欠陥観察方法及び欠陥観察装置
    1.
    发明申请
    欠陥観察方法及び欠陥観察装置 审中-公开
    缺陷观察方法和缺陷观察装置

    公开(公告)号:WO2016088734A1

    公开(公告)日:2016-06-09

    申请号:PCT/JP2015/083688

    申请日:2015-12-01

    摘要:  本発明は、他の検査装置(107)で検出した試料(101)上の欠陥の位置情報を用いて試料上の欠陥を光学顕微鏡(105)で撮像した画像から欠陥を検出して欠陥の位置情報を修正し、修正した位置情報を用いて走査型電子顕微鏡SEM(106)で試料上の欠陥を詳細に観察する欠陥観察方法及び欠陥観察装置において、前記欠陥の位置情報を修正する際に、検出する欠陥に応じて光学顕微鏡(105)の検出光学系(210)の空間分布光学素子(205)を切り替え、切り替えた空間分布光学素子(205)の種類に応じて、光学顕微鏡(105)で欠陥の画像を取得する画像取得条件および当該画像から欠陥を検出する画像処理条件を変えるものである。 本発明によると、半導体デバイスの製造工程において半導体ウェハ上に発生した欠陥を高速かつ高検出率で観察できる。

    摘要翻译: 本发明提供了一种缺陷观察方法和缺陷观察装置,其通过使用由另一个检测到的样本上的缺陷的位置信息来检测由光学显微镜(105)捕获的样品(101)上的缺陷的图像的缺陷 检查装置(107),修改缺陷的位置信息,并利用扫描型电子显微镜SEM(106)使用修正的位置信息详细地观察样品上的缺陷。 当要修改缺陷的位置信息时,根据检测到的缺陷切换光学显微镜(105)的检测光学系统(210)的空间分布的光学元件(205)和图像捕获条件 通过光学显微镜(105)捕获缺陷的图像,并根据切换的空间分布式光学元件(205)的类型改变从图像检测到缺陷的图像处理条件, 。 根据本发明,可以以高检测速度快速地观察半导体器件的制造期间在半导体晶片中发生的缺陷。

    INSPECTION APPARATUS AND METHOD, LITHOGRAPHIC APPARATUS, LITHOGRAPHIC PROCESSING CELL AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
    2.
    发明申请
    INSPECTION APPARATUS AND METHOD, LITHOGRAPHIC APPARATUS, LITHOGRAPHIC PROCESSING CELL AND DEVICE MANUFACTURING METHOD 审中-公开
    检查装置和方法,光刻设备,光刻处理单元和器件制造方法

    公开(公告)号:WO2015000673A1

    公开(公告)日:2015-01-08

    申请号:PCT/EP2014/062338

    申请日:2014-06-13

    IPC分类号: G03F7/20 G01N21/956

    摘要: The present invention determines property of a target (30) on a substrate (W), such as a grating on a wafer. An inspection apparatus has an illumination source (702, 710) with two or more illumination beams (716, 716', 716", 716"') in the pupil plane of a high numerical aperture objective lens (L3). The substrate and target are illuminated via the objective lens from different angles of incidence with respect to the plane of the substrate. In the case of four illumination beams, a quad wedge optical device (QW) is used to separately redirect diffraction orders of radiation scattered from the substrate and separates diffraction orders from the two or more illumination beams. For example four 0 th diffraction orders are separated for four incident directions. After capture in multimode fibers (MF), spectrometers (S1- S4) are used to measure the intensity of the separately redirected 0 th diffraction orders as a function of wavelength. This may then be used in determining a property of a target.

