公开(公告)号：WO2015036032A1

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：PCT/EP2013/069003

申请日：2013-09-13

申请人： EV GROUP E. THALLNER GMBH

发明人： WIMPLINGER, Markus

IPC分类号： B81C3/00 ,  H01L23/10

CPC分类号： H01L24/83 ,  B81C3/001 ,  B81C2203/036 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29105 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29117 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29123 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29157 ,  H01L2224/2916 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/29171 ,  H01L2224/29184 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/8302 ,  H01L2224/83022 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2924/01003 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10251 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1026 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10323 ,  H01L2924/10328 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10331 ,  H01L2924/10332 ,  H01L2924/10333 ,  H01L2924/10334 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/10336 ,  H01L2924/10346 ,  H01L2924/1037 ,  H01L2924/10371 ,  H01L2924/10372 ,  H01L2924/10373 ,  H01L2924/10375 ,  H01L2924/10376 ,  H01L2924/10377 ,  H01L2924/10821 ,  H01L2924/10823 ,  H01L2924/10831 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/0103

摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Aufbringen einer aus einer Grundschicht und einer Schutzschicht bestehenden Bondschicht auf ein Substrat mit folgenden Verfahrensschritten: Aufbringen eines oxidierbaren Grundmaterials als Grundschicht auf eine Bondseite des Substrats, zumindest teilweises Bedecken der Grundschicht mit einem in dem Grundmaterial zumindest teilweise lösbaren Schutzmaterial als Schutzschicht. Weiterhin betrifft die Erfindung ein korrespondierendes Substrat.

摘要翻译： 本发明涉及一种方法，用于施加由基本层和包括以下步骤在基底上的保护层粘结层的一个基团：在所述基板的接合侧上沉积可氧化的基体材料作为基体层至少部分地覆盖有至少部分可溶于基体层中的基体材料的保护材料为 保护层。 本发明还涉及一种相应的底物。

公开(公告)号：WO2015163453A1

公开(公告)日：2015-10-29

申请号：PCT/JP2015/062545

申请日：2015-04-24

申请人： 三菱マテリアル株式会社

发明人： 大井　宗太郎 ,  大開　智哉

IPC分类号： H01L23/36 ,  H01L23/12 ,  H01L23/13 ,  H05K1/02

CPC分类号： H01L23/3736 ,  C04B35/645 ,  C04B37/021 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/121 ,  C04B2237/128 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/66 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/86 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3731 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/473 ,  H01L23/562 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L2224/29117 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/02 ,  H05K1/0203 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/0061 ,  H01L2924/00

摘要： 　１枚のセラミックス基板と、このセラミックス基板の一方の面に形成された回路層と、前記セラミックス基板の他方の面に形成された金属層とを備える少なくとも１つのパワーモジュール用基板と；このパワーモジュール用基板の前記金属層が接合されたヒートシンクと；を有し、前記金属層が純度９９．９９質量％以上のアルミニウム板からなり、前記ヒートシンクが純度９９．９０質量％以下のアルミニウム板からなり、前記回路層が、前記セラミックス基板に接合された純度９９．９９質量％以上のアルミニウム板からなる第１層と、該第１層の表面に接合された純度９９．９０質量％未満のアルミニウム板からなる第２層との積層構造を有する。

摘要翻译： 本发明具有：设置有陶瓷基板的至少一个功率模块基板，形成在陶瓷基板的一侧的电路层以及形成在陶瓷基板的另一侧的金属层。 以及功率模块基板的金属层连接到的散热器。 金属层包括纯度为至少99.99质量％的铝板，散热器包括纯度不超过99.90质量％的铝板。 电路层具有双层结构，其中：第一层包括纯度至少为99.99质量％的铝板，铝板与陶瓷基板接合; 并且第二层包括纯度小于99.90质量％的铝板，所述铝板与第一层的表面接合。

公开(公告)号：WO2016012754A3

公开(公告)日：2016-05-06

申请号：PCT/GB2015052036

申请日：2015-07-15

申请人： ALPHA METALS ,  SETNA ROHAN P

发明人： CHOUDHURY PRITHA ,  DE AVILA RIBAS MORGANA ,  MUKHERJEE SUTAPA ,  SARKAR SIULI ,  PANDHER RANJIT ,  BHATKAL RAVINDRA ,  SINGH BAWA

