公开(公告)号：WO2010001607A1

公开(公告)日：2010-01-07

申请号：PCT/JP2009/003063

申请日：2009-07-02

Applicant: パナソニック株式会社 ,  石田秀俊 ,  上本康裕 ,  引田正洋

Inventor： 石田秀俊 ,  上本康裕 ,  引田正洋

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/2003

Abstract: 　耐圧の高いシリコン基板上ＧａＮ系トランジスタを提供する。窒化物半導体装置（１０）であって、シリコン基板（１０１）と、シリコン基板（１０１）上に積層された膜厚１００ｎｍ以上のＳｉＯ 2 層（１０２）と、ＳｉＯ 2 層（１０２）の上に積層されたシリコン層（１０３）と、シリコン層（１０３）の上に積層されたバッファ層（１０４）と、バッファ層（１０４）の上に積層されたＧａＮ層（１０５）と、ＧａＮ層（１０５）の上に積層されたＡｌＧａＮ層（１０６）と、ＡｌＧａＮ層（１０６）の上に形成されたソース電極（１０７）、ドレイン電極（１０８）及びゲート電極（１０９）とを備え、シリコン層（１０３）、バッファ層（１０４）、ＧａＮ層（１０５）及びＡｌＧａＮ層（１０６）の端部側壁は、高抵抗化領域（１１０）と接している。

Abstract translation: 在硅衬底上提供高耐压GaN基晶体管。 氮化物半导体器件（10）设置有硅衬底（101），层叠在硅衬底（101）上的厚度为100nm以上的SiO 2层（102），层叠在SiO 2层上的硅层（103） （102），叠层在所述硅层（103）上的缓冲层（104），层叠在所述缓冲层（104）上的GaN层（105），层叠在所述GaN层（105）上的AlGaN层 源电极（107），漏电极（108）和形成在AlGaN层（106）上的栅电极（109）。 硅层（103），缓冲层（104），GaN层（105）和AlGaN层（106）的端壁接触较高电阻区域（110）。

公开(公告)号：WO2009072272A1

公开(公告)日：2009-06-11

申请号：PCT/JP2008/003566

申请日：2008-12-02

Applicant: パナソニック株式会社 ,  森田竜夫 ,  上本康裕 ,  田中毅 ,  白石松夫 ,  森本篤史 ,  石川晃一

Inventor： 森田竜夫 ,  上本康裕 ,  田中毅 ,  白石松夫 ,  森本篤史 ,  石川晃一

IPC: H02P6/08

CPC classification number: H02M7/53871 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/7787 ,  H02P27/08

Abstract: 　モータ駆動回路は、三相モータ３の各相の上アームを駆動する３つの上アーム側スイッチング素子５６ａ～５６ｃと、各相の下アームを駆動する３つの下アーム側スイッチング素子５６ｄ～５６ｆとを有する三相インバータ回路８を備えている。上アーム側スイッチング素子５６ａ～５６ｃ及び下アーム側スイッチング素子５６ｄ～５６ｆのうちの少なくとも１つは、ダイオード動作を行う半導体素子である。ダイオード動作は、ゲート電極Ｇの閾値電圧以下の電圧を第１のオーミック電極Ｓの電位を基準としてゲート電極Ｇに印加することにより第１のオーミック電極Ｓから第２のオーミック電極Ｄへの電流を通電し、第２のオーミック電極Ｄから第１のオーミック電極Ｓへの電流を遮断する動作である。

Abstract translation: 电动机驱动电路（8）具有三相逆变器电路（8），该三相逆变器电路具有三个上臂侧开关元件（56a〜56c），用于驱动三相电动机的各相的上臂，三个下臂侧开关元件 （56d〜56f），用于驱动各相的下臂。 上臂侧开关元件（56a〜56c）和下臂侧开关元件（56d〜56f）中的至少一个是进行二极管动作的半导体元件。 二极管操作通过使用第一欧姆电极S的电位作为参考，将不大于栅电极G的阈值电压的电压施加到栅极电极G，使得来自第一欧姆电极S的电流流向第二欧姆电极 而从第二欧姆电极D到第一欧姆电极S的电流被切断。