    摘要翻译: 本发明确定了诸如晶片上的光栅的衬底(W)上的靶(30)的性质。 检查装置具有在高数值孔径物镜(L3)的光瞳平面中具有两个或更多个照明光束(716,716',716“,716”')的照明源(702,710)。 通过物镜相对于衬底的平面从不同的入射角度照射衬底和靶。 在四个照明光束的情况下,使用四楔形光学器件(QW)分别重新引导从衬底散射的辐射的衍射级,并将衍射级与两个或更多个照明光束分离。 例如,四个入射方向分开第四个第零衍射级。 在多模光纤(MF)中捕获之后,使用光谱仪(S1-4.4)测量作为波长的函数的单独重定向的第0衍射级的强度。 这可以用于确定目标的属性。

    検査装置、検査方法及びプログラム
    3.
    发明申请
    検査装置、検査方法及びプログラム 审中-公开
    检验设备,检验方法和程序

    公开(公告)号:WO2012043058A1

    公开(公告)日:2012-04-05

    申请号:PCT/JP2011/067598

    申请日:2011-08-01

    发明人: 田中 一正

    IPC分类号: G01N21/956 H01L21/66

    摘要:  空間フィルタの設定には、オペレータの目視によるスキャン画像の確認と空間フィルタの調整の繰り返し作業が必要とされる。また、設定状態がオペレータに依存する。散乱光の像(ビーム像)と回折光の像(フーリエ像)を同時に観察すると共に、散乱光の像(ビーム像)と回折光の像(フーリエ像)の各強度プロファイルを同時に監視する。1本の空間フィルタだけを回折光の像の視野範囲でスキャンし、空間フィルタを挿入しない場合の強度プロファイルに対する状態変化を検出する。検出された状態変化に基づいて空間フィルタの設定条件を決定する。

    摘要翻译: 当设置空间滤波器时,操作者必须重复执行扫描图像的视觉确认并调整所述空间滤波器。 设置状态也与操作者相关。 同时观察散射光图像(光束图像)和衍射光图像(傅里叶图像),散射光图像(光束图像)和衍射光图像(傅立叶图像)的强度分布也同时 监控。 在衍射光图像的视觉范围内扫描一个且仅一个空间滤波器,并且检测当未插入空间滤波器时的状态变化与强度分布。 基于检测到的状态变化来确定空间滤波器设定条件。

    欠陥検出方法及び欠陥検出装置並びにこれを備えた欠陥観察装置
    4.
    发明申请
    欠陥検出方法及び欠陥検出装置並びにこれを備えた欠陥観察装置 审中-公开
    缺陷检测方法和缺陷检测装置和缺陷检测装置

    公开(公告)号:WO2011061911A1

    公开(公告)日:2011-05-26

    申请号:PCT/JP2010/006653

    申请日:2010-11-12

    IPC分类号: G01N21/956

    摘要:  光学式欠陥検査装置または光学式外観検査装置で検出した欠陥を電子顕微鏡等で詳細に観察する装置において、観察対象の欠陥を確実に電子顕微鏡等の視野内に入れることができ、かつ装置規模を小さくできる装置を提供する。 光学式欠陥検査装置または光学式外観検査装置で検出した欠陥を観察する電子顕微鏡5において、欠陥を再検出する光学顕微鏡14を搭載し、この光学顕微鏡14で暗視野観察する際に瞳面に分布偏光素子及び空間フィルタを挿入する構成とする。光学式欠陥検査装置または光学式外観検査装置で検出した欠陥を観察する電子顕微鏡5において、欠陥を再検出する光学顕微鏡14を搭載し、この光学顕微鏡14で暗視野観察する際に瞳面に分布フィルタを挿入する構成とする。

    摘要翻译: 所公开的使用电子显微镜等精细观察由光学外观检查装置或光学缺陷检查装置检测到的缺陷的装置可以将观察到的缺陷可靠地插入电子显微镜领域或 喜欢,可以是一个规模较小的设备。 观察由光学外观检查装置或光学缺陷检查装置检测到的缺陷的电子显微镜(5)具有其中并入有重新检测缺陷的光学显微镜(14),以及空间滤波器和 当使用该光学显微镜(14)进行暗视场观察时,分布偏振元件插入瞳孔平面。 观察由光学外观检查装置或光学缺陷检查装置检测到的缺陷的电子显微镜(5)具有结合了重新检测缺陷的光学显微镜(14),并且插入分配滤波器 在使用该光学显微镜(14)进行暗视场观察时在瞳孔平面上。

