公开(公告)号：WO2016198968A1

公开(公告)日：2016-12-15

申请号：PCT/IB2016/052040

申请日：2016-04-11

Applicant: HARONIAN, Dan

Inventor： HARONIAN, Dan

IPC: H02N2/18 ,  G01N27/26 ,  G01N31/22 ,  G01N37/00 ,  H01L41/113

CPC classification number: G01N27/26 ,  B81B3/0064 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/03 ,  B81B2201/038 ,  G01N27/4145 ,  G01N31/22 ,  H01L41/1136 ,  H02N2/18

Abstract: The present invention discloses, inter alia, a micro-electromechanical device (MEMD) for sensing and for harvesting electrical energy responsive to being subjected to mechanical forces, comprising at least one first conductive element fixedly mounted on a first support, wherein the at least one first conductive element is chargeable with electrons; and at least one second conductive element inertia-mounted on a second support such that the first and second supports are electrically isolated from each other.

Abstract translation: 本发明尤其公开了一种微机电装置（MEMD），用于响应于受到机械力的感测和收获电能，包括固定地安装在第一支架上的至少一个第一导电元件，其中至少一个 第一导电元件可用电子充电; 以及至少一个第二导电元件，其惯性地安装在第二支撑件上，使得所述第一和第二支撑件彼此电隔离。

公开(公告)号：WO2016180262A1

公开(公告)日：2016-11-17

申请号：PCT/CN2016/081062

申请日：2016-05-05

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 胡永刚

IPC: H04R19/04

CPC classification number: H04R19/04 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  H04R7/06 ,  H04R7/18 ,  H04R19/005 ,  H04R2201/003

Abstract: 一种MEMS麦克风，包括：基底（100）、支撑部（200）、叠加层（600）、上极板（300）和下极板（400），所述基底（100）设有贯通中间的开口（120），所述下极板（400）跨设于所述基底（100）上方，所述支撑部（200）固定于所述下极板（400）上，所述上极板（300）贴于所述支撑部（200）上，所述支撑部（200）、所述上极板（300）和所述下极板（400）之间形成容腔（500），所述叠加层（600）贴于所述上极板（300）或下极板（400）的中间区域，所述上极板（300）和所述下极板（400）之间绝缘。

公开(公告)号：WO2015191664A1

公开(公告)日：2015-12-17

申请号：PCT/US2015/035013

申请日：2015-06-10

Applicant: AGILTRON, INC.

Inventor： WU, Shuyun (Steve) ,  ZHAO, Jing

IPC: G02B26/08

CPC classification number: G02B26/0833 ,  B81B3/0051 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0307 ,  B81B2203/0384 ,  B81B2203/058 ,  B81C1/00523 ,  G02B26/0841

Abstract: A micro-machined switchable optical mirror device with a fast response speed. The mirror device includes a substrate defining a gap space, and a mirror assembly disposed on the substrate and deflectable in the gap space, the mirror assembly including a free end cantilever and a reflector on the cantilever, wherein the cantilever is anchored on the substrate adjacent a side of the gap space through an elastic member. In one aspect, the mirror device further includes a stop spring at an end of the cantilever opposing the elastic member.

Abstract translation: 具有快速响应速度的微加工可切换光学镜装置。 反射镜装置包括限定间隙空间的基板和设置在基板上并可在间隙空间中偏转的反射镜组件，反射镜组件包括自由端悬臂和悬臂上的反射器，其中悬臂锚定在相邻的基板上 通过弹性构件的间隙空间的一侧。 在一个方面，镜装置还包括在悬臂的与弹性构件相对的端部处的止动弹簧。

公开(公告)号：WO2015153781A1

公开(公告)日：2015-10-08

申请号：PCT/US2015/023907

申请日：2015-04-01

Applicant: WISPRY, INC.

Inventor： MOLINERO-GILES, David ,  CUNNINGHAM, Shawn, J. ,  DEREUS, Dana

IPC: H01H59/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  B81B3/0086 ,  B81B2203/04 ,  H01H49/00 ,  H01H2059/0018 ,  H01H2059/0072

Abstract: The present subject matter relates to systems, devices, and methods for reducing surface dielectric charging in a RF MEMS actuator element. In particular, a micro-electro-mechanical systems (MEMS) can comprise a fixed electrode positioned on a substrate, a moveable electrode positioned substantially above the fixed electrode and separated from the fixed electrode by a gap, and at least one standoff bump positioned between the fixed electrode and the moveable electrode, wherein the at least one standoff bump extends into the gap. In this configuration, one or both of the fixed electrode or the moveable electrode can be patterned to define one or more hole that is substantially aligned with the one or more of the at least one standoff bump. The bump and the hole can both help to reduce the rate of surface dielectric charging and the total amount of charge generated.

