晶片和用于制造所述部件的分量载波。 电子部件是用于此目的（1）和具有顶部的集成电路芯片的半导体芯片（2）和一个芯片背面（3），其中，所述芯片背面（3）具有的磁性层（7）。 此外，还具有在其载体顶（5），以磁性层（8）的芯片载体。 至少两个层中的一个（7,8）是具有永久磁性，从而使芯片载体（5）上的半导体芯片被磁性固定。

公开(公告)号：WO2014088966A3

公开(公告)日：2015-01-15

申请号：PCT/US2013072675

申请日：2013-12-02

申请人： INVENSAS CORP

发明人： UZOH CYPRIAN EMEKA

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/10 ,  H01L23/498 ,  H05K3/34

CPC分类号： H05K13/046 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/50 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/10 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/98 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05138 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/0518 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13105 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13138 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16501 ,  H01L2224/16505 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/27464 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29105 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/8112 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81825 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8312 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01071 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2224/05552

摘要： A microelectronic assembly (10, 110, 210, 310, 410) includes a first substrate (12, 112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812, 912) having a first conductive element (26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022) and a second substrate (14, 114, 214, 314, 414) having a second conductive element (26, 126, 226, 326, 426). The assembly further includes an electrically conductive alloy mass (16, 116) joined to the first and second conductive elements (26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022), including a first, a second and a third material. First and second materials of the alloy mass (16, 116) each have a melting point lower than a melting point of the alloy. A concentration of the first material varies in concentration from a relatively higher amount at a location disposed toward the first conductive element (26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022) to a relatively lower amount toward the second conductive element (26, 126, 226, 326, 426), and a concentration of the second material varies in concentration from a relatively higher amount at a location disposed toward the second conductive element (26, 126, 226, 326, 426) to a relatively lower amount toward the first conductive element (26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022). The microelectronic assembly (10, 110, 210, 310, 410) is formed by aligning the first substrate (12, 112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812, 912), having a first bond component (30, 230, 330, 430), with the second substrate (14, 114, 214, 314, 414), having a second bond component (40, 240, 340, 440), such that the first (30, 230, 330, 430, 1030) and second (40, 240, 340, 440) bond components are in contact with each other, the first bond component (30, 230, 330, 430, 1030) including a first material layer (36, 536, 636, 736, 836, 936) adjacent the first conductive element (26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022) and a first protective layer (38, 538, 638, 738, 838, 938) overlying the first material layer (36, 536, 636, 736, 836, 936), the second bond component (40, 240, 340, 440) including a second material layer (46) adjacent the second conductive element (26) and a second protective layer (48) overlying the second material layer (46), and heating the first (30, 230, 330, 430, 1030) and second (40, 240, 340, 440) bond components such that at least portions of the first (36, 536, 636, 736, 836, 936) and second (46) material layers diffuse together to form the alloy mass (16, 116) joining the first (12, 112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812, 912) and second (14, 114, 214, 314, 414) substrates with one another. There may be formed a plurality of first conductive elements (26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022) on the first substrate (12, 112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812, 912) and a plurality of second conductive elements (26, 126, 226, 326, 426) on the second substrate (14, 114, 214, 314, 414), joined by a plurality of conductive alloy masses (16, 116). The conductive alloy mass (116) may also surround and hermetically seal an internal volume.

摘要翻译： 微电子组件（10,110,210,310,410）包括具有第一导电元件（26,126,226）的第一衬底（12,112,212,312,412,512,612,712,812,912） 具有第二导电元件（26,126,226,326,426）的第二基板（14,114,214,314,414），以及具有第二导电元件（26,126,226,326,426）的第二基板（14,114,214,314,414）。 组件还包括接合到第一和第二导电元件（26,126,226,326,426,526,626,726,826,926,1022）的导电合金块（16,116），包括第一， 第二和第三材料。 合金质量（16,116）的第一和第二材料的熔点低于合金的熔点。 第一材料的浓度在朝向第一导电元件（26,126,226,326,426,526,626,726,826,926,1022）设置的位置处的相对较高的量的浓度变化到相对较低的量 朝向第二导电元件（26,126,226,326,426）的量，并且第二材料的浓度在朝向第二导电元件（26,126,226,326,426）设置的位置处的相对较高的量的浓度变化 ，426）朝向第一导电元件（26,126,226,326,426,526,626,726,826,926,1012）相对较低的量。 微电子组件（10,110,210,310,410）通过使具有第一粘合组分（30,110,210,310,410）的第一粘合组分（30,110,210,310,410） 具有第二接合部件（40,42,340,440）的第二基板（14,114,214,314,414），使得所述第一基板（30,230,340,440） 所述第一接合部件（30,230,330,430,1030）包括第一材料层（36,536,630）和第二接合部件（40,42,340,440），所述第一接合部件 邻近第一导电元件（26,126,226,326,426,526,626,726,826,926,1022）的第一保护层（38,538,638,738,838），第三保护层 ，覆盖在第一材料层（36,536,636,736,836,936）上的第二结合部件（40,240,340,440）包括邻近第二导电元件（26）的第二材料层（46） ）和覆盖在第二材料层（46）上的第二保护层（48），并且加热第一（30,230,33 0,430,1030）和第二（40,42,340,440）粘合部件，使得第一（36,536,636,736,836,936）和第二（46）材料层的至少一部分一起扩散到 形成将第一（12,112,212,312,412,912）和第二（14,114,214,314,414）基板彼此接合的合金块（16,116） 。 可以在第一衬底（12,112,212,312,412,512,512）上形成多个第一导电元件（26,126,226,326,426,526,626,726,826,926,1022） 612,1112,812,912）以及由第二基片（14,114,214,314,414）上的多个第二导电元件（26,126,226,326,426）组成的多个导电合金块 （16,116）。 导电合金质量块（116）也可以围绕并气密地密封内部体积。

