公开(公告)号：WO2019150019A1

公开(公告)日：2019-08-08

申请号：PCT/FR2019/050153

申请日：2019-01-24

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： BEDJAOUI, Messaoud ,  SALOT, Raphaël

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/019 ,  B81C2203/037

Abstract: La présente invention concerne un procédé d'encapsulation d'un dispositif microélectronique (300), disposé sur un substrat de support (200), avec un capot d'encapsulation (400) comprenant entre autres les étapes successives suivantes : a) fourniture d'un substrat de support (200) sur lequel est disposé un dispositif microélectronique (300), b) dépôt d'une couche de collage (500), sur la première face (201) du substrat (200), autour du dispositif microélectronique (300), c) positionnement d'un capot d'encapsulation (400) sur la couche de collage (500) de manière à encapsuler le dispositif microélectronique (300), d) amincissement, par gravure chimique, de la seconde face principale (202) du substrat de support (200) et de la seconde face principale (402) du capot d'encapsulation (400).

公开(公告)号：WO2017142975A1

公开(公告)日：2017-08-24

申请号：PCT/US2017/018009

申请日：2017-02-15

Applicant: KNOWLES ELECTRONICS, LLC

Inventor： VOLK, Martin ,  QUTUB, Sarmad

IPC: H04R1/04 ,  H04R1/02 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81B7/0041 ,  B81B2201/0285 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/0145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H04R1/021 ,  H04R1/04 ,  H04R19/04 ,  H04R2201/003 ,  H01L2924/00014

Abstract: A vibrational sensor comprises a microelectromechanical (MEMS) microphone having a base and a lid defining an enclosure, a MEMS acoustic pressure sensor within the enclosure, and a port defining an opening through the enclosure and material that is arranged to plug the port of the MEMS microphone. In embodiments, the MEMS microphone further includes an integrated circuit within the enclosure that is electrically connected to the MEMS acoustic pressure sensor. In some embodiments, the integrated circuit is configured to bias and buffer the MEMS acoustic pressure sensor. In these and other embodiments, the integrated circuit includes circuitry for conditioning and processing electrical signals generated by the MEMS acoustic pressure sensor. In embodiments, the material is arranged with respect to the port so as to cause the MEMS acoustical pressure sensor to sense vibrational energy rather than acoustic energy as in a conventional MEMS microphone.

Abstract translation: 振动传感器包括微机电（MEMS）麦克风，微机电麦克风具有限定外壳的基座和盖子，外壳内的MEMS声压传感器以及限定穿过外壳的开口的端口，以及 被安排插入MEMS麦克风的端口。 在实施例中，MEMS麦克风还包括壳体内的电连接到MEMS声压传感器的集成电路。 在一些实施例中，集成电路被配置为偏置和缓冲MEMS声压传感器。 在这些和其他实施例中，集成电路包括用于调节和处理由MEMS声压传感器产生的电信号的电路。 在实施例中，材料相对于端口布置，以致使MEMS声学压力传感器感测振动能量而非传统MEMS麦克风中的声能。

公开(公告)号：WO2014070534A3

公开(公告)日：2015-07-16

申请号：PCT/US2013066266

申请日：2013-10-23

Applicant: RAYTHEON CO

Inventor： GOOCH ROLAND ,  DIEP BUU ,  KOCIAN THOMAS ALLAN ,  BLACK STEPHEN H ,  KENNEDY ADAM M

IPC: H01L23/02

CPC classification number: B81B7/0041 ,  B81B7/007 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/019 ,  H01L23/053 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/27444 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/27464 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83139 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83141 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/163 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

Abstract: A method of forming a wafer level packaged circuit device includes forming a device wafer, the device wafer including a first group of one or more material layers left remaining in a first region of a substrate of the device wafer; and forming a cap wafer configured to be attached to the device wafer, the cap wafer including a second group of one or more material layers left remaining in a second region of a substrate of the cap wafer; wherein a combined thickness of the first and second groups of one or more material layers defines an integrated bond gap control structure upon bonding of the device wafer and the cap wafer.