Abstract translation: 本主题涉及用于减少RF MEMS致动器元件中的表面介电充电的系统，装置和方法。 特别地，微电子机械系统（MEMS）可以包括位于基板上的固定电极，基本上位于固定电极上方并通过间隙与固定电极分离的可移动电极，以及位于 所述固定电极和所述可移动电极，其中所述至少一个支座凸起延伸到所述间隙中。 在该配置中，固定电极或可移动电极中的一个或两个可以被图案化以限定一个或多个基本上与至少一个支座凸块中的一个或多个对准的孔。 凸起和孔可以帮助降低表面介电充电速率和产生的电荷总量。

公开(公告)号：WO2015092434A1

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：PCT/GB2014/053798

申请日：2014-12-19

Applicant: ISIS INNOVATION LIMITED

Inventor： WILSHAW, Peter ,  BONILLA OSORIO, Ruy Sebastian

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/02168 ,  B81B3/0086 ,  B81C1/00698 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/547

Abstract: Methods of manufacturing a substrate unit that achieve improved levels of efficiency and/or longevity are disclosed. The substrate units may be used for example in solar cells, semiconductor detectors or electrostatic actuators, sensors, harvesters or other electro-mechanical devices. Disclosed methods include the steps of generating, or redistributing into the bulk of the dielectric film, a region of net charge in the dielectric film while the dielectric film is at a temperature greater than 150°C.

Abstract translation: 公开了制造提高效率和/或寿命水平的基板单元的方法。 衬底单元可以用于例如太阳能电池，半导体检测器或静电致动器，传感器，收割机或其它机电装置中。 公开的方法包括以下步骤：在电介质膜处于大于150℃的温度下，在电介质膜中产生或重新分布到绝缘膜的大部分中的净电荷区域。

公开(公告)号：WO2014191361A1

公开(公告)日：2014-12-04

申请号：PCT/EP2014/060849

申请日：2014-05-26

Applicant: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.

Inventor： LANGE, Nicolas ,  WIPPERMANN, Frank

IPC: B81B3/00 ,  H02N1/00

CPC classification number: H02N1/006 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/038 ,  B81B2203/019 ,  B81B2203/04 ,  B81B2203/058

Abstract: Es wird ein elektrostatische Aktuator mit einer stationären Elektrode 14 und einem einseitig fest eingespannten Bieger 22' beschrieben, wobei der Bieger 22' eine Auslegerelektrode 29 umfasst, die der stationären Elektrode 14 in einem Überlappungsbereich gegenüberliegend angeordnet ist und in Richtung der stationären Elektrode 14 auslenkbar ist.

Abstract translation: 它被描述，其中，所述弯管机22'22，具有固定电极的静电致动器14和一个单方面夹紧弯曲机包括悬臂电极29，这是在重叠区域14相对布置在所述固定电极和偏转朝向固定电极14是 ，

公开(公告)号：WO2014181518A1

公开(公告)日：2014-11-13

申请号：PCT/JP2014/002298

申请日：2014-04-24

Applicant: 株式会社デンソー

Inventor： 吉岡　テツヲ ,  浅井　信哉 ,  西田　純也

IPC: G01P15/125 ,  B81B3/00 ,  B81C3/00 ,  G01P15/08 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81B3/0086 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/025 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2203/0136 ,  B81C3/001 ,  B81C2201/019 ,  G01L9/0073 ,  G01L9/12 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0814 ,  H01L29/84

Abstract: 　容量式物理量センサは、第１基板（１３、１４）と、絶縁膜（１２、５２）を介して前記第１基板と接合される第２基板（１１、５１）と、を備える。前記第２基板は、前記第１基板に形成された第１、第２支持部（３２、４２）における可動部（２０）側と反対側の端部と対向する部分にそれぞれ第１、第２溝部（１８ａ、１８ｂ）を有する。前記第１支持部（３２）における端部の一部は、前記第１溝部（１８ａ）上に突出し、前記第２支持部（４２）における端部の一部は、前記第２溝部（１８ｂ）上に突出する。

Abstract translation: 一种电容式物理体积传感器，包括经由绝缘膜（12,52）与第一基板接合的第一基板（13,14）和第二基板（11,51）。 第二基板在分别面对与形成在第一基板上的第一和第二支撑部分（32,42）的可移动部分（20）侧相对的端部的部分处具有第一和第二槽部分（18a，18b） 。 第一支撑部分（32）中的一些端部部分突出于第一槽部分（18a）的上方，并且第二支撑部分（42）中的一些端部部分在第二槽部分（18b）的上方突出。

公开(公告)号：WO2013111063A1

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：PCT/IB2013/050572

申请日：2013-01-23

Applicant: KONINKLIJKE PHILIPS N.V.

Inventor： DIRKSEN, Peter ,  MAUCZOK, Ruediger ,  KARAKAYA, Koray ,  KLOOTWIJK, Johan Hendrik ,  MARCELIS, Bout ,  MULDER, Marcel

IPC: B06B1/02

CPC classification number: B81B3/0086 ,  B06B1/0292 ,  B81B3/0027 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/00523 ,  H04R19/005 ,  H04R31/00 ,  H04R31/003

Abstract: The present invention relates to a method of manufacturing a capacitive micro- machined transducer (100), in particular a CMUT, the method comprising depositing a first electrode layer (10) on a substrate (1), depositing a first dielectric film (20) on the first electrode layer (10), depositing a sacrificial layer (30) on the first dielectric film (20), the sacrificial layer (30) being removable for forming a cavity (35) of the transducer, depositing a second dielectric film (40) on the sacrificial layer (30), depositing a second electrode layer (50) on the second dielectric film (40), and patterning at least one of the deposited layers and films (10, 20, 30, 40, 50), wherein the depositing steps are performed by Atomic Layer Deposition. The present invention further relates to a capacitive micro-machined transducer (100), in particular a CMUT, manufactured by such method.