IPC分类号： C22C13/00 ,  B23K1/00 ,  B23K1/002 ,  B23K1/005 ,  B23K1/08 ,  B23K35/00 ,  B23K35/02 ,  B23K35/26 ,  C22C13/02

CPC分类号： B23K35/262 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/002 ,  B23K1/0056 ,  B23K1/085 ,  B23K35/00 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/0233 ,  B23K35/0238 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/26 ,  B23K2201/40 ,  B23K2201/42 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29105 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29117 ,  H01L2224/29123 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29149 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29157 ,  H01L2224/2916 ,  H01L2224/29163 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/29171 ,  H01L2224/29172 ,  H01L2224/2918 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01058

摘要： A lead-free, antimony-free solder alloy comprising: (a) from 1 to 4 wt.% silver (b) from 0.5 to 6 wt.% bismuth (c) from 3.55 to 15 wt.% indium (d) 3 wt.% or less of copper (e) optionally one or more of the following elements 0 to 1 wt.% nickel 0 to 1 wt.% of titanium 0 to 1 wt.% manganese 0 to 1 wt.% of rare earths, such as cerium 0 to 1 wt.% of chromium 0 to 1 wt.% germanium 0 to 1 wt.% of gallium 0 to 1 wt.% of cobalt 0 to 1 wt.% of iron 0 to 1 wt.% of aluminum 0 to 1 wt.% of phosphorus 0 to 1 wt.% of gold 0 to 1 wt.% of tellurium 0 to 1 wt.% of selenium 0 to 1 wt.% of calcium 0 to 1 wt.% of vanadium 0 to 1 wt.% of molybdenum 0 to 1 wt.% of platinum 0 to 1 wt.% of magnesium (f) the balance tin, together with any unavoidable impurities.

摘要翻译： 一种无铅，无锑焊料合金，其包含：（a）1至4重量％的银（b）0.5至6重量％的铋（c）3.55至15重量％的铟（d）3重量％ 。％或更少的铜（e）任选一种或多种以下元素0至1重量％的镍0至1重量％的钛0至1重量％的锰0至1重量％的稀土，例如 作为铈0至1重量％的铬0至1重量％的锗0至1重量％的镓0至1重量％的钴0至1重量％的铁0至1重量％的铝0 至1重量％的磷0至1重量％的金0至1重量％的碲0至1重量％的硒0至1重量％的钙0至1重量％的钒0至1 钼的重量百分比为0至1重量％的铂0至1重量％的镁（f）余量为锡，以及任何不可避免的杂质。

公开(公告)号：WO2011057850A2

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：PCT/EP2010064009

申请日：2010-09-23

申请人： BOSCH GMBH ROBERT ,  TRAUTMANN ACHIM ,  REICHENBACH RALF

发明人： TRAUTMANN ACHIM ,  REICHENBACH RALF

IPC分类号： B81C3/00

CPC分类号： B81C1/00269 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/019 ,  B81C2203/036 ,  H01L23/10 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29076 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29117 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/30051 ,  H01L2224/30131 ,  H01L2224/30135 ,  H01L2224/30177 ,  H01L2224/30505 ,  H01L2224/30515 ,  H01L2224/32054 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83095 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/1631 ,  H01L2924/165 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/00014

摘要： The invention relates to a micromechanical method and a corresponding assembly for bonding semiconductor substrates and a correspondingly bonded semiconductor chip. The assembly according to the invention comprises a semiconductor substrate having a chip pattern having a plurality of semiconductor chips (1), each having a functional region (4) and an edge region (4a) surrounding the functional region (4), wherein there is a bonding frame (2) made of a bonding alloy made from at least two alloy components in the edge region (4a), spaced apart from the functional region (4). Within the part (4a2) of the edge region (4a) surrounding the bonding frame (2) between the bonding frame (2) and the functional region (4), there is at least one stop frame (7; 7a, 7b; 7b'; 70) made of at least one of the alloy components, which is designed such that when a melt of the bond alloy contacts the stop frame (7; 7a, 7b; 7b'; 70) during bonding, the bonding alloy solidifies.

