公开(公告)号：WO2017052648A1

公开(公告)日：2017-03-30

申请号：PCT/US2015/052463

申请日：2015-09-25

申请人： INTEL CORPORATION

发明人： KAMGAING, Telesphor ,  ADEL, Elsherbini ,  COHEN, Emanuel

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L23/66 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/16 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2223/6683 ,  H01L2223/6688 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/19105

摘要： A microelectronic package is described with a wireless interconnect for chip-to-chip communication. In one example, the package includes an integrated circuit chip, a package substrate to carry the integrated circuit chip, the package substrate having conductive connectors to connect the integrated circuit chip to external components, a radio coupled to the integrated circuit chip to receive data from the integrated circuit chip and modulate the data onto a radio frequency carrier, and an antenna on the package substrate coupled to the radio to send the modulated data over the carrier to an external device.

摘要翻译： 使用无线互连来描述微电子封装，用于芯片到芯片通信。 在一个示例中，封装包括集成电路芯片，用于承载集成电路芯片的封装衬底，封装衬底具有用于将集成电路芯片连接到外部组件的导电连接器，耦合到集成电路芯片的无线电接收数据， 集成电路芯片并将数据调制到射频载波上，以及耦合到无线电装置的封装衬底上的天线，以将载波上的调制数据发送到外部设备。

公开(公告)号：WO2016180849A1

公开(公告)日：2016-11-17

申请号：PCT/EP2016/060493

申请日：2016-05-11

申请人： RFHIC CORPORATION

发明人： FRANCIS, Daniel

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/7624 ,  H01L23/3732 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L24/98 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/29193 ,  H01L2224/83052 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83224 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10323 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10344

摘要： A method of fabricating a semiconductor-on-diamond composite substrate, the method comprising: (i) starting with a native semiconductor wafer comprising a native silicon carbidesubstrate on which a compound semiconductor is disposed; (ii) bonding a silicon carbide carrier substrate to the compound semiconductor; (iii) removing the native silicon carbide substrate; (iv) forming a nucleation layer over the compound semiconductor; (v) growing polycrystalline chemical vapour deposited (CVD) diamond on the nucleation layer to form a composite diamond-compound semiconductor-silicon carbide wafer, and (vi) removing the silicon carbide carrier substrate y laser lift-off to achieve a layered structure comprising the compound semiconductor bonded to the polycrystalline CVD diamond via the nucleation layer, wherein in step (ii) the silicon carbide carrier substrate is bonded to the compound semiconductor via a laser absorption material which absorbs laser light, wherein the laser has a coherence length shorter than a thickness of the silicon carbide carrier substrate.

摘要翻译： 一种制造金刚石半导体复合衬底的方法，所述方法包括：（i）从其上配置有化合物半导体的天然硅碳化硅衬底的天然半导体晶片开始; （ii）将碳化硅载体衬底结合到化合物半导体; （iii）去除天然碳化硅衬底; （iv）在化合物半导体上形成成核层; （v）在成核层上生长多晶化学气相沉积（CVD）金刚石以形成复合金刚石 - 化合物半导体 - 碳化硅晶片，和（vi）去除碳化硅载体衬底y激光剥离以实现分层结构，包括 通过成核层与多晶CVD金刚石结合的化合物半导体，其中在步骤（ii）中，碳化硅载体衬底通过吸收激光的激光吸收材料与化合物半导体结合，其中激光的相干长度短于 碳化硅载体基板的厚度。

公开(公告)号：WO2016136457A1

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：PCT/JP2016/053779

申请日：2016-02-09

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 藤野　純司 ,  小川　翔平 ,  坂元　創一

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L23/051 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/3672 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/40496 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3512

摘要： 　外部端子部品と接続する接続材がアルミ製であっても高温動作が可能で、信頼性が向上するパワーモジュールを得ることを目的とする。　本発明のパワーモジュール（１００）は、回路基板（基板（２））に搭載されたパワー半導体素子（１）と、素子１の表面主電極（電極（１４ｅ））に接続されたアダプタ（１０）を備え、アダプタ（１０）は、素子（１）の表面主電極（電極（１４ｅ））に接続された主電極配線部材（３１）を備え、主電極配線部材（３１）は、素子（１）の表面主電極（電極（１４ｅ））に接続された素子接続部（３１１）と、素子接続部（３１１）の外側に配置されると共に回路基板（基板（２））に接続された基板接続部（３１２）と、素子接続部（３１１）の外側に配置されると共に外部電極に接続材（ワイヤ（７））を介して接続する接続材接続部（ワイヤ接続部（３１３））を備える。

