公开(公告)号：WO2016050466A1

公开(公告)日：2016-04-07

申请号：PCT/EP2015/070617

申请日：2015-09-09

Applicant: DANFOSS SILICON POWER GMBH

Inventor： OSTERWALD, Frank ,  EISELE, Ronald ,  BECKER, Martin ,  PAULSEN, Lars ,  RUDZKI, Jacek ,  ULRICH, Holger

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/75 ,  B22F3/14 ,  B22F5/00 ,  B22F2998/10 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/7531 ,  H01L2224/75315 ,  H01L2224/75316 ,  H01L2224/75317 ,  H01L2224/75318 ,  H01L2224/7532 ,  H01L2224/75704 ,  H01L2224/75821 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83209 ,  H01L2224/8384

Abstract: Sintering device (10) for sintering at least one electronic assembly (BG), having a lower die (20) and an upper die (30) which is slidable towards the lower die (20), or a lower die (20) which is slidable towards the upper die (30), wherein the lower die (20) forms a support for the assembly (BG) to be sintered and the upper die (30) comprises a receptacle which receives a pressure pad (32) for exerting pressure directed towards the lower die (20) and which comprises a delimitation wall (34) which laterally surrounds the pressure pad (32), and wherein the delimitation wall (34) has an outer delimitation wall (34a) and an inner delimitation wall (34b) which is surrounded in an adjacent manner by the outer delimitation wall (34a), and wherein the inner delimitation wall (34b) is mounted so as to be slidable towards the outer delimitation wall (34a) and, when pressure in the direction of the upper die (30) is exerted on the pressure pad (32), is mounted so as to be slid in the direction of the lower die (20), whereby, following the placing of the inner delimitation wall (34b) on the lower die (20), the pressure pad (32) is displaceable in the direction of the lower die (20).

Abstract translation: 一种用于烧结至少一个电子组件（BG）的烧结装置（10），具有可向下模具（20）滑动的下模具（20）和上模具（30），或下模具（20） 可向上模具（30）滑动，其中下模具（20）形成用于要烧结的组件（BG）的支撑件，并且上模具（30）包括接收压力垫（32）的容器，用于施加压力 朝向下模具（20）并且其包括侧向围绕压力垫（32）的分隔壁（34），并且其中定界壁（34）具有外部限定壁（34a）和内部限定壁（34b） 其被外部限定壁（34a）相邻地包围，并且其中内部限定壁（34b）被安装成能够朝向外部限定壁（34a）滑动，并且当在上部方向上的压力 模具（30）被施加在压力垫（32）上，安装成沿着方向o滑动 在下模具（20）上，由此，在将内部定界壁（34b）放置在下模具（20）上之后，压力垫（32）能够在下模具（20）的方向上移动。

公开(公告)号：WO2017137420A2

公开(公告)日：2017-08-17

申请号：PCT/EP2017/052714

申请日：2017-02-08

Applicant: PINK GMBH THERMOSYSTEME

Inventor： ÖTZEL, Christoph ,  ULRICH, Holger ,  OSTERWALD, Dr. Frank

IPC: H01L21/67 ,  B30B15/34 ,  B22F3/14

CPC classification number: B29C33/04 ,  B22F3/003 ,  B22F7/08 ,  B22F2999/00 ,  B29C33/02 ,  B29C2033/023 ,  B29L2031/3425 ,  B29L2031/3493 ,  B30B15/061 ,  B30B15/34 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/75312 ,  H01L2224/75315 ,  H01L2224/75501 ,  H01L2224/75502 ,  H01L2224/75704 ,  H01L2224/75755 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/75983 ,  H01L2224/75984 ,  H01L2224/75986 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  B22F3/14 ,  B22F3/03 ,  B22F3/10

Abstract: Die Erfindung geht aus von einer Sintervorrichtung (10) zum Herstellen eines Werkstücks (30) aus zumindest einer Komponente mittels Drucksintern. Die Sintervorrichtung weist ein Oberwerkzeug (12) und ein Unterwerkzeug (14) auf, zwischen denen die zumindest eine Komponente aufgenommen ist. Das Oberwerkzeug (12) und das Unterwerkzeug (14) sind zum Aufbringen einer Presskraft auf das zu sinternde Werkstück (30) relativ zueinander verstellbar. Es ist zumindest einer Heizvorrichtung (18a, 18b) zum Erwärmen des zu sinternden Werkstücks (30) vorgesehen. Es wird vorgeschlagen, dass die Sintervorrichtung ferner zumindest eine Kühlvorrichtung (22a, 22b) in einem Oberwerkzeug (12) aufweist, die aktiv die Sintervorrichtung auf konstantere Temperatur hält. Denn beim Sinterpressvorgang heizt das heißere Unterwerkzeug unerwünscht das Oberwerkzeug auf und würde ohne die aktive und gesteuerte Kühlvorrichtung zur Überhitzung des oberen Sinterwerkzeuges führen. Des Weiteren ist ohne die Kühlvorrichtung keine konstante Temperaturhaltung bei kurzen Sintertaktvorgängen sicherzustellen.