    検査装置
    5.
    发明申请
    検査装置 审中-公开
    检查装置

    公开(公告)号:WO2009133849A1

    公开(公告)日:2009-11-05

    申请号:PCT/JP2009/058273

    申请日:2009-04-27

    发明人: 吉川 透

    摘要:  検査装置(1)において、CPU(43)は、DMD素子(31)(マイクロミラー)を一方向に向けて、フーリエ画像用撮像素子(33)で検出して得られる輝度情報に基づいてフーリエ画像における検査に適する部分を求め、検査に適する部分に対応するDMD素子(31)(マイクロミラー)を他方向に向ける制御を行い、検査用撮像素子(35)は、検査に適する部分に対応するDMD素子(31)(マイクロミラー)が他方向に向いた状態でウェハ(W)の表面の像を撮像するようになっている。

    摘要翻译: 提供了一种检查装置(1),其中CPU(43)在一个方向上引导DMD元件(31)(微镜),基于通过检测获得的亮度信息,确定适合于检查的傅里叶图像的部分 傅里叶图像成像元件(33),并且对应于适于检查的部分对应于另一个方向的DMD元件(31)(微镜)。 当与对应于检查的部分对应的DMD元件(微镜)朝向另一方向时,检查成像元件(35)对晶片(W)的表面进行成像。

    検査装置および検査方法
    6.
    发明申请
    検査装置および検査方法 审中-公开
    检查设备和检查方法

    公开(公告)号:WO2008001891A1

    公开(公告)日:2008-01-03

    申请号:PCT/JP2007/063126

    申请日:2007-06-29

    摘要:  大型化を伴うことなく、効率的に温度制御が可能な検査装置を実現する。  欠陥検査装置の構成部品のうち、温度制御すべき部品と、温度制御不要の部品とに区別し、温度制御すべき部品を一括して温度制御部品収容部604に収容し、温度制御不要の部品を放熱部605に配置する。温度制御部品収容部604の温度は、温度測定器603で測定され、それに基づいて、温調器601の制御CPU602が、温度制御部品収容部604内を一定温度に維持するように制御する。これにより、個々の部品を加熱又は冷却して、温度制御する場合に比較して、一定温度に維持することが容易であり、省エネルギー効果を得ることができる。

    摘要翻译: 提供了一种检查装置,其可以有效地进行温度控制,而不需要大尺寸的跟随。 缺陷检查装置的组成部分被分为待温度控制的部分和温度不受控制的部件,其目标部分总共被容纳在温度控制部件容纳单元(604)中,而非目标部分是 布置在辐射单元(605)中。 温度控制部容纳部(604)的温度由温度计(603)计量,温度调节器(601)的控制CPU(602)根据计量温度进行这样的控制以保持 温度控制部容纳部(604)的内部。 因此,与将各个部件加热或冷却进行温度控制的情况相比,容易保持恒温,从而提供节能效果。

    LASER PROJECTION WITH OBJECT FEATURE DETECTION
    7.
    发明申请
    LASER PROJECTION WITH OBJECT FEATURE DETECTION 审中-公开
    具有对象特征检测的激光投影

    公开(公告)号:WO2006104565A3

    公开(公告)日:2007-03-01

    申请号:PCT/US2006003707

    申请日:2006-02-01

    IPC分类号: G03B21/26

    摘要: A laser projection system scans an output laser light beam onto an object to detect features. A high-sensitivity optical feedback system receives and detects a feedback beam of the output beam light diffusely reflected from the object. The feedback light and projected output beam share the same beam path between beam-steering mirrors of the projector and the object. The laser projection system has light suppression components to control stray scattered light, including ambient light, from being detected. A computer of the laser projection system calculates fiducial points on the object from detected features to align the projection system with the object without using targets. This feature detection is used in a process to guide assembly and fabrication on or to the object, and to verify the accurate placement of parts and fabrication steps in place after they are assembled or processed. In one form, the detected feature is a light spot on the object produced by a second light source.