摘要翻译： 本发明的目的是实现即使要连接到外部端子部件的连接材料由铝形成并且具有提高的可靠性，也能够在高温下工作的功率模块。 根据本发明的功率模块（100）具有：安装在电路板（基板（2））上的功率半导体元件（1）; 以及连接到元件（1）的表面主电极（电极（14e））的适配器（10）。 适配器（10）设置有与元件（1）的表面主电极（14e）连接的主电极配线部件（31）。 主电极配线构件（31）具有与元件（1）的表面主电极（14e）连接的元件连接部（311）。 在连接到电路板（基板）的同时，配置在元件连接部311的外侧的基板连接部312）。 以及连接材料连接部（电线连接部，313），其经由连接材料（线（7））与外部电极连接而配置在元件连接部（311）的外侧。

公开(公告)号：WO2016098431A1

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：PCT/JP2015/078874

申请日：2015-10-13

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 曽田　真之介 ,  大本　洋平 ,  林　功明 ,  塚本　晋士 ,  畑中　康道

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3672 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L25/072 ,  H01L25/115 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32155 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14252 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

摘要： 　冷熱サイクルが加わることにより繰り返し加わる熱応力に強く信頼性の高い絶縁回路基板、ならびに当該絶縁回路基板を含むパワーモジュールおよびパワーユニットを提供する。絶縁回路基板（１００）は、絶縁基板（１）と、第１の電極（２ａ）と、第２の電極（２ｂ）とを備えている。第１の電極（２ａ）は絶縁基板（１）の一方の主表面上に形成され、平面形状が多角形状である。第２の電極（２ｂ）は絶縁基板（１）の一方の主表面と反対側の他方の主表面上に形成され、平面形状が多角形状である。第１および第２の電極（２ａ，２ｂ）の少なくともいずれかの平面視における頂点（４）から外縁（５）に沿う方向に関して外縁（５）の長さの一部分を占める領域である角部に薄肉部（３）が形成され、薄肉部（３）は、薄肉部（３）以外の領域よりも厚みが薄い。

摘要翻译： 提供：绝缘电路板，​​由于施加冷却/加热循环而耐受重复施加的热应力，并且具有高可靠性; 以及包括绝缘电路板的功率模块和功率单元。 绝缘电路板（100）设置有绝缘基板（1），第一电极（2a）和第二电极（2b）。 第一电极（2a）形成在绝缘基板（1）的一个主表面上，并具有多边形的平面形状。 第二电极（2b）形成在与绝缘基板（1）的一个主表面相对的另一个主表面上，并且具有多边形形状的平面形状。 薄壁部（3）形成在从顶点（4）沿着外缘（5）的方向沿着外缘（5）的方向成为外缘（5）的长度的一部分的角部， 所述第一和第二电极（2a，2b）中的至少任一个以及所述薄部（3）的厚度比所述薄部（3）以外的区域厚。

公开(公告)号：WO2016084768A1

公开(公告)日：2016-06-02

申请号：PCT/JP2015/082846

申请日：2015-11-24

申请人： 国立研究開発法人産業技術総合研究所

发明人： 原　史朗 ,  クンプアン　ソマワン ,  居村　史人 ,  井上　道弘 ,  猿渡　新水

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/28

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4871 ,  H01L21/563 ,  H01L23/12 ,  H01L23/295 ,  H01L23/296 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/214 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/35121

摘要： 　熱ストレスによる故障が起こりにくい半導体チップの表面実装型パッケージを提供することを課題とする。解決手段として、少なくとも下記工程をこの順で有する、半導体チップ表面に平行な面の断面が円形である表面実装型パッケージの製造方法を提供する。　円形の支持基板上に半導体チップを接合する第一工程。　半導体チップを樹脂で封止する第二工程。　半導体チップのパッドを覆う樹脂を除去する第三工程。　再配線層を形成する第四工程。　バンプを形成する第五工程。

摘要翻译： 本发明解决了提供一种半导体芯片表面安装封装的问题，其中不太可能发生由热应力引起的击穿。 作为解决方案，提供了表面安装封装的制造方法，其表面平行于半导体芯片表面的表面的形状为圆形，该制造方法至少具有以下步骤。 将半导体芯片接合到圆形支撑基板上的第一步骤。 用树脂密封半导体芯片的第二步骤。 用于去除覆盖半导体芯片的焊盘的树脂的第三步骤。 用于形成再布线层的第四步骤。 形成凸块的第五步。

