公开(公告)号：WO2012081167A1

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：PCT/JP2011/006416

申请日：2011-11-18

申请人： 日立オートモティブシステムズ株式会社 ,  坂本 英次 ,  藤原 伸一 ,  横塚 剛秀 ,  内山 薫 ,  山下 志郎 ,  諏訪 時人 ,  浅野 雅彦

发明人： 坂本　英次 ,  藤原　伸一 ,  横塚　剛秀 ,  内山　薫 ,  山下　志郎 ,  諏訪　時人 ,  浅野　雅彦

IPC分类号： H01L21/52 ,  H01L23/40

CPC分类号： H01L24/29 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/27622 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29012 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29076 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29223 ,  H01L2224/29224 ,  H01L2224/29239 ,  H01L2224/29244 ,  H01L2224/29247 ,  H01L2224/29255 ,  H01L2224/2926 ,  H01L2224/29266 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 　第１の基板１と接合する第２の基板４の一部が湾曲していても接合部の厚さを制御でき、高信頼な半導体装置を提供することを目的とする。　本発明では、第１及び第２の基板を接合する接合材は、多孔質金属とはんだで構成し、この多孔質金属は、周辺部では厚さ方向の両端まで存在して両基板間の間隔を調整するとともに、中心部では、厚さ方向全般にわたっては存在せず、基板の湾曲による設計誤差を中心部のはんだで吸収できるようにした。

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种高度可靠的半导体器件，即使与第一衬底（1）接合的第二衬底（4）的一部分被弯曲，也可以控制接合部分的厚度。 本发明的接合材料由多孔金属和焊料构成，所述接合材料将第一和第二基板彼此接合。 在周边部分中，多孔金属在厚度方向的两端设置，并且调节两个基板之间的间隔，并且在中心部分中，多孔金属不是设置在厚度方向上的整个部分，因此 通过中心部分的焊料吸收由于基板弯曲引起的设计误差。

公开(公告)号：WO2018042890A1

公开(公告)日：2018-03-08

申请号：PCT/JP2017/025213

申请日：2017-07-11

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 谷垣　剛司

IPC分类号： B23K35/14 ,  B23K20/00 ,  B23K35/26 ,  C22C13/00 ,  H05K3/34 ,  H01L21/52

CPC分类号： B23K20/00 ,  B23K35/26 ,  C22C13/00 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29239 ,  H01L2224/29247 ,  H01L2224/29255 ,  H01L2224/2926 ,  H01L2224/29266 ,  H01L2224/29395 ,  H01L2224/29582 ,  H01L2224/296 ,  H01L2224/297 ,  H01L2224/29818 ,  H01L2224/29824 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83815 ,  H05K3/34 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

摘要： 空孔２が体積比率で６５％以上、９０％以下で設けられた多孔質金属体３と、Ｓｎを主成分とし、多孔質金属体３を被覆する低融点金属１とを備える接合体５０を用いて形成された多孔質金属体３に基づく多孔質金属３０をネットワークとし、多孔質金属３０のネットワークの間を、多孔質金属体３の一部と低融点金属１とで形成された金属間化合物１０で埋められた接合層により、半導体素子１１を絶縁基板１４に接合することで、多孔質金属のネットワークによりクラック発生を抑制する。

摘要翻译：

孔2为65％或更多的体积比，并且所述多孔金属体3提供90％或更小，其主要成分的Sn，低熔点金属涂覆所述多孔金属主体3 如图1所示，使用基于使用接合体50而形成的多孔金属体3的多孔金属30作为网络，并且多孔金属体3的一部分和低熔点金属 如图1所示，通过填充金属间化合物10的接合层将半导体元件11接合到绝缘基板14，由此通过多孔金属网络抑制了裂纹的发生。