公开(公告)号：WO2012025024A1

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：PCT/CN2011/078491

申请日：2011-08-16

申请人： BYD COMPANY LIMITED ,  LIU, Yingce ,  HUO, Dongming ,  SUN, Tianbao

发明人： LIU, Yingce ,  HUO, Dongming ,  SUN, Tianbao

IPC分类号： H01L21/58 ,  H01L33/48

CPC分类号： H01L33/40 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/641 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05138 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/27472 ,  H01L2224/27622 ,  H01L2224/27831 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83345 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/29018 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01048 ,  H01L2924/01034

摘要： A semiconductor chip assembly and a method for forming the same are provided. The semiconductor chip assembly comprises: a semiconductor chip (20), a substrate (10), a first layer (203) formed on a surface of the substrate (10), in which one of the first layer (203) and the second layer (204) has an opening (205) therein; and a second layer (204) formed on a surface of the semiconductor chip (20) and connected to the first layer (203) by eutectic bonding.

摘要翻译： 提供半导体芯片组件及其形成方法。 半导体芯片组件包括：半导体芯片（20），衬底（10），形成在衬底（10）的表面上的第一层（203），其中第一层（203）和第二层 （204）中具有开口（205）; 以及形成在半导体芯片（20）的表面上并通过共晶接合连接到第一层（203）的第二层（204）。

公开(公告)号：WO2017100256A1

公开(公告)日：2017-06-15

申请号：PCT/US2016/065281

申请日：2016-12-07

申请人： SKYWORKS SOLUTIONS, INC.

发明人： BARBER, Bradley, Paul

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L21/324 ,  H01L23/28 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L21/324 ,  B23K20/02 ,  C23C10/28 ,  H01B1/22 ,  H01L21/50 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/10 ,  H01L23/66 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29014 ,  H01L2224/29017 ,  H01L2224/29019 ,  H01L2224/29022 ,  H01L2224/29078 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29084 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29117 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29316 ,  H01L2224/29317 ,  H01L2224/29338 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29409 ,  H01L2224/29411 ,  H01L2224/29424 ,  H01L2224/29444 ,  H01L2224/29455 ,  H01L2224/29466 ,  H01L2224/29469 ,  H01L2224/29487 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/30179 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/3651 ,  H05K3/328 ,  H05K3/3457 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0543 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/00012

摘要： A bonding element includes a first transient liquid phase (TLP) bonding element including a first material and a second material, the first material having a higher melting point than the second material, a ratio of a quantity of the first material and the second material in the first TLP bonding element having a first value and a second TLP bonding element including the first material and the second material, a ratio of a quantity of the first material and the second material in the second TLP bonding element having a second value different from the first value.

摘要翻译： 结合元件包括包含第一材料和第二材料的第一瞬态液相（TLP）结合元件，第一材料具有比第二材料更高的熔点，一定量的 第一TLP结合元件中的第一材料和第二材料具有第一值，并且第二TLP结合元件包括第一材料和第二材料，第二TLP结合中第一材料和第二材料的量的比例 元素具有不同于第一值的第二值。

公开(公告)号：WO2010090798A2

公开(公告)日：2010-08-12

申请号：PCT/US2010020847

申请日：2010-01-13

申请人： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC ,  MONTEZ RUBEN B ,  PAMATAT ALEX P

发明人： MONTEZ RUBEN B ,  PAMATAT ALEX P

IPC分类号： B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC分类号： H01L23/10 ,  B81B2207/097 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/019 ,  H01L21/50 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/02 ,  H01L2224/022 ,  H01L2224/036 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05638 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/276 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29016 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29117 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29157 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/29181 ,  H01L2224/29184 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32502 ,  H01L2224/32506 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83411 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83457 ,  H01L2224/83466 ,  H01L2224/83469 ,  H01L2224/83481 ,  H01L2224/83484 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/164 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83

摘要： A method that in one embodiment is useful in bonding a first substrate (103) to a second substrate (303) includes forming a layer including metal over the first substrate. The layer including metal in one embodiment surrounds a semiconductor device, which can be a micro electromechanical system (MEMS) device. On the second substrate (303) is formed a first layer comprising silicon (401). A second layer (403) comprising germanium and silicon is formed on the first layer. A third layer (405) comprising germanium is formed on the second layer. The third layer is brought into contact with the layer including metal. Heat (and pressure in some embodiments) is applied to the third layer and the layer including metal to form a mechanical bond material between the first substrate and the second substrate in which the mechanical bond material is electrically conductive. In the case of the mechanical bond surrounding a semiconductor device such as a MEMS, the mechanical bond can be particularly advantageous as a hermetic seal for protecting the MEMS.

摘要翻译： 在一个实施例中，将第一衬底（103）接合到第二衬底（303）上有用的方法包括在第一衬底上形成包括金属的层。 在一个实施例中包括金属的层围绕半导体器件，其可以是微机电系统（MEMS）器件。 在第二基板（303）上形成包括硅（401）的第一层。 在第一层上形成包括锗和硅的第二层（403）。 包含锗的第三层（405）形成在第二层上。 第三层与包括金属的层接触。 在第三层和包含金属的层上施加热（和一些实施例中的压力）以在第一基板和第二基板之间形成机械接合材料，其中机械接合材料是导电的。 在诸如MEMS之类的半导体器件周围的机械接合的情况下，作为用于保护MEMS的气密密封件，机械结合可能是特别有利的。