公开(公告)号：WO2018141621A2

公开(公告)日：2018-08-09

申请号：PCT/EP2018/051816

申请日：2018-01-25

Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

Inventor： KASPAR, Michael ,  KRIEGEL, Kai ,  STEGMEIER, Stefan

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L23/467 ,  H01L23/473 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  H01L25/07 ,  H01L25/11

CPC classification number: H01L24/29 ,  H01L23/051 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/467 ,  H01L23/473 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/5385 ,  H01L24/05 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L24/96 ,  H01L25/072 ,  H01L25/074 ,  H01L25/117 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/26165 ,  H01L2224/29006 ,  H01L2224/292 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/29239 ,  H01L2224/29244 ,  H01L2224/29247 ,  H01L2224/29255 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29395 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32235 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/831 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/839 ,  H01L2224/8392 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029

Abstract: Das Leistungsmodul weist mindestens ein elektrisches Bauteil mit einer Kontaktfläche auf, wobei welchem das elektrische Bauteil mittels der Kontaktfläche an mindestens ein mit offenporigem Material gebildetes Kontaktstück des Leistungsmoduls elektrisch kontaktiert ist und das zumindest eine elektrische Bauteil und das zumindest eine Kontaktstück, zumindest in Richtungen der flächigen Erstreckungen der mindestens einen Kontaktfläche, relativ zueinander zumindest formschlüssig festgelegt sind.

公开(公告)号：WO2016121764A1

公开(公告)日：2016-08-04

申请号：PCT/JP2016/052203

申请日：2016-01-26

Applicant: 新日鐵住金株式会社 ,  新日鉄住金化学株式会社

Inventor： 石川　信二 ,  萩原　快朗 ,  松原　典恵 ,  宇野　智裕 ,  清水　隆之

IPC: B22F1/00 ,  B22F7/08 ,  B23K20/00 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L24/29 ,  B22F1/00 ,  B22F7/08 ,  B23K20/00 ,  B23K35/025 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/302 ,  B23K35/3033 ,  H01L21/52 ,  H01L24/27 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/29239 ,  H01L2224/29244 ,  H01L2224/29247 ,  H01L2224/29255 ,  H01L2224/29266 ,  H01L2224/2927 ,  H01L2224/29271 ,  H01L2224/2928 ,  H01L2224/29284 ,  H01L2924/0424 ,  H01L2924/35121

Abstract: 　金属ナノ粒子を用いた接合層によって２つの被接合体間を接合するに際し、これら２つの被接合体の間に線熱膨張係数の違いに基づく熱膨張量の差が存在し、また、高温での使用が求められる場合でも、接合層の熱膨張量を２つの被接合体の間の好適な値に調整して接合層に生じる熱応力を緩和し、２つの被接合体の間の接合強度を十分に保持できる導電性接合材料及び導電性接合構造を提供する。　金属ナノ粒子、導電性材料のミクロン粒子、及び溶媒からなる有機殻を含む接合材料であって、前記ミクロン粒子を構成する導電性材料の線熱膨張係数が、前記ナノ粒子を構成する金属の線熱膨張係数よりも小さく、かつ、導電性材料のミクロン粒子の平均粒子径が０．５～１０μｍであることを特徴とする導電性接合材料。

Abstract translation: 提供了一种导电接合材料和导电接合结构，其可以通过将接合层中的热膨胀量调节到接合层的热膨胀量来减轻接合层产生的热应力，从而充分保持待接合物品之间的接合强度 通过使用使用金属纳米粒子的接合层接合2个接合层的情况下，即使两个待接合物品的热膨胀量由于 其线性热膨胀系数的差异以及在高温下的使用。 包含金属纳米颗粒，导电材料微米颗粒和含有包含溶剂的有机壳的接合材料的导电接合材料，其中构成微米颗粒的导电材料的线性热膨胀系数小于金属的线性热膨胀系数 构成纳米颗粒，导电材料微米颗粒的平均粒径为0.5-10μm。

公开(公告)号：WO2013045370A1

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：PCT/EP2012/068678

申请日：2012-09-21

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  GUYENOT, Michael ,  FEIOCK, Andrea ,  FRUEH, Christiane ,  GUENTHER, Michael ,  WETZL, Franz ,  RITTNER, Martin ,  HOHENBERGER, Bernd ,  HOLZ, Rainer ,  FIX, Andreas ,  KALICH, Thomas

Inventor： GUYENOT, Michael ,  FEIOCK, Andrea ,  FRUEH, Christiane ,  GUENTHER, Michael ,  WETZL, Franz ,  RITTNER, Martin ,  HOHENBERGER, Bernd ,  HOLZ, Rainer ,  FIX, Andreas ,  KALICH, Thomas