Abstract translation: 一种形成晶片级封装电路器件的方法包括形成器件晶片，器件晶片包括残留在器件晶片的衬底的第一区域中的第一组一个或多个材料层; 以及形成被配置为附接到所述器件晶片的盖晶片，所述盖晶片包括留在所述盖晶片的衬底的第二区域中的第二组一个或多个材料层; 其中一个或多个材料层的所述第一和第二组的组合厚度在所述器件晶片和所述盖晶片接合时限定了整合的接合间隙控制结构。

公开(公告)号：WO2014084217A1

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：PCT/JP2013/081807

申请日：2013-11-26

Applicant: 三菱重工業株式会社

Inventor： 後藤　崇之 ,  堤　圭一郎 ,  津野　武志 ,  木ノ内　雅人 ,  井手　健介

IPC: H01L21/02 ,  B23K20/00

CPC classification number: H01L21/76251 ,  B23K15/0006 ,  B23K20/02 ,  B23K20/233 ,  B23K20/2333 ,  B23K20/2336 ,  B23K2201/40 ,  B32B15/01 ,  B32B37/06 ,  B32B37/18 ,  B32B38/0008 ,  B32B2457/14 ,  B81C1/00269 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67748

Abstract: 　常温接合デバイスは、第１面を有する第１基板と、第１面と接合する第２面を有する第２基板とを具備している。第１面と第２面との接合において、第１面および第２面のうちのいずれか一方は、シリコンやＳｉＯ ２ やＧａＮやＬｉＴａＯ ３ に例示されるような無機材料を含んでいる。第１面および第２面のうちのいずれか他方は、シリコンやＳｉＯ ２ や石英やＡｕに例示される無機材料を含んでいる。第１面および第２面の無機材料は同じであってもよいし異なっていてもよい。

Abstract translation: 该常温接合装置设置有具有第一表面的第一基板和具有与第一表面接合的第二表面的第二基板。 关于第一表面和第二表面的结合，第一表面和第二表面之一包含例如硅，SiO 2，GaN或LiTaO 3的无机材料。 第一表面和第二表面中的另一个表面包含无机材料，其例示为硅，SiO 2，石英或Au。 包含在第一表面和第二表面中的无机材料可以彼此相同或彼此不同。

公开(公告)号：WO2014070534A2

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：PCT/US2013/066266

申请日：2013-10-23

Applicant: RAYTHEON COMPANY

Inventor： GOOCH, Roland ,  DIEP, Buu ,  KOCIAN, Thomas Allan ,  BLACK, Stephen H. ,  KENNEDY, Adam M.

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/56 ,  H01L23/544

CPC classification number: B81B7/0041 ,  B81B7/007 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/019 ,  H01L23/053 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/27444 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/27464 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83139 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83141 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/163 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

Abstract: A method of forming a wafer level packaged circuit device includes forming a device wafer, the device wafer including a first group of one or more material layers left remaining in a first region of a substrate of the device wafer; and forming a cap wafer configured to be attached to the device wafer, the cap wafer including a second group of one or more material layers left remaining in a second region of a substrate of the cap wafer; wherein a combined thickness of the first and second groups of one or more material layers defines an integrated bond gap control structure upon bonding of the device wafer and the cap wafer.

Abstract translation: 一种形成晶片级封装电路器件的方法包括形成器件晶片，器件晶片包括残留在器件晶片的衬底的第一区域中的第一组一个或多个材料层; 以及形成被配置为附接到所述器件晶片的盖晶片，所述盖晶片包括留在所述盖晶片的衬底的第二区域中的第二组一个或多个材料层; 其中一个或多个材料层的所述第一和第二组的组合厚度在所述器件晶片和所述盖晶片接合时限定了整合的接合间隙控制结构。