公开(公告)号：WO2010021099A1

公开(公告)日：2010-02-25

申请号：PCT/JP2009/003805

申请日：2009-08-07

Applicant: パナソニック株式会社 ,  柴田大輔 ,  森田竜夫 ,  上本康裕

Inventor： 柴田大輔 ,  森田竜夫 ,  上本康裕

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766

Abstract: 　電界効果トランジスタは、導電性基板１１の上に下側から順次形成された第１の窒化物半導体層１３及び第１の窒化物半導体層１３と比べてバンドギャップが大きい第２の窒化物半導体層１４と、２次元電子ガス層２１と電気的に接続されたソース電極１５及びドレイン電極１６と、ゲート電極１７とを備えている。ドレイン基板間電流の立ち上がり電圧は、ドレインゲート間電流の立ち上がり電圧及びドレインソース間電流の立ち上がり電圧よりも低い。

Abstract translation: 公开了一种配备有第一氮化物半导体层（13），具有比第一氮化物半导体层（13）更大的带隙的第二氮化物半导体层（14）的场效应晶体管，源电极（15）和漏电极 （16），电连接到二维电子气体层（21），以及栅电极（17），其从导电基板（11）的底部顺序地形成。 漏极和衬底之间的电流的上升电压低于漏极和栅极之间的电流的上升电压以及漏极和源极之间的电流的上升电压。

公开(公告)号：WO2011010418A1

公开(公告)日：2011-01-27

申请号：PCT/JP2010/002824

申请日：2010-04-19

Applicant: パナソニック株式会社 ,  柴田大輔 ,  柳原学 ,  上本康裕

Inventor： 柴田大輔 ,  柳原学 ,  上本康裕

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L21/337 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66893 ,  H01L29/808

Abstract: 　窒化物半導体装置は、基板１０１の上に順次形成された第１の窒化物半導体層１０４及び第２の窒化物半導体層１０５を含む半導体層積層体１０３を有している。半導体層積層体１０３の上には、ｐ型の第３の窒化物半導体層１０８が選択的に形成されており、第３の窒化物半導体層１０８の上にはゲート電極１０９が形成されている。半導体層積層体１０３の上における第３の窒化物半導体層１０８の両側方には、それぞれ第１のオーミック電極１０６及び第２のオーミック電極１０７が形成されている。第１のゲート電極１０９は第３の窒化物半導体１０８とショットキー接触している。

Abstract translation: 公开了一种氮化物半导体器件，其具有包括依次形成在衬底（101）上的第一氮化物半导体层（104）和第二氮化物半导体层（105）的半导体多层体（103）。 在半导体层叠体（103）上，选择性地形成p型第三氮化物半导体层（108），在第三氮化物半导体层（108）上形成栅电极（109）。 在半导体多层体（103）上的第三氮化物半导体层（108）的两侧分别形成有第一欧姆电极（106）和第二欧姆电极（107）。 第一栅电极（109）与第三氮化物半导体（108）肖特基接触。

公开(公告)号：WO2010100703A1

公开(公告)日：2010-09-10

申请号：PCT/JP2009/007263

申请日：2009-12-25

Applicant: パナソニック株式会社 ,  井腰文智 ,  上本康裕 ,  柳原学 ,  森田竜夫

Inventor： 井腰文智 ,  上本康裕 ,  柳原学 ,  森田竜夫

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/4824 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/29076 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 　半導体装置は、一の面に電極パッド１０３を有する半導体チップ１０１と、接続パッド２０１を有する実装基板２００とを備えている。半導体チップ１０１の上には、電極パッド１０３を露出する開口部を有する保護膜１０５及び絶縁膜１０７が順次形成されている。電極パッド１０３の上には接続端子１０９が形成され、接続端子１０９は接続パッド２０１と接続され且つ絶縁膜１０７に囲まれている。絶縁膜１０７は実装基板２００と密着している。

Abstract translation: 半导体器件设置有：在一个表面上具有电极焊盘（103）的半导体芯片（101） 和具有连接焊盘（201）的安装基板（200）。 在半导体芯片（101）上，依次形成具有露出电极焊盘（103）的开口部的保护膜（105）和绝缘膜（107）。 在电极焊盘（103）上形成有连接端子（109），连接端子（109）与连接焊盘（201）连接并被绝缘膜（107）包围。 绝缘膜（107）粘附在安装基板（200）上。