公开(公告)号：WO2016033522A1

公开(公告)日：2016-03-03

申请号：PCT/US2015/047531

申请日：2015-08-28

申请人： MATERION CORPORATION

发明人： KOBA, Richard J. ,  FRAIVILLIG, James

IPC分类号： B32B7/12 ,  B32B27/20 ,  B32B27/28 ,  C09J7/02 ,  C09J9/02 ,  C09J179/08 ,  H01B1/22 ,  H05K3/32 ,  C08K3/08

CPC分类号： B32B37/144 ,  B29C65/02 ,  B29C66/45 ,  B29C66/712 ,  B29C66/73112 ,  B29C66/7392 ,  B29K2079/085 ,  B32B7/02 ,  B32B7/12 ,  B32B9/005 ,  B32B9/045 ,  B32B15/08 ,  B32B15/20 ,  B32B27/06 ,  B32B27/18 ,  B32B27/20 ,  B32B27/281 ,  B32B37/1284 ,  B32B37/16 ,  B32B2037/1253 ,  B32B2038/0076 ,  B32B2255/10 ,  B32B2255/20 ,  B32B2255/205 ,  B32B2262/103 ,  B32B2262/106 ,  B32B2264/105 ,  B32B2264/108 ,  B32B2307/202 ,  B32B2307/302 ,  B32B2309/02 ,  B32B2309/105 ,  B32B2379/08 ,  B32B2457/00 ,  B32B2457/08 ,  C08K3/04 ,  C08K3/08 ,  C08K2003/0806 ,  C08K2003/0831 ,  C08K2003/085 ,  C08K2201/001 ,  C09J7/22 ,  C09J7/28 ,  C09J7/29 ,  C09J7/35 ,  C09J9/02 ,  C09J2201/602 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  C09J2205/106 ,  C09J2400/163 ,  C09J2479/08 ,  C09J2479/086 ,  C09K5/14 ,  H01B1/22 ,  H01L21/50 ,  H01L23/10 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2711 ,  H01L2224/2712 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29164 ,  H01L2224/29193 ,  H01L2224/29247 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29363 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8346 ,  H01L2224/83487 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H05K3/0061 ,  H05K2201/0129 ,  H05K2201/0154 ,  H05K2201/0215 ,  C08L79/08 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/01004

摘要： A bond film includes a thermoplastic polyimide adhesive that contains particles which are thermally conductive and electrically conductive particles. A conductive foil layer may be placed between two layers of adhesive to form the bond foil. This bond film has a low curing temperature which reduces CTE mismatch between different substrates and therefore allows direct bonding of substrates that have high coefficient of thermal expansion mismatch. The low curing temperature also allows for reduced processing costs. The conductive bond film does not degrade at high temperatures, allowing for service temperatures up to 350°C and thermal excursions up to 450°C.

摘要翻译： 接合膜包括含有导热性和导电性颗粒的热塑性聚酰亚胺粘合剂。 导电箔层可以放置在两层粘合剂之间以形成接合箔。 该粘合膜具有低的固化温度，这降低了不同基材之间的CTE失配，因此允许直接粘合具有高热膨胀系数不匹配的基材。 低固化温度也可降低加工成本。 导电粘合膜在高温下不会降解，使用温度高达350°C，热偏移达450°C。

公开(公告)号：WO2016024387A1

公开(公告)日：2016-02-18

申请号：PCT/JP2015/003837

申请日：2015-07-30

申请人： パナソニックIPマネジメント株式会社

发明人： 井腰　文智 ,  引田　正洋 ,  松永　啓一 ,  佐藤　高広 ,  柳原　学

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/338 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L23/3171 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/564 ,  H01L24/05 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/417 ,  H01L29/812 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05014 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/00

摘要： 　基板（１０１）と、半導体層（１０２）と、第１の保護膜（１０３）と、第１保護膜（１０３）上に形成される第１の密着層（１０４）と、第１の保護膜（１０３）上に形成された電極パッド（１０５）と、電極パッド（１０５）及び第１の密着層（１０４）とを覆うように形成された第２の保護膜（１０６）と、電極パッド（１０５）が露出するように、第２の保護膜（１０６）の一部が開口された第１の開口部（１０７）とを備え、第１の密着層（１０４）は、平面視したときに電極パッド（１０５）の周囲を囲むように電極パッド（１０５）から水平方向に突出し、電極パッド（１０５）と、第１の密着層（１０４）の電極パッド（１０５）から水平方向に突出した部分の上面及び側面と、第１の保護膜（１０３）とは、連続して第２の保護膜（１０６）に覆われている。

摘要翻译： 该半导体器件包括：衬底（101），半导体层（102），第一保护膜（103），形成在所述第一保护膜（103）上方的第一接触层（104），形成在上面的电极焊盘 第一保护膜（103），形成为覆盖电极焊盘（105）和第一接触层（104）的第二保护膜（106）以及形成在第二保护膜中的第一开口（107） （106），以便露出电极焊盘（105）。 第一接触层（104）从电极焊盘（105）水平突出，以便在平面图中包围电极焊盘（105）。 第二保护膜（106）连续地覆盖电极焊盘（105），从电极焊盘（105）水平突出的第一接触层（104）的部分的顶表面和侧表面，以及第一保护膜 ）。