Abstract translation: 本发明基于用于通过压力烧结从至少一个部件制造工件（30）的烧结设备（10）。 烧结装置具有上部工具（12）和下部工具（14），所述至少一个部件容纳在所述下部工具（14）之间。 上部工具（12）和下部工具（14）可相对于彼此进行调节，以将压力施加到待烧结的工件（30）。 提供至少一个加热装置（18a，18b）用于加热待烧结的工件（30）。 建议烧结装置还包括在上部工具（12）中的至少一个冷却装置（22a，22b），其将烧结装置主动加热到更恒定的温度。 在烧结压制过程中，较热的下部工具不合需要地加热上部工具，并且在没有主动和受控制的冷却装置的情况下会导致上部烧结工具过热。 此外，如果没有冷却装置，则不需要通过短时间的烧结循环操作来确保恒温维护。

公开(公告)号：WO2013135302A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：PCT/EP2012/054650

申请日：2012-03-16

Applicant: EV GROUP E. THALLNER GmbH ,  WIMPLINGER, Markus ,  SIGL, Alfred

Inventor： WIMPLINGER, Markus ,  SIGL, Alfred

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67144 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68778 ,  H01L24/75 ,  H01L24/89 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75316 ,  H01L2224/75317 ,  H01L2224/75318 ,  H01L2224/7532 ,  H01L2224/757 ,  H01L2224/75704 ,  H01L2224/75724 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75822 ,  H01L2224/75823 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/9205 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft eine Druckübertragungseinrichtung zum Bonden einer Vielzahl von Chips (13) auf ein Substrat (12) mit: - einem Druckkörper (2) zur Beaufschlagung der Chips (13) mit einer in Bondrichtung (B) wirkenden Bondkraft, wobei der Druckkörper (2) eine erste Druckseite (2o) und eine gegenüberliegende zweite Druckseite (2f) aufweist, die quer zur Bondrichtung (B) verlaufen, - am Umfang der Druckübertragungseinrichtung (1) anbringbaren Fixiermitteln (8, 8', 8") zur Fixierung der Druckübertragungseinrichtung (1) an einem Haltekörper (9) in der Bondrichtung (B), und - einer Gleitschicht (3) zur gleitenden Bewegung des Druckkörpers (2) quer zur Bondrichtung (B).

Abstract translation: 本发明涉及一种压力传递装置用于在基板上接合多个芯片（13）（12）包括： - 压力体（2）用于装载具有芯片（13）的在接合方向（B）作用的粘接力，其中，所述压力体（ 2）具有第一压力侧（20）和相对的第二压力面（2F），它横向延伸（向接合方向B）， - 在压力传递装置的外周（1）可附接固定装置（8,8”，8“），用于固定所述真空传递装置 （1）在接合方向（B）的保持体（9），以及 - 用于滑动压力体（2）的移动横向于接合方向（B）的滑动层（3）。

公开(公告)号：WO2010053454A1

公开(公告)日：2010-05-14

申请号：PCT/SG2009/000413

申请日：2009-11-09

Applicant: ORION SYSTEMS INTEGRATION PTE LTD ,  CHEW, Hwee, Seng ,  ONG, Chee, Kian ,  LIM, Kian, Hock ,  SEN, Amlan ,  LIM, Shoa, Siong

Inventor： CHEW, Hwee, Seng ,  ONG, Chee, Kian ,  LIM, Kian, Hock ,  SEN, Amlan ,  LIM, Shoa, Siong

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/68 ,  H01L21/98 ,  B23K1/19 ,  H01L21/683 ,  B23K101/40