Abstract translation: 本发明涉及一种制造电容式微机械传感器（100），特别是CMUT的方法，该方法包括在基片（1）上沉积第一电极层（10），沉积第一介电膜（20） 在所述第一电极层（10）上，在所述第一介电膜（20）上沉积牺牲层（30），所述牺牲层（30）可去除以形成所述换能器的空腔（35），沉积第二电介质膜 在所述牺牲层（30）上，在所述第二电介质膜（40）上沉积第二电极层（50），并且对所述沉积层和膜（10,20,30,40,50）中的至少一个进行构图， 其中沉积步骤通过原子层沉积进行。 本发明还涉及通过这种方法制造的电容式微加工的换能器（100），特别是CMUT。

公开(公告)号：WO2012034951A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：PCT/EP2011/065687

申请日：2011-09-09

Applicant: COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES ,  HENTZ, Sébastien ,  ANDREUCCI, Philippe ,  COLINET, Eric ,  DURAFFOURG, Laurent ,  LABARTHE, Sébastien

Inventor： HENTZ, Sébastien ,  ANDREUCCI, Philippe ,  COLINET, Eric ,  DURAFFOURG, Laurent ,  LABARTHE, Sébastien

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/24

CPC classification number: H02N2/18 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0109 ,  H02N2/22 ,  H03H9/02259 ,  H03H9/2405 ,  H03H2009/0244 ,  H03H2009/02496 ,  Y10T29/42

Abstract: Dispositif à poutre suspendue et moyens de détection piézorésistive du déplacement de celle-ci, et procédé de fabrication du dispositif. Le dispositif comprend: un support (14); une poutre suspendue (16), se déplaçant parallèlement au plan du support; et des moyens (18) de détection du déplacement, comprenant au moins deux jauges piézorésistives (20, 22) qui ne sont pas dans le prolongement l'une de l'autre. La poutre est suspendue par l'intermédiaire des moyens de détection. Selon l'invention, les deux jauges sont respectivement situées sur deux faces latérales opposées de la poutre.

Abstract translation: 该装置包括：支撑构件（14）; 悬挂梁（16），其平行于所述支撑构件的平面移动; 以及用于检测位移的装置（18），包括不彼此对准的至少两个压阻计（20,22）。 光束通过检测装置暂停。 根据本发明，两个测量仪位于梁的相应的两个相对的侧面上。

公开(公告)号：WO2010117615A3

公开(公告)日：2011-01-13

申请号：PCT/US2010028282

申请日：2010-03-23

Applicant: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC ,  BIEN DAVID E ,  MIJUSKOVIC DEJAN

Inventor： BIEN DAVID E ,  MIJUSKOVIC DEJAN

IPC: B81B7/02 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  G01C19/00 ,  G01N27/00 ,  G01P15/08 ,  G01R27/00

CPC classification number: G01C19/5776 ,  B81B3/0086

Abstract: A device (110) includes a sensing element (26) having drive nodes (34, 36) and sense nodes (42, 44). Parasitic capacitance (22) is present between drive node (34) and sense node (42). Likewise, parasitic capacitance (24) is present between drive node (36) and sense node (44). When a drive signal (56) is applied between drive nodes (34, 36), a parasitic current (70) between drive and sense nodes (34, 42) and a parasitic current (72) between drive and sense nodes (36,44) is created due to the parasitic capacitances (22, 24). A capacitive network (112) is coupled between the drive node (36) and the sense node (42) to create a correction current (134) through capacitive network (112) that cancels parasitic current (70). Likewise, a capacitive network (114) is coupled between the drive node (34) and the sense node (44) to create a correction current (138) through capacitive network (112) that cancels parasitic current (72).

Abstract translation: 设备（110）包括具有驱动节点（34,36）和感测节点（42,44）的感测元件（26）。 寄生电容（22）存在于驱动节点（34）和感测节点（42）之间。 类似地，寄生电容（24）存在于驱动节点（36）和感测节点（44）之间。 当驱动信号（56）施加在驱动节点（34,36）之间时，驱动和感测节点（34,42）之间的寄生电流（70）和驱动和感测节点（36,44）之间的寄生电流（72） ）由于寄生电容（22,24）而产生。 电容网络（112）耦合在驱动节点（36）和感测节点（42）之间，以通过消除寄生电流（70）的电容网络（112）产生校正电流（134）。 类似地，电容网络（114）耦合在驱动节点（34）和感测节点（44）之间，以通过消除寄生电流（72）的电容网络（112）产生校正电流（138）。