    摘要翻译: 激光投影系统将输出激光束扫描到物体上以检测特征。 高灵敏度的光学反馈系统接收并检测从物体漫反射的输出光束的反射光束。 反射光和投影输出光束在投影仪的光束 - 转向镜与物体之间共享相同的光束路径。 激光投影系统具有抑制被检测的散射光(包括环境光)的光抑制元件。 激光投影系统的计算机根据检测到的特征来计算物体上的基准点,使投影系统与物体对准,而不使用目标。 该特征检测用于在物体上引导组装和制造的过程,并且在组装或处理之后验证零件和制造步骤的准确位置。 在一种形式中,检测到的特征是由第二光源产生的物体上的光点。

    SYSTEM FOR DETECTION OF WAFER DEFECTS
    8.
    发明申请
    SYSTEM FOR DETECTION OF WAFER DEFECTS 审中-公开
    用于检测缺陷的系统

    公开(公告)号:WO2004063698A2

    公开(公告)日:2004-07-29

    申请号:PCT/IL2004/000023

    申请日:2004-01-11

    IPC分类号: G01N

    摘要: Fast on-line electro-optical detection of wafer defects by illuminating with a short light pulse from a repetitively pulsed laser, a section of the wafer while it is moved across the field of view of an imaging system, and imaging the moving wafer onto a focal plane assembly, optically forming a continuous surface of photo-detectors at the focal plane of the optical imaging system. The continuously moving wafer is illuminated by a laser pulse of duration significantly shorter than the pixel dwell time, such that there is effectively no image smear during the wafer motion. The laser pulse has sufficient energy and brightness to impart the necessary illumination to each sequentially inspected field of view required for creating an image of the inspected wafer die. A novel fiber optical illumination delivery system, which is effective in reducing the effects of source coherence is described. Other novel aspects of the system include a system for compensating for variations in the pulse energy of a Q-switched laser output, methods for autofocussing of the wafer imaging system, and novel methods for removal of repetitive features of the image by means of Fourier plane filtering, to enable easier detection of wafer defects.

    摘要翻译: 通过用来自重复脉冲激光器的短光脉冲照射晶片缺陷的快速在线电光检测,晶片的一部分在成像系统的视场内移动,并将移动的晶片成像到 焦平面组件,在光学成像系统的焦平面处光学地形成光电检测器的连续表面。 持续移动的晶片被持续时间明显短于像素停留时间的激光脉冲照亮,使得在晶片运动期间实际上没有图像污迹。 激光脉冲具有足够的能量和亮度,以对于产生被检查的晶片管芯的图像所需的每个顺序检查的视场赋予必要的照明。 描述了一种有效减少源相干效应的新型光纤照明传输系统。 该系统的其他新颖的方面包括用于补偿Q开关激光输出的脉冲能量变化的系统,用于晶片成像系统的自动聚焦的方法,以及通过傅立叶平面去除图像的重复特征的新颖方法 过滤,以便更容易地检测晶片缺陷。

    METHOD FOR GENERATING HIGH-CONTRAST IMAGES OF SEMICONDUCTOR SITES VIA ONE-PHOTON OPTICAL BEAMINDUCED CURRENT IMAGING AND CONFOCAL REFLECTANCE MICROSCOPY
    9.
    发明申请
    METHOD FOR GENERATING HIGH-CONTRAST IMAGES OF SEMICONDUCTOR SITES VIA ONE-PHOTON OPTICAL BEAMINDUCED CURRENT IMAGING AND CONFOCAL REFLECTANCE MICROSCOPY 审中-公开
    通过一光子光束束流成像和共焦反射显微镜生成半导体场地的高对比度图像的方法