摘要翻译： 本发明涉及一种微机械的方法和用于粘结半导体衬底的对应排列与键合的半导体芯片。 该组件包括具有具有多个半导体芯片的芯片图案的半导体衬底（1）每一个都具有功能区域（4）和一个功能性区域（4）周围的边缘区域（4a）中，其中，在从所述功能区域的距离在边缘区域（4a）的（4） 接合框架（2）包括一个接合合金的是由至少两种合金成分提供。 接合框架（2）与所述功能区域之间的边缘区域（4a）的接合框（2）部分（4A2）内封闭的（4）是至少一种停止帧（7; 7A，7B;图7b“; 70）的合金成分的中的至少一个 提供，其被配置为使得在接合到停止帧期间合金结合的熔体的冲击（7; 7A，7B;图7b“; 70），接合合金的凝固发生。

公开(公告)号：WO2016012754A2

公开(公告)日：2016-01-28

申请号：PCT/GB2015/052036

申请日：2015-07-15

申请人： ALPHA METALS, INC. ,  SETNA, Rohan P

发明人： CHOUDHURY, Pritha ,  DE AVILA RIBAS, Morgana ,  MUKHERJEE, Sutapa ,  SARKAR, Siuli ,  PANDHER, Ranjit ,  BHATKAL, Ravindra ,  SINGH, Bawa

IPC分类号： C22C13/00

CPC分类号： B23K35/262 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/002 ,  B23K1/0056 ,  B23K1/085 ,  B23K35/00 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/0233 ,  B23K35/0238 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/26 ,  B23K2201/40 ,  B23K2201/42 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29105 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29117 ,  H01L2224/29123 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29149 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29157 ,  H01L2224/2916 ,  H01L2224/29163 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/29171 ,  H01L2224/29172 ,  H01L2224/2918 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01058

摘要： A lead-free, antimony-free solder alloy comprising: (a) from 1 to 4 wt.% silver (b) from 0.5 to 6 wt.% bismuth (c) from 3.55 to 15 wt.% indium (d) 3 wt.% or less of copper (e) optionally one or more of the following elements 0 to 1 wt.% nickel 0 to 1 wt.% of titanium 0 to 1 wt.% manganese 0 to 1 wt.% of rare earths, such as cerium 0 to 1 wt.% of chromium 0 to 1 wt.% germanium 0 to 1 wt.% of gallium 0 to 1 wt.% of cobalt 0 to 1 wt.% of iron 0 to 1 wt.% of aluminum 0 to 1 wt.% of phosphorus 0 to 1 wt.% of gold 0 to 1 wt.% of tellurium 0 to 1 wt.% of selenium 0 to 1 wt.% of calcium 0 to 1 wt.% of vanadium 0 to 1 wt.% of molybdenum 0 to 1 wt.% of platinum 0 to 1 wt.% of magnesium (f) the balance tin, together with any unavoidable impurities.

摘要翻译： 一种无铅，无锑焊料合金，其包含：（a）1至4重量％的银（b）0.5至6重量％的铋（c）3.55至15重量％的铟（d）3重量％ 。％或更少的铜（e）任选一种或多种以下元素0至1重量％的镍0至1重量％的钛0至1重量％的锰0至1重量％的稀土，例如 作为铈0至1重量％的铬0至1重量％的锗0至1重量％的镓0至1重量％的钴0至1重量％的铁0至1重量％的铝0 至1重量％的磷0至1重量％的金0至1重量％的碲0至1重量％的硒0至1重量％的钙0至1重量％的钒0至1 钼的重量百分比为0至1重量％的铂0至1重量％的镁（f）余量为锡，以及任何不可避免的杂质。

公开(公告)号：WO2006008410A1

公开(公告)日：2006-01-26

申请号：PCT/FR2005/050521

申请日：2005-06-29

申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  MORICEAU, Hubert ,  FEUILLET, Guy ,  POCAS, Stéphane

发明人： MORICEAU, Hubert ,  FEUILLET, Guy ,  POCAS, Stéphane

IPC分类号： H01L21/98 ,  H01L25/065 ,  H01L21/18

CPC分类号： H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29117 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29164 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/10329 ,  Y10T156/10 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： L'invention concerne un procédé d'assemblage par adhésion moléculaire d'un premier substrat et d'un deuxième substrat selon des faces de contact, la face de contact du premier substrat présentant une couche électriquement conductrice sur au moins une partie de sa surface, le procédé comprenant les étapes suivantes : - dépôt d'une couche de liaison sur au moins une partie de la couche électriquement conductrice, ladite couche de liaison étant apte à assurer une adhésion moléculaire avec une zone de la face de contact du deuxième substrat et apte à se combiner avec la couche électriquement conductrice pour former un alliage conducteur, - mise en contact et collage par adhésion moléculaire de la couche de liaison du premier substrat avec la zone de la face de contact du deuxième substrat, - transformation, sur tout ou partie de son épaisseur, de tout ou partie de la couche électriquement conductrice avec tout ou partie de la couche de liaison et avec au moins une partie de l'épaisseur de la zone de la face de contact sur tout ou partie de la surface du deuxième substrat pour former une zone d'alliage(s) conducteur(s).