公开(公告)号：WO2009001529A1

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：PCT/JP2008/001588

申请日：2008-06-19

Applicant: パナソニック株式会社 ,  森田竜夫 ,  柳原学 ,  石田秀俊 ,  上本康裕 ,  井上学

Inventor： 森田竜夫 ,  柳原学 ,  石田秀俊 ,  上本康裕 ,  井上学

IPC: G09G3/28 ,  G09G3/20 ,  G09G3/288 ,  H04N5/66

CPC classification number: G09G3/294 ,  G09G3/2965

Abstract: 　プラズマディスプレイパネル駆動装置は、プラズマディスプレイパネルの電極に印加する駆動パルスを生成する電極駆動部を備えている。電極駆動部は複数のスイッチを有し、複数のスイッチのうちの少なくとも１つは、デュアルゲート半導体素子を用１０いたスイッチ素子である。デュアルゲート半導体素子１０は、基板１１の上に形成され、窒化物半導体又は炭化珪素からなる半導体で構成された半導体層積層体１３と、半導体層積層体１３の上に互いに間隔をおいて形成されたソース電極１６及びドレイン電極１７と、ソース電極１６とドレイン電極１７との間に、ソース電極１６側から順に形成された、第１のゲート電極１８Ａ及び第２のゲート電極１８Ｂとを有する。

Abstract translation: 公开了一种等离子体显示面板驱动装置，其包括用于产生施加到等离子体显示面板的电极的驱动脉冲的电极驱动单元。 电极驱动单元具有多个开关，并且至少一个开关是使用双栅极半导体器件（10）的开关器件。 双栅极半导体器件（10）包括形成在基板（11）上并由氮化物半导体或碳化硅半导体构成的半导体多层体（13），源电极（16）和漏电极（17） 所述半导体层叠体（13）彼此间隔一定距离，以及从所述源电极（16）与所述源电极（16）之间的所述源电极（16）侧依次形成的第一栅电极（18A）和第二栅电极（18B） 漏电极（17）。

公开(公告)号：WO2010092642A1

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：PCT/JP2009/005828

申请日：2009-11-02

Applicant: パナソニック株式会社 ,  柴田大輔 ,  森田竜夫 ,  柳原学 ,  上本康裕

Inventor： 柴田大輔 ,  森田竜夫 ,  柳原学 ,  上本康裕

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/337 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/095 ,  H01L29/778 ,  H01L29/80 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7787

Abstract: 　半導体装置は、基板１０１の上に形成された半導体層積層体１０５と、半導体層積層体１０５の上に互いに間隔をおいて形成された第１のオーミック電極１１１及び第２のオーミック電極１１３と、第１のオーミック電極１１１と第２のオーミック電極１１３との間に形成された第１のコントロール層１１７と、第１のコントロール層１１７の上に形成された第１のゲート電極１１５とを備えている。第１のコントロール層１１７は、下層１１７ａと、下層１１７ａの上に形成され、下層１１７ａと比べて不純物濃度が低い中層１１７ｂと、中層１１７ｂの上に形成され、中層１１７ｂと比べて不純物濃度が高い上層１１７ｃとを有している。

Abstract translation: 半导体器件设置有：形成在基板（101）上的半导体层层叠体（105）; 在半导体层叠体上形成有空间的第一欧姆电极（111）和第二欧姆电极（113）; 形成在第一欧姆电极（111）和第二欧姆电极（113）之间的第一控制层（117） 和形成在第一控制层（117）上的第一栅电极（115）。 第一控制层（117）具有：下层（117a）; 中间层（117b），其形成在下层（117a）上，其杂质浓度低于下层（117a）的杂质浓度。 和形成在中间层（117b）上并且具有比中间层（117b）的杂质浓度高的杂质浓度的上层（117c）。

公开(公告)号：WO2011117948A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：PCT/JP2010/007252

申请日：2010-12-14

Applicant: パナソニック株式会社 ,  森田竜夫 ,  上田大助 ,  上本康裕 ,  上田哲三

Inventor： 森田竜夫 ,  上田大助 ,  上本康裕 ,  上田哲三

IPC: H01L29/80 ,  H01L21/338 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003

Abstract: 　双方向スイッチ素子は、窒化物半導体からなる半導体層積層体２０３と、半導体層積層体２０３の上に形成された第１のオーミック電極２１１及び第２のオーミック電極２１２と、第１のゲート電極２１７及び第２のゲート電極２１８とを備えている。第１のゲート電極２１７は、第１のオーミック電極２１１と電位が実質的に等しい第１のシールド電極２２１に覆われている。第２のゲート電極２１８は、第２のオーミック電極２１２と電位が実質的に等しい第２のシールド電極２２２に覆われている。第１のシールド電極２２１の端部は、第１のゲート電極２１７よりも第２のゲート電極２１８側に位置し、第２のシールド電極２２２の端部は、第２のゲート電極２１８よりも第１のゲート電極２１７側に位置している。