CPC classification number: B23K1/0016 ,  B23K1/203 ,  B23K2201/40 ,  H01L21/683 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68707 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/7515 ,  H01L2224/7525 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/755 ,  H01L2224/75501 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/757 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75704 ,  H01L2224/75705 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75802 ,  H01L2224/75804 ,  H01L2224/75822 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81048 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/8115 ,  H01L2224/8116 ,  H01L2224/8117 ,  H01L2224/8118 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81204 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  Y10T29/41 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: A method for fabricating a flip-chip semiconductor package comprising processing a semiconductor device, for example a semiconductor chip and processing a device carrier, for example a substrate. The semiconductor device comprises bump structures formed on a surface thereof. The substrate comprises bond pads formed on a surface thereof. The semiconductor chip is heated to a chip process temperature. The chip process temperature melts solder portions on the bump structures. The substrate is heated to a substrate process temperature, wherein said substrate process temperature may be different to the chip process temperature. The semiconductor chip is spatially aligned in relation to the substrate to correspondingly align the bump structures in relation to the bond pads. The semiconductor chip is displaced towards the substrate to abut the bump structures with the bond pads to thereby form bonds there between. A system for performing the above method is also disclosed.

Abstract translation: 一种用于制造倒装芯片半导体封装的方法，包括处理半导体器件，例如半导体芯片并处理器件载体，例如衬底。 半导体器件包括在其表面上形成的凸块结构。 衬底包括形成在其表面上的接合焊盘。 将半导体芯片加热至芯片工艺温度。 芯片工艺温度熔化凸块结构上的焊接部分。 将衬底加热到​​衬底工艺温度，其中所述衬底工艺温度可能与芯片工艺温度不同。 半导体芯片相对于衬底在空间上对准，以相对于接合焊盘相应地对准凸块结构。 半导体芯片朝向衬底移位，以与接合焊盘邻接凸块结构，从而在其间形成结合。 还公开了用于执行上述方法的系统。

公开(公告)号：WO2016157460A1

公开(公告)日：2016-10-06

申请号：PCT/JP2015/060286

申请日：2015-03-31

Applicant: 新電元工業株式会社

Inventor： 松林　良 ,  森永　雄司

IPC: H01L21/52

CPC classification number: H01L21/52 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/7525 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/753 ,  H01L2224/75314 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75704 ,  H01L2224/75754 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 基板と電子部品とが金属粒子ペーストを介して接合された構造を有する接合体を製造する接合体の製造方法であって、基板に金属粒子ペーストを介して電子部品を載置した組立体を形成する組立体形成工程と、２枚の加熱板の間に組立体を配置する組立体配置工程と、２枚の加熱板のうち少なくとも一方を他方に向けて移動させることにより、組立体を加圧しながら加熱して基板と電子部品とを接合する接合工程とを含み、２枚の加熱板により組立体の加圧を開始するときの組立体の温度が０℃～１５０℃の範囲内となる条件で接合工程を実施する接合体の製造方法。　本発明の接合体の製造方法によれば、加圧開始時の組立体の温度が０℃～１５０℃の範囲内となる条件で接合工程を実施することから、接合工程で、組立体を加圧する前に金属粒子ペーストが焼結反応を起こし難くなり、その結果、基板と電子部品とを従来よりも高い接合力で接合することが可能となる。

Abstract translation: 公开了一种用于制造具有通过金属颗粒糊粘合基板和电子部件的结构的接合体的粘合体的制造方法，该方法包括：组装成形步骤，用于形成组件，其中电子部件 放置在其上具有金属颗粒糊料的基板上; 一种用于在两个加热板之间布置组件的组装布置步骤; 以及接合步骤，用于通过将两个加热板中的至少一个朝向另一个移动来加压组件而将基板和电子部件接合在一起。 在该粘结体的制造方法中，在使用两个加热板开始组装加压时的组件的温度为0℃〜150℃的范围内进行接合工序。 根据该粘结体的制造方法，由于在起始加压时的组件的温度为0℃〜150℃的范围内进行接合工序，所以金属粒子糊不太可能 在接合步骤中对组件进行加压之前进行烧结反应，结果，可以以比以前更高的粘合力将基板和电子部件结合在一起。

公开(公告)号：WO2014103370A1

公开(公告)日：2014-07-03

申请号：PCT/JP2013/058409

申请日：2013-03-22

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 青木　慎

IPC: H05K3/34 ,  B23K1/08

CPC classification number: H05K3/3484 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/008 ,  B23K1/203 ,  B23K3/0638 ,  B23K2201/42 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/755 ,  H01L2224/75601 ,  H01L2224/75611 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75704 ,  H01L2224/75705 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75804 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/759 ,  H01L2224/75901 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81815 ,  H05K3/3447 ,  H05K13/0465 ,  H01L2924/014