摘要翻译： 本发明涉及一种通过分子粘合沿接触面组装第一衬底和第二衬底的方法，第一衬底的接触面在其表面的至少一部分上具有导电层。 本发明的方法包括以下步骤：在导电层的至少一部分上沉积连接层，所述连接层能够确保与第二基底的接触面的区域的分子粘附并能够与 导电层以形成导电合金; 将第一基板的连接层与第二基板的接触面的区域接触，并通过分子粘合将其接合; 在其全部或一部分宽度上，全部或部分导电层与全部或部分连接层进行转换，接触面的面积的至少一部分宽度在表面的全部或部分上 以形成导电合金区域。

公开(公告)号：WO2017100256A1

公开(公告)日：2017-06-15

申请号：PCT/US2016/065281

申请日：2016-12-07

申请人： SKYWORKS SOLUTIONS, INC.

发明人： BARBER, Bradley, Paul

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L21/324 ,  H01L23/28 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L21/324 ,  B23K20/02 ,  C23C10/28 ,  H01B1/22 ,  H01L21/50 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/10 ,  H01L23/66 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29014 ,  H01L2224/29017 ,  H01L2224/29019 ,  H01L2224/29022 ,  H01L2224/29078 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29084 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29117 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29316 ,  H01L2224/29317 ,  H01L2224/29338 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29409 ,  H01L2224/29411 ,  H01L2224/29424 ,  H01L2224/29444 ,  H01L2224/29455 ,  H01L2224/29466 ,  H01L2224/29469 ,  H01L2224/29487 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/30179 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/3651 ,  H05K3/328 ,  H05K3/3457 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0543 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/00012

摘要： A bonding element includes a first transient liquid phase (TLP) bonding element including a first material and a second material, the first material having a higher melting point than the second material, a ratio of a quantity of the first material and the second material in the first TLP bonding element having a first value and a second TLP bonding element including the first material and the second material, a ratio of a quantity of the first material and the second material in the second TLP bonding element having a second value different from the first value.

摘要翻译： 结合元件包括包含第一材料和第二材料的第一瞬态液相（TLP）结合元件，第一材料具有比第二材料更高的熔点，一定量的 第一TLP结合元件中的第一材料和第二材料具有第一值，并且第二TLP结合元件包括第一材料和第二材料，第二TLP结合中第一材料和第二材料的量的比例 元素具有不同于第一值的第二值。

公开(公告)号：WO2011070625A1

公开(公告)日：2011-06-16

申请号：PCT/JP2009/006786

申请日：2009-12-11

申请人： パイオニア株式会社 ,  パイオニア・マイクロ・テクノロジー株式会社 ,  野田直樹 ,  横内敏夫 ,  石杜昌弘

发明人： 野田直樹 ,  横内敏夫 ,  石杜昌弘

IPC分类号： B23K20/00 ,  B81B1/00 ,  B81C3/00 ,  H01L21/02

CPC分类号： B23K20/023 ,  B23K20/16 ,  B23K20/233 ,  B23K2201/40 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/0118 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/29117 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45032 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/00

摘要： 　本発明は、高い封止率と接合強度を備えた接合を実現する半導体基板の接合方法およびこれにより接合して成るＭＥＭＳデバイスを提供することを課題とする。この課題の解決手段として、本発明は、第１半導体基板の接合面と第２半導体基板の接合面との間に、含アルミニウム層とゲルマニウム層とを接触状態で介在させ、加圧・加熱して、第１半導体基板と第２半導体基板とを共晶接合する半導体基板の接合において、共晶合金化する含アルミニウム層に対するゲルマニウム層の重量比を、２７ｗｔ％から５２ｗｔ％とする。