Abstract translation: 公开了包括由氮化物半导体构成的半导体层层压体（203）的双向开关元件; 形成在半导体层叠层（203）上的第一欧姆电极（211）和第二欧姆电极（212）; 第一栅电极（217）; 和第二栅电极（218）。 第一栅电极（217）由与第一欧姆电极（211）具有大致相同电位的第一屏蔽电极（221）覆盖。 第二栅电极（218）由与第二欧姆电极（212）基本相同的电位的第二屏蔽电极（222）覆盖。 第一屏蔽电极（221）的端部位于比第一栅电极（217）更靠近第二栅电极（218）的位置，并且第二屏蔽电极（222）的端部更靠近第一栅电极 217）比第二栅电极（218）。

公开(公告)号：WO2010047016A1

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：PCT/JP2009/003255

申请日：2009-07-10

Applicant: パナソニック株式会社 ,  柳原学 ,  中澤一志 ,  森田竜夫 ,  上本康裕

Inventor： 柳原学 ,  中澤一志 ,  森田竜夫 ,  上本康裕

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L21/337 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L29/80 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L23/481 ,  H01L23/4824 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/475 ,  H01L29/7786 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 　双方向スイッチは、第１のオーミック電極１５、第１のゲート電極１７、第２のゲート電極１８及び第２のオーミック電極１６を有する複数の単位セル１１を備えている。第１のゲート電極１５は、第１の引き出し配線３１を介して第１のゲート電極パッド４３と電気的に接続されている。第２のゲート電極１８は、第２の引き出し配線３２を介して第２のゲート電極パッド４４と電気的に接続されている。第１のゲート電極パッド４３との間の配線距離が最も短い第１のゲート電極１７を有する単位セル１１は、第２のゲート電極パッド４４との間の配線距離が最も短い第２のゲート電極１８を有する。

Abstract translation: 双向开关包括多个单元单元（11），每个单元单元具有第一欧姆电极（15），第一栅电极（17），第二栅电极（18）和第二欧姆电极（16）。 第一栅电极（15）经由第一拉出线（31）与第一栅电极焊盘（43）电连接。 第二栅电极（18）经由第二引出线（32）与第二栅电极焊盘（44）电连接。 具有与第一栅电极焊盘（43）的布线距离最短的第一栅电极（17）的单电池（11）具有与第二栅极电极焊盘（44）的布线距离最短的第二栅电极（18） ）。

公开(公告)号：WO2009078148A1

公开(公告)日：2009-06-25

申请号：PCT/JP2008/003713

申请日：2008-12-11

Applicant: パナソニック株式会社 ,  森本篤史 ,  白石松夫 ,  石川晃一 ,  森田竜夫 ,  上本康裕 ,  田中毅

Inventor： 森本篤史 ,  白石松夫 ,  石川晃一 ,  森田竜夫 ,  上本康裕 ,  田中毅

IPC: H02M3/155 ,  H02M7/12 ,  H02M7/537

CPC classification number: H02M3/1582 ,  H02M7/219

Abstract: 　電力変換回路は、双方向スイッチ２を備えている。双方向スイッチ２は、第１ゲート端子Ｇ１、第２ゲート端子Ｇ２、第１オーミック端子Ｓ１及び第２オーミック端子Ｓ２を有している。双方向スイッチ２は４つの動作状態を有している。第１の状態は、第１オーミック端子Ｓ１側がカソードであり、第２オーミック端子Ｓ２側がアノードであるダイオードとして動作する。第２の状態は、第１オーミック端子Ｓ１側がアノードであり、第２オーミック端子Ｓ２側がカソードであるダイオードとして動作する。第３の状態は、第１オーミック端子Ｓ１と第２オーミック端子Ｓ２との間にダイオードを介さずに双方向に導通する。第４の状態は、第１オーミック端子と第２オーミック端子との間の双方向の電流を遮断する。

Abstract translation: 电源转换电路包括双向开关（2），双向开关（2）具有第一栅极端子（G1），第二栅极端子（G2），第一欧姆端子（S1）和第二欧姆端子 ）。 双向开关（2）具有四个操作状态。 第一状态涉及具有作为阴极的第一欧姆端子（S1）和作为阳极的第二欧姆端子（S2）的二极管的工作。 第二状态涉及具有作为阳极的第一欧姆端子（S1）和作为阴极的第二欧姆端子（S2）的二极管的工作。 在第三状态下，在不使用任何二极管的情况下，在第一欧姆端子（S1）和第二欧姆端子（S2）之间进行双向电连接。 在第四状态下，第一欧姆端子与第二欧姆端子之间的双向电流被切断。