Abstract: 　実施形態にかかる部品接合装置は、一例として、接合剤保持部と、基板保持部と、部品保持部と、第一の移動部と、第二の移動部と、備える。第二の移動部は、基板保持部および部品保持部のうち少なくともいずれか一方を動かして回路基板と部品との相対的な位置を変更可能である。第一の移動部が、第二の面の少なくとも貫通孔が開口された領域に接合剤を接触させる。接合剤が第二の面側に接触された状態で、第二の移動部が、第一の面側からピンを貫通孔に通す。ピンが貫通孔に通された状態で、第一の移動部が、第二の面から接合剤を離間させる。

Abstract translation: 根据本发明的实施例，部件接合装置设置有例如粘合剂保持部，基板保持部，部件保持部，第一移动部和第二移动部。 第二移动部能够通过移动基板保持部和/或部件保持部来改变电路基板和部件的相对位置。 第一移动部分使粘合剂与形成有通孔的至少第二表面区域接触。 在粘合剂与第二表面侧接触的状态下，第二移动部从第一表面侧将销插入贯通孔。 在销插入通孔的状态下，第一移动部分将粘合剂与第二表面分离。

公开(公告)号：WO2016096025A1

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：PCT/EP2014/078585

申请日：2014-12-18

Applicant: EV GROUP E. THALLNER GMBH

Inventor： FEHKÜHRER, Andreas

IPC: H01L21/98 ,  H01L21/18 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/68 ,  B32B37/10 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L24/80 ,  B32B37/0046 ,  B32B38/1841 ,  B32B38/1858 ,  B32B2309/105 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/187 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L24/08 ,  H01L24/74 ,  H01L24/75 ,  H01L24/94 ,  H01L24/95 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2224/0224 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/0382 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/0384 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75272 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75704 ,  H01L2224/75705 ,  H01L2224/75724 ,  H01L2224/75725 ,  H01L2224/75734 ,  H01L2224/75735 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/80003 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/8001 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/8002 ,  H01L2224/80047 ,  H01L2224/80051 ,  H01L2224/80093 ,  H01L2224/80099 ,  H01L2224/8013 ,  H01L2224/80132 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80209 ,  H01L2224/80213 ,  H01L2224/80801 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2221/68304

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden eines ersten Substrats (4) mit einem zweiten Substrat (4'), wobei das erste Substrat (4) und/oder das zweite Substrat (4') vor dem Bonden gedünnt ist/wird. Die Substrate (4, 4') können Wafer, Halbleitersubstrate, metallische Substrate, mineralische Substrate, insbesondere Saphirsubstrate, Glassubstrate oder Polymersubstrate sein. Das erste Substrat (4) und/oder das zweite Substrat (4') werden zum Dünnen und/oder Bonden auf einem auf einer Trägeroberfläche (3o, 3o') eines, insbesondere einen ringförmigen Rahmen (2) aufweisenden, Trägers (3, 3') fixiert. Das erste Substrat (4) und das zweite Substrat (4') werden vor dem Bonden an Hand von korrespondierenden Ausrichtungsmarkierungen der Substrate (4, 4') zueinander ausgerichtet und anschließend, insbesondere magnetisch, vorfixiert. Substratfixierungen weisen jeweils eine Substratfixierfläche (9) zur Fixierung jeweils eines Substrats (4, 4') und jeweils eine die Substratfixierfläche (9) umgebende Trägerfixierfläche (8) oder Trägerfixierbereich zur gegenseitigen Fixierung der Substratfixierungen auf, wobei insbesondere die Trägerfixierfläche (8) oder der Trägerfixierbereich magnetisiert oder magnetisierbar ist, oder alternativ die Substratfixierungen mittels eines Klebers, über Klemmen, über ein Stecksystem oder elektrostatisch miteinander fixierbar sind.

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于与第二衬底（4“），其中，所述第一基板（4）和/或所述第二衬底（4”）在接合之前薄化接合第一基底（4）/是。 基板（4，4“）的晶片，半导体衬底，金属基材，矿物基底，特别是蓝宝石基板，玻璃基板或聚合物基板可以是。 在第一基板（4）和/或第二基底（4“）是在支撑表面上的研磨和/或键合（10-30，10-30的”）的，特别是环形框架（2），其具有，载流子（3,3 “）固定。 在第一基板（4）和第二衬底（4“）（相当于基板4的对准标记的，4）在粘接之前手”彼此，然后，特别是磁性，预置对准。 基板注视各自具有Substratfixierfläche（9），用于在每种情况下固定在一个基板（4,4“），每一个所述Substratfixierfläche（9）周围Trägerfixierfläche（8）或Trägerfixierbereich用于基板注视相互固定，其中特别地Trägerfixierfläche（8）或 Trägerfixierbereich磁化或可磁化，或者可替换地，衬底注视通过粘合剂的方式固定在一起，通过端子，连接器系统或静电。