摘要翻译： 公开了一种用于接合半导体衬底的方法，通过该方法实现了高封装速率和高接合强度的接合。 还公开了通过该方法将半导体衬底接合而获得的MEMS器件。 具体而言，在通过在第一半导体基板的接合面和第一半导体基板的接合面的接合面之间插入含铝层和锗层而将第一半导体基板和第二半导体基板彼此共晶接合的半导体基板接合的情况下， 第二半导体基板，使得含铝层和锗层彼此接触，并且通过将所得到的锗层相对于含铝层的重量比压制加热而共晶合金化 一起设定在27-52重量％的范围内。

公开(公告)号：WO2010090798A2

公开(公告)日：2010-08-12

申请号：PCT/US2010020847

申请日：2010-01-13

申请人： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC ,  MONTEZ RUBEN B ,  PAMATAT ALEX P

发明人： MONTEZ RUBEN B ,  PAMATAT ALEX P

IPC分类号： B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC分类号： H01L23/10 ,  B81B2207/097 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/019 ,  H01L21/50 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/02 ,  H01L2224/022 ,  H01L2224/036 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05638 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/276 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29016 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29117 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29157 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/29181 ,  H01L2224/29184 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32502 ,  H01L2224/32506 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83411 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83457 ,  H01L2224/83466 ,  H01L2224/83469 ,  H01L2224/83481 ,  H01L2224/83484 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/164 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83

摘要： A method that in one embodiment is useful in bonding a first substrate (103) to a second substrate (303) includes forming a layer including metal over the first substrate. The layer including metal in one embodiment surrounds a semiconductor device, which can be a micro electromechanical system (MEMS) device. On the second substrate (303) is formed a first layer comprising silicon (401). A second layer (403) comprising germanium and silicon is formed on the first layer. A third layer (405) comprising germanium is formed on the second layer. The third layer is brought into contact with the layer including metal. Heat (and pressure in some embodiments) is applied to the third layer and the layer including metal to form a mechanical bond material between the first substrate and the second substrate in which the mechanical bond material is electrically conductive. In the case of the mechanical bond surrounding a semiconductor device such as a MEMS, the mechanical bond can be particularly advantageous as a hermetic seal for protecting the MEMS.

摘要翻译： 在一个实施例中，将第一衬底（103）接合到第二衬底（303）上有用的方法包括在第一衬底上形成包括金属的层。 在一个实施例中包括金属的层围绕半导体器件，其可以是微机电系统（MEMS）器件。 在第二基板（303）上形成包括硅（401）的第一层。 在第一层上形成包括锗和硅的第二层（403）。 包含锗的第三层（405）形成在第二层上。 第三层与包括金属的层接触。 在第三层和包含金属的层上施加热（和一些实施例中的压力）以在第一基板和第二基板之间形成机械接合材料，其中机械接合材料是导电的。 在诸如MEMS之类的半导体器件周围的机械接合的情况下，作为用于保护MEMS的气密密封件，机械结合可能是特别有利的。

公开(公告)号：WO1994017551A1

公开(公告)日：1994-08-04

申请号：PCT/US1994000364

申请日：1994-01-10

申请人： HUGHES AIRCRAFT COMPANY

发明人： HUGHES AIRCRAFT COMPANY ,  WILLIAMS, Ronald, L. ,  TYRA, Joseph, B.

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/80 ,  B23K20/023 ,  B23K20/16 ,  B23K35/004 ,  H01L21/68 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L25/167 ,  H01L27/1465 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29117 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/01028

摘要： Two pieces (42, 46) are joined together by providing a gold bonding layer (44) overlying a nickel layer (40) on a first piece (42) to be bonded and providing a gold bonding layer (50) on a second piece (46) to be bonded. The gold layer (50) on the second piece (46) may optionally overlie a nickel layer (48) on the second piece (46). The gold layers (44, 50) are pressed together in a facing relation at a temperature of from about 125 DEG C to about 250 DEG C for a time sufficient to permit the layers (40, 44, 50, 46) to interdiffuse.

摘要翻译： 通过提供覆盖在待接合的第一块（42）上的镍层（40）上的金结合层（44）将两块（42,46）连接在一起，并在第二块上提供金结合层（50） 46）。 第二件（46）上的金层（50）可任选地覆盖在第二件（46）上的镍层（48）上。 金层（44,45）以约125℃至约250℃的温度以面对关系压在一起足以允许层（40,44,50,46）相互扩散的时间。