公开(公告)号：WO2015111691A1

公开(公告)日：2015-07-30

申请号：PCT/JP2015/051812

申请日：2015-01-23

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 藤野　純司 ,  米田　裕 ,  小川　翔平 ,  坂元　創一 ,  石原　三紀夫 ,  永井　美帆

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L23/48 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L24/45 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49537 ,  H01L24/36 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/48 ,  H01L24/72 ,  H01L24/81 ,  H01L25/07 ,  H01L25/162 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40139 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84205 ,  H01L2224/84214 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85214 ,  H01L2224/85232 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

摘要： 　電極端子６２は、主電極に接合される第一引出部６２１と、主電極と間隔をあけて対向配置される一端部から外部回路と接続される他端部まで連なるように、板材で形成され、一端部の主電極への対向面６２２ｆに、第一引出部６２１の主電極に接合される部分の隣接部が接合された第二引出部６２２とを備え、第一引出部６２１は、主電極に接合される部分が対向面６２２ｆから離れるように形成され、第二引出部６２２には、主電極に対応した開口部６２２ａが形成されている。

摘要翻译： 一种电极端子（62），其具有：接合到主电极的第一引出部分（621） 以及第二引出部分（622），其从板形成，以便从设置成面对主电极的一个端部跨越与外部电路连接的另一端部分的间隙连接， 在与第二引出部分622的一个端部处接合到与主电极对置的表面（622f）接合的与主电极接合的部分相邻的外部部分（621）。 第一引出部621形成为使与主电极接合的部分与对置面622d分离，在第二引出部形成与主电极对应的开口622a 部分（622）。

公开(公告)号：WO2015104285A1

公开(公告)日：2015-07-16

申请号：PCT/EP2015/050157

申请日：2015-01-07

申请人： SAGEM DEFENSE SECURITE

发明人： RIOU, Jean-Christophe

IPC分类号： H05K7/20 ,  H01L23/44

CPC分类号： H01L23/44 ,  B81B7/0093 ,  B81B2201/01 ,  H01L23/06 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49568 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/074 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/19107 ,  H05K7/20236 ,  H05K7/20927 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

摘要： Dispositif électronique comportant au moins un composant électronique monté sur un support et entouré d'une enveloppe déformable contenant un liquide thermiquement conducteur et électriquement isolant, le dispositif comportant une plaque de dissipation thermique qui est sensiblement parallèle au support et espacée de celui-ci, et des moyens d'échange thermique par conduction entre l'enveloppe et la plaque, le liquide thermiquement conducteur et électriquement isolant étant choisi et l'enveloppe étant agencée pour qu'une dilatation thermique de l'huile entraîne un effort d'application de l'enveloppe contre les moyens d'échange thermique par conduction.

摘要翻译： 本发明涉及一种电子设备，其包括至少一个电子部件，该电子部件安装在支撑件上并被包含导热和电绝缘液体的可变形外壳围绕，所述装置包括散热板，该散热板基本上平行于支撑件并且距离 以及用于通过外壳和板之间的传导进行热传递的装置，所选择的导热和电绝缘液体，并且外壳被布置成使得油的热膨胀产生将外壳压靠在热交换装置上的力 通过传导。

公开(公告)号：WO2015053219A1

公开(公告)日：2015-04-16

申请号：PCT/JP2014/076690

申请日：2014-10-06

申请人： ローム株式会社

发明人： 吉原　克彦 ,  濟藤　匡男

IPC分类号： H01L23/14 ,  H01L23/12 ,  H01L23/36 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L23/4924 ,  H01L21/4871 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49506 ,  H01L23/49531 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L25/07 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/0503 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/05342 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/069 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 　パワーモジュール（２０）は、絶縁層（１２）と、絶縁層（１２）上に配置された第１金属板（３）と、第１金属板（３）上に配置された第１半導体デバイス（１）と、第１金属板（３）上に配置された第１接着絶縁層（１０）および第２接着絶縁層（１１）と、第１接着絶縁層（１０）上に配置された第１主電極配線用ランド（５）と、第２接着絶縁層（１１）上に配置された第１信号配線用ランド（７ 1 ・７ 2 ）とを備える。コストが低減可能で、基板全体の反りが低減され、品質が安定化され信頼性の向上したパワーモジュールおよびその製造方法を提供することができる。

摘要翻译： 功率模块（20）设置有：绝缘层（12）; 设置在绝缘层（12）上的第一金属板（3）; 设置在第一金属板（3）上的第一半导体器件（1）; 第一粘合绝缘层（10）和设置在第一金属板（3）上的第二粘合绝缘层（11）; 设置在所述第一粘合绝缘层（10）上的第一主电极焊盘（5）; 以及设置在第二粘合绝缘层（11）上的第一信号线焊盘（71,72）。 可以提供能够降低成本，降低整个基板的翘曲，稳定质量并提高可靠性的功率模块。 也可以提供一种用于制造所述功率模块的方法。