    公开(公告)号:WO2004008164A1

    公开(公告)日:2004-01-22

    申请号:PCT/PH2002/000013

    申请日:2002-07-09

    IPC分类号: G01R31/308

    摘要: A method is disclosed that permits the generation of exclusive high-contrast images of semiconductor sites in an integrated circuit sample (19). It utilizes the one-photon optical beam-induced current (1P-OBIC) image and confocal reflectance image of the sample that are generated simultaneously from one and the same excitation (probe) light beam that is focused on the sample (19). A 1P-OBIC image is a two-dimensional map of the currents induced by the beam as it is scanned across the circuit surface. 1P-OBIC is produced by an illuminated semiconductor material if the excitation photon energy exceeds the bandgap. The 1P-OBIC image has no vertical resolution because 1P-OBIC is linear with the excitation beam intensity. The exclusive high-contrast image of semiconductor sites is generated by the product of the 1P-OBIC image and the confocal image. High-contrast image of the metal sites are also obtained by the product of the complementary OBIC image and the same confocal image.

    摘要翻译: 公开了一种允许在集成电路样本(19)中产生半导体位置的专用高对比度图像的方法。 它利用从聚焦在样品(19)上的同一激发(探针)光束同时产生的样品的单光子光束感应电流(1P-OBIC)图像和共聚焦反射图像。 1P-OBIC图像是当横跨电路表面扫描时由光束引起的电流的二维图。 如果激发光子能量超过带隙,1P-OBIC由照明半导体材料制成。 1P-OBIC图像没有垂直分辨率,因为1P-OBIC与激发光束强度呈线性关系。 通过1P-OBIC图像和共焦图像的乘积产生半导体位置的独特高对比度图像。 通过互补OBIC图像和相同共聚焦图像的乘积也可获得金属部位的高对比度图像。

    SCANNING SYSTEM FOR INSPECTING ANOMALIES ON SURFACES
    10.
    发明申请
    SCANNING SYSTEM FOR INSPECTING ANOMALIES ON SURFACES 审中-公开
    用于检查表面异常的扫描系统

    公开(公告)号:WO1996018093A1

    公开(公告)日:1996-06-13

    申请号:PCT/US1995016172

    申请日:1995-12-08

    IPC分类号: G01N21/00

    摘要: A high sensitivity and high throughput surface inspection system directs a focused beam of light (38) at a grazing angle towards the surface to be inspected (40). Relative motion is caused between the beam (38) and the surface (40) so that the beam (38) scans a scan path covering substantially the entire surface and light scattered along the path is collected for detecting anomalies. The scan path comprises a plurality of arrays of straight scan path segments. The focused beam of light (38) illuminates an area of the surface between 5-15 microns in width and this system is capable of inspecting in excess of about 40 wafers per hour for 150 millimeter diameter wafers (6-inch wafers), in excess of about 20 wafers per hour for 200 millimeter diameter wafers (8-inch wafers) and in excess of about 10 wafers per hour for 300 millimeter diameter wafers (12-inch wafers).

    摘要翻译: 高灵敏度和高通量的表面检查系统将聚焦光束(38)以掠射角度朝向要检查的表面(40)引导。 在光束(38)和表面(40)之间产生相对运动,使得光束(38)扫描覆盖基本上整个表面的扫描路径,并且收集沿着路径散射的光以检测异常。 扫描路径包括多个直扫描路径段阵列。 聚焦光束(38)照亮了宽度为5-15微米之间的表面区域,该系统能够超过150毫米直径的晶片(6英寸晶圆)超过约40个晶片,过量 对于200毫米直径的晶片(8英寸晶圆),每小时约20个晶片,对于300毫米直径的晶片(12英寸晶圆),每小时超过约10个晶片。