Abstract:
Ein Sensor zum Erfassen einer elektromagnetischen Strahlung weist eine Sensormembran (100) mit einer Halbleiterschicht (102) aus einem dotierten organischen Halbleitermaterial auf, wobei ein elektrischer Widerstand der Halbleiterschicht (102) abhängig von der einfallenden elektromagnetischen Strahlung (150) ist. Ferner weist der Sensor eine Einrichtung (110) zum Erfassen des Widerstands der Halbleiterschicht (102) auf.
Abstract:
Ein Gehäuse mit einer elektrischen Schaltung kann effizienter hergesellt werden, wenn auf einem Substrat mit einer Mehrzahl von elektrischen Schaltungen die Schaltungen auf Funktionsfähigkeit geprüft werden und wenn die funktionsfähigen Schaltungen mittels eines die Schaltung auf der Oberfläche des Substrates umschließenden Rahmens mit einem zweiten Substrat verbunden werden, dessen Fläche geringer ist als diejenige des ersten Substrates. Die Substrate werden mittels eines an den ersten Rahmen angepassten zweiten Rahmens auf der Oberfläche des zweiten Substrates so verbunden, dass der erste und der zweite Rahmen aufeinanderliegen. Danach können die funktionsfähigen gehäusten Schaltungen technologisch einfach vereinzelt werden.
Abstract:
Ein Bolometer weist eine Halbleitermembran (110) mit einem einkristallinen Abschnitt (120) und Abstandshalter (150), um die Halbleitermembran (110) in einem vorbestimmten Abstand (D) von einem Untergrundsubstrat (160) zu halten, auf. Die komplementär dotierte Bereiche (120a, 120b) des einkristallinen Abschnitts bilden eine Diode und der vorbestimmte Abstand (D) entspricht einem Viertel einer Infrarotwellenlänge (λ).
Abstract:
Ein Kontaktbereich kann in einer Kontaktebene einer nicht-flüchtigen Speicherzelle mit äußerst geringer Fläche effi-zient und reproduzierbar erzeugt werden, wenn zunächst auf einer Basisschichtebene (252) eine Katalysatorinsel (254) aufgebracht wird und wenn darauffolgend ein Nanoröhrchen (110a, 110b; 256) an der Katalysatorinsel (254) aufgewach-sen wird, welches von der Basisschichtebene hervorsteht, so dass nach Aufbringen eines Schichtmaterials (260) auf die Basisschichtebene (252) das Nanoröhrchen (110a, 110b; 256) bis zur Kontaktebene reicht und dabei innerhalb der Kon-taktebene im Kontaktbereich endet, sodass bei weiterem Auf-bringen eines Speichermaterials (104) dieses im Kontaktbe-reich mit der Basisschichtebene kontaktierbar ist.
Abstract:
Es wird ein Dünnfilmwiderstand (122) mit Schichtstruktur mit einer Ti-Schicht und einer TiN-Schicht beschrieben, wobei eine Schichtdicke der Ti-Schicht und eine Schichtdi-cke der TiN-Schicht so gewählt sind, dass ein resultieren-der Temperaturkoeffizient des Widerstands (TCR) kleiner als 1.000 ppm/°C ist.
Abstract:
Verfahren und Vorrichtung zum Testen oder Kalibrieren eines gehäusten Drucksensors Zusammenfassung Eine Vorrichtung zum Testen oder Kalibrieren eines gehäusten Drucksensors (22) mit einem druckempfindlichen Bereich und einem Ausgangssignalanschluss, die einen höheren Durchsatz ermöglicht, umfasst eine Teststation (24), einen Testkontakt, einen Greifer (20) zum Aufnehmen des gehäusten Drucksensors (22) und Setzen desselben auf die Teststation (24), derart, dass nach dem Setzen der Ausgangssignalanschluss mit dem Testkontakt elektrisch verbunden ist, wobei der Greifer (20) und die Teststation (24) derart ausgebildet sind, dass nach dem Setzen der Greifer (20) und die Teststation (24) einen Hohlraum (66) definieren, der zumindest an den druckempfindlichen Bereich des gehäusten Drucksensors (22) angrenzt, eine Druckerzeugungseinrichtung (14, 16) zum Erzeugen eines vorbestimmten Drucks in dem Hohlraum (66) und eine Verarbeitungseinrichtung (12), die mit dem Testkontakt elektrisch verbunden ist, zum Empfangen und Verarbeiten eines Sensorausgangssignals von dem gehäusten Drucksensor (22).
Abstract:
Eine programmierbare Schaltungsstruktur umfasst einen Leiter mit zumindest einer ersten leitfähigen Schicht (22) und einer zweiten leitfähigen Schicht (28a, 28b). Die zweite leitfähige Schicht (28a, 28b) ist lokal entfernt, um einen Bereich (36) der ersten leitfähigen Schicht (22) freizulegen, um einen freigelegten Bereich (36) der ersten leitfähigen Schicht (22) zu erhalten. Der freigelegte Bereich (36) der ersten leitfähigen Schicht (22) ist durch Anlegen eines vorbestimmten Programmierstroms an die Schaltungsstruktur durchtrennbar.
Abstract:
Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung mit Bereitstellen eines Substrats mit einer Elektrode beschrieben, die an einer Hauptseite des Substrats freiliegt. Ferner umfasst das Verfahren das Bilden einer Mikro- oder Nanostruktur, die einen Abstandshalter aufweist, der auf der Elektrode fußt, wobei das Bilden folgende Schritte aufweist: Abscheiden einer Opferschicht auf der Hauptseite, wobei die Opferschicht amorphes Silizium (a-Si) oder Siliziumdioxid (SiO 2 ) enthält; Strukturieren eines Loches und/oder Grabens in die Opferschicht mittels eines DRiE-Prozesses; Beschichten der Opferschicht mittels ALD oder MOCVD, so dass sich Material der Nano- oder Mikrostruktur an dem Loch und/oder Graben bildet sowie Entfernen der Opferschicht.
Abstract:
Ein Bolometer umfasst eine Membran, einen ersten Abstandshalter und einen zweiten Abstandshalter, wobei die Membran eine Widerstandsschicht und eine Kontaktschicht umfasst. Die Kontaktschicht weist an einer einem Untergrund zugewandten Seite einen ersten Kontaktbereich auf, an dem der erste Abstandshalter die Kontaktschicht elektrisch kontaktiert, und einen zweiten Kontaktbereich auf, an dem der zweite Abstandshalter die Kontaktschicht elektrisch kontaktiert. Dadurch wird die Membran in einem vorbestimmten Abstand zu dem Untergrund gehalten. Die Kontaktschicht ist lateral durch einen Spalt unterbrochen, so dass sich die Kontaktschicht zumindest in zwei Teile gliedert, von denen der erste Teil den ersten Kontaktbereich und der zweite Teil den zweiten Kontaktbereich aufweist und innerhalb der Kontaktschicht keine direkte Verbindung von dem ersten Kontaktbereich und dem zweiten Kontaktbereich existiert, und wobei sich die Widerstandsschicht in Kontakt zu dem ersten Teil der Kontaktschicht und zu dem zweiten Teil der Kontaktschicht befindet.
Abstract:
Der Grundgedanke der vorliegenden Erfindung sind Bolometer, die eine organische Halbleiterdiodenschichtanordnung (180, 190) zur Messung der Temperatur benutzen. Diese Bolometer sind insbesondere sensitiv für den Infrarotwellenbereich, so dass sie als Infrarotsensor einsetzbar sind, und sich zu dimensionalen Sensorzeilen oder zu 2-dimensionalen Mikrobolometer-Arrays kombinieren lassen.