公开(公告)号：WO2016060274A1

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：PCT/JP2015/079446

申请日：2015-10-19

Applicant: ボンドテック株式会社

Inventor： 山内　朗

IPC: H01L21/02 ,  B23K20/00 ,  B23K20/16 ,  B23K20/24 ,  H01L21/68 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L24/83 ,  B23K20/023 ,  B23K20/233 ,  B23K20/24 ,  B23K37/0408 ,  B23K37/047 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/50 ,  H01L21/187 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67259 ,  H01L21/68 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68735 ,  H01L23/544 ,  H01L24/75 ,  H01L24/80 ,  H01L24/94 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75272 ,  H01L2224/75303 ,  H01L2224/75305 ,  H01L2224/757 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75704 ,  H01L2224/75705 ,  H01L2224/75724 ,  H01L2224/75725 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/759 ,  H01L2224/75901 ,  H01L2224/7592 ,  H01L2224/75981 ,  H01L2224/80012 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/8003 ,  H01L2224/80047 ,  H01L2224/8009 ,  H01L2224/8013 ,  H01L2224/80132 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80213 ,  H01L2224/80893 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/80908 ,  H01L2224/80986 ,  H01L2224/83009 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/83908 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/8001 ,  H01L2224/80009 ,  H01L2224/80121

Abstract: 【課題】基板どうしを接合する際に、基板どうしの間でのボイドの発生を防ぐとともに、ひずみを抑制して、高い位置精度で接合する。 【解決手段】第一の基板と第二の基板とを接合する方法であって、前記第一の基板及び前記第二の基板のそれぞれの接合面の表面に水又はＯＨ含有物質を付着させる親水化処理を行う工程と、前記第一の基板と前記第二の基板とを、前記接合面どうしを対向させて配置するとともに、前記第一の基板を、前記接合面の外周部に対して中央部が前記第二の基板側に突出するように撓ませる工程と、前記第一の基板の前記接合面と前記第二の基板の前記接合面とを、前記中央部どうしで突き合わせる工程と、前記中央部どうしが非接合状態を維持する圧力で突き合わせた状態で、前記第一の基板の外周部と前記第二の基板の外周部との距離を縮め、前記第一の基板の前記接合面と前記第二の基板の前記接合面とを全面で突き合わせる突き合わせ工程と、を備える基板どうしの接合方法。

Abstract translation: 为了将基板粘合在一起，防止在基板之间形成空隙，使应变最小化，并且以高位置精度进行接合。 [解决方案]一种将第一基板和第二基板结合在一起的方法，其中所述方法具有：进行亲水处理的步骤，其中使水或含OH物质粘附到各个键合物的表面 第一基板和第二基板的表面; 用于将所述第一基板和所述第二基板布置成使得所述接合表面彼此面对并且使所述第一基板偏转以使得所述中心部分相对于所述接合表面的外周部分朝向所述第二基板侧突出的步骤; 使第一基板的接合面和第二基板的接合面在中心部彼此抵接的步骤; 并且一旦使中心部分在非粘合状态的压力下彼此抵接，则使得第一基板的外周部分与第二基板的外周部分之间的距离减小的邻接步骤 并且使得第一基板的接合表面和第二基板的接合表面在整个表面上彼此邻接。

公开(公告)号：WO2013082970A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：PCT/CN2012/082169

申请日：2012-09-27

Applicant: 天水华天科技股份有限公司 ,  华天科技(西安)有限公司 ,  慕蔚 ,  李习周 ,  郭小伟

Inventor： 慕蔚 ,  李习周 ,  郭小伟

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/75 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/4848 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/49427 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/75704 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/48147

Abstract: 密节距小焊盘铜线键合双IC芯片堆叠封装件，包括塑封体，塑封体内设有引线框架载体和框架引线内引脚，引线框架载体的上面固接有第一IC芯片，第一IC芯片上堆叠有第二IC芯片，第一IC芯片和第二IC芯片的上表面分别设置多个焊盘，所述多个焊盘组成平行设置的两列焊盘组，分别为第一焊盘组和第二焊盘组，每个焊盘上植有金球，每个金球上接一第一铜键合球，第二IC芯片与第一IC芯片之间在对应的金球上拱丝拉弧形成第三铜键合线。本发明的制备工艺为减薄、划片、上芯、压焊、塑封、后固化、切筋、电镀、打印、成形分离和包装。本发明封装件与制备方法避免了焊盘上产生弹坑、相邻焊点短路和容易碰伤前一根线而造成的塑封冲线开路的隐患。