公开(公告)号：WO2014020648A1

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：PCT/JP2012/004894

申请日：2012-08-01

Applicant: パイオニア株式会社 ,  パイオニア・マイクロ・テクノロジー株式会社 ,  小荒井 満

Inventor： 小荒井　満

IPC: B81B7/02 ,  H01L25/00

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81B7/008 ,  B81C1/00238 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/035 ,  H01L25/00 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 　本発明は、機能素子やその周辺回路の配置エリアの面積を狭くすることなく、接合材料の機能素子やその周辺回路への接触を防止することを課題としたものである。　本発明は、流動性を有する接合材料（Ｍ）により、ＭＥＭＳ素子（２）を搭載したＭＥＭＳ基板（３）と、ＣＭＯＳ基板（４）と、を相互の接合面（１２、４１）において接合して成る電子デバイス（１）であって、ＭＥＭＳ基板（３）は、基板本体（２１）から凸設され、接合面（４１）を有する接合凸部（３１）と、接合凸部とＭＥＭＳ素子との間に配設された間隙形成部（３２）と、を有し、間隙形成部は、接合凸部から延びる複数の支持片（４２）により、接合凸部に支持されると共に、その壁面と接合凸部との間に、接合面からＭＥＭＳ素子側にはみ出した接合材料を受容可能な受容間隙を形成することを特徴とする。

Abstract translation: 本发明解决了防止接合材料与功能元件或其周边电路接触而不使功能元件或其周边电路设置的区域变窄的问题。 本发明是一种电子器件（1），其通过使用流体将在其上装载了MEMS元件（2）的MEMS衬底（3）与MEMS衬底（4）接合在互补接合表面（12,41）上而获得 接合材料（M），其特征在于：MEMS基板（3）包括从主基板主体（21）突出并具有接合面（41）的接合突起（31）和间隙形成部 （33），设置在所述接合突起和所述MEMS元件之间; 并且间隙形成部分通过从接合突起延伸的多个支撑件（42）由接合突起支撑，并且在其壁表面和接合突起之间形成接收间隙，该接收间隙能够接收从 接合表面朝向MEMS元件侧。

公开(公告)号：WO2013095147A4

公开(公告)日：2013-08-22

申请号：PCT/NL2012050922

申请日：2012-12-21

Applicant: MICRONIT MICROFLUIDICS BV

Inventor： VAN T OEVER RONNY ,  BLOM MARKO THEODOOR ,  HANEVELD JEROEN ,  OONK JOHANNES ,  OLDE RIEKERINK MARINUS BERNARDUS ,  TIJSSEN PETER ,  TIGELAAR HENDRIK JAN HILDEBRAND ,  FEHR JEAN-NOEL ,  ROULET JEAN-CHRISTOPHE ,  GUPTA AMITAVA

IPC: H01L23/10 ,  B81C1/00 ,  H01L21/50

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81B2201/058 ,  B81C3/001 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/019 ,  C23F1/02 ,  H01L21/50 ,  H01L23/10 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/239 ,  H01L2924/00

Abstract: The invention relates to method for bonding at least two substrates, for example made from glass, silicon, ceramic,aluminum, or boron, by using an intermediate thin film metal layer for providing the bonding, said method comprising the following steps of: a) providing said two substrates; b) depositing said thin film metal layer on at least a part of a surface of a first substrate of the two substrates; c) bringing a surface of the second substrate into contact with said thin film metal layer on said surface of the first substrate such that a bonding between the second substrate and the thin film metal layer on the first substrate is provided; and d) at least locally strengthening the bonding between the second substrate and the thin film metal layer on the first substrate. The invention also relates to a device comprising two substrates, for example made from glass, silicon, ceramic, aluminum, or boron, and an intermediate thin film metal layer.

公开(公告)号：WO2013070013A1

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：PCT/KR2012/009447

申请日：2012-11-09

Applicant: 주식회사 유우일렉트로닉스

Inventor： 한용희 ,  김형원 ,  안미숙

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  G01P15/00 ,  H01L21/48

CPC classification number: B81B7/0038 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0207 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00285 ,  B81C2203/0118 ,  G01P15/0802 ,  H01L31/02016 ,  H01L2224/291 ,  H01L2924/014

Abstract: 본 발명에 따른 MEMS 센서 패키징은, ROIC 회로가 형성된 제 1 웨이퍼와; 상기 제 1 웨이퍼와 대응하도록 배치되고, 일면에 오목부가 형성되어 MEMS 센서가 마련된 제 2 웨이퍼와; 상기 제 1 웨이퍼와 상기 제 2 웨이퍼를 접합하여 상기 MEMS 센서가 밀봉되도록 상기 MEMS 센서의 주위를 따라 형성된 접합 솔더와; 상기 제 1 웨이퍼의 ROIC 회로와 상기 제 2 웨이퍼의 MEMS 센서가 전기적으로 연결되도록 형성된 패드 솔더를 포함하는 점에 그 특징이 있다. 본 발명에 따르면, ROIC 회로가 형성된 웨이퍼와 MEMS 센서가 형성된 웨이퍼를 접합하여 패키징하는데 있어서, ROIC 회로와 MEMS 센서를 전기적으로 연결하기 위한 패드 솔더를 내부에 형성함으로써 패키지의 크기를 줄이고, 안정적으로 전기적 신호를 공급할 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种MEMS传感器封装及其方法。 MEMS传感器封装包括：设置在ROIC电路上的第一晶片; 设置成对应于第一晶片并且在其一个表面中具有凹部以提供MEMS传感器的第二晶片; 设置在MEMS传感器周围的接合焊料，以将第一和第二晶片彼此结合，从而密封MEMS传感器; 以及将第一晶片的ROIC电路电连接到第二晶片的MEMS传感器的焊盘。 根据本发明，当配置有ROIC电路的晶片和其上设置MEMS传感器的晶片被接合以封装接合的晶片时，可以提供用于将ROIC传感器电连接到MEMS传感器的焊盘 在封装内减小封装的尺寸并稳定地提供电信号。

公开(公告)号：WO2013052676A1

公开(公告)日：2013-04-11

申请号：PCT/US2012/058769

申请日：2012-10-04

Applicant: ANALOG DEVICES, INC.

Inventor： GAO, Jia ,  YANG, Jicheng ,  SAIYED, Shafi ,  NG, Siu, Lung ,  XUE, Xiaojie

IPC: H01L23/495

CPC classification number: H01L29/84 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/032 ,  B81C2203/035 ,  H01L23/047 ,  H01L23/49861 ,  H01L29/66007 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00

Abstract: A housing for integrated devices that includes an air-release mechanism is disclosed. This is achieved, in various embodiments, by forming a vent hole in a package substrate, and arranging a package lid over the package substrate. The vent hole allows air to be released from within the cavity package, thereby ensuring that the package lid remains stably affixed to the package substrate despite increased temperatures during processing. The vent hole may be sealed upon mounting the package onto a mounting substrate.

Abstract translation: 公开了一种用于包括空气释放机构的集成装置的壳体。 这在各种实施例中通过在封装衬底中形成通气孔并且在封装衬底上布置封装盖来实现。 通气孔允许空气从空腔包装内释放，从而确保包装盖保持稳定地固定到包装基板上，尽管加工过程中温度升高。 当将包装件安装到安装基板上时，通气孔可以被密封。

公开(公告)号：WO2012078541A2

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：PCT/US2011/063377

申请日：2011-12-06

Applicant: CORNING INCORPORATED ,  FENG, Jiangwei ,  OUYANG, Michael X ,  SIMPSON, Lynn Bernard ,  SUN, Yawei ,  TIAN, Lili

Inventor： FENG, Jiangwei ,  OUYANG, Michael X ,  SIMPSON, Lynn Bernard ,  SUN, Yawei ,  TIAN, Lili

IPC: B32B15/04

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81C2203/019 ,  B81C2203/031 ,  C03C27/08 ,  Y10T156/1052

Abstract: Methods and apparatus provide for: disposing an intermediate layer formed from at least one of: a metal, a conductive oxide, and combined layers of the metal and the conductive oxide, on one of a first material layer and a second material layer; and coupling the first and second material layers together via an anodic bond between the intermediate layer and the other of the first and second material layers.

Abstract translation: 方法和设备提供：将由金属，导电氧化物以及金属和导电氧化物的组合层中的至少一个形成的中间层布置在第一材料层 和第二材料层; 以及通过中间层和第一和第二材料层中的另一个之间的阳极结合将第一和第二材料层结合在一起。