IPC: B23K1/00 ,  B23K35/00 ,  B23K35/26 ,  B23K35/30 ,  B23K20/02

CPC classification number: B32B15/01 ,  B23K1/0006 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/19 ,  B23K35/0238 ,  B23K35/30 ,  B23K2201/42 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29209 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/29213 ,  H01L2224/29218 ,  H01L2224/29239 ,  H01L2224/29247 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  Y10T428/12063 ,  Y10T428/12222 ,  H01L2924/00

Abstract: Schichtverbund (10) umfassend mindestens ein elektronisches Substrat (11) und eine Schichtanordnung (20, 30) aus zumindest einer ersten Schicht (20) eines ersten Metalls und/oder einer ersten Metalllegierung und aus einer an diese erste Schicht (20) angrenzenden zweiten Schicht (30) eines zweiten Metalls und/oder einer zweiten Metalllegierung, wobei die Schmelztemperaturen der ersten und der zweiten Schicht unterschiedlich sind, und wobei nach einer Temperaturbehandlung der Schichtanordnung (20, 30) zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht ein Bereich mit mindestens einer intermetallischen Phase (40) ausgebildet ist, wobei die erste (20) oder die zweite Schicht (30) gebildet wird von einem Reaktionslot, welches aus einer Mischung eines Basislots mit einer AgX-, CuX- oder NiX-Legierung besteht, wobei die Komponente X der AgX-, CuX-, oder NiX-Legierung ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus B, Mg, Al, Si, Ca, Se, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Y, Zr, Nb, Mo, Ag, In, Sn, Sb, Ba, Hf, Ta, W, Au, Bi, La, Ce, Pr, Nd, Gd, Dy, Sm, Er, Tb, Eu, Ho, Tm, Yb und Lu und wobei die Schmelztemperatur der AgX-, CuX- oder NiX-Legierung größer ist als die Schmelztemperatur des Basislots. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Ausbildung eines Schichtverbunds (10) sowie eine Schaltungsanordnung enthaltend einen erfindungsgemäßen Schichtverbund (10).

Abstract translation: 层状复合结构（10），包括至少由一种第一金属的至少一个第一层（20）和/或第一金属合金和相邻的电子基板（11）和层布置（20,30），所述第一层（20）第二层 （30）的第二金属和/或第二金属合金制成，所述第一和第二层的熔化温度是不同的，并且其中所述第一层和第二层具有至少一个区域之间的热处理层布置的（20，30）之后 形成金属间相（40），所述第一（20）或所述第二层（30）由反应焊料，其由具有卤化银，CUx-或者NiX-合金的基焊料的混合物，其中所述成分X形成 被选择的AgX，CUx-或者NiX-合金从由B，镁，铝，硅，钙，硒，钛，钒，铬，锰，铁，钴，镍，铜，锌，镓的组， 戈，Y，锆，铌，钼， 银，铟，锡，锑，钡，铪，钽，钨，金，铋，镧，铈，镨，钕，钆，镝，钐，铒，铽，铕，何，Tm，Yb和陆，且其中 熔化卤化银，CUx-或者NiX-合金的温度比基焊料的熔点温度。 本发明还涉及一种形成复合层（10），并且包括根据本发明（10）的层叠体的电路装置的方法。

公开(公告)号：WO2018042890A1

公开(公告)日：2018-03-08

申请号：PCT/JP2017/025213

申请日：2017-07-11

Applicant: 三菱電機株式会社

Inventor： 谷垣　剛司

IPC: B23K35/14 ,  B23K20/00 ,  B23K35/26 ,  C22C13/00 ,  H05K3/34 ,  H01L21/52

CPC classification number: B23K20/00 ,  B23K35/26 ,  C22C13/00 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29239 ,  H01L2224/29247 ,  H01L2224/29255 ,  H01L2224/2926 ,  H01L2224/29266 ,  H01L2224/29395 ,  H01L2224/29582 ,  H01L2224/296 ,  H01L2224/297 ,  H01L2224/29818 ,  H01L2224/29824 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83815 ,  H05K3/34 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

Abstract: 空孔２が体積比率で６５％以上、９０％以下で設けられた多孔質金属体３と、Ｓｎを主成分とし、多孔質金属体３を被覆する低融点金属１とを備える接合体５０を用いて形成された多孔質金属体３に基づく多孔質金属３０をネットワークとし、多孔質金属３０のネットワークの間を、多孔質金属体３の一部と低融点金属１とで形成された金属間化合物１０で埋められた接合層により、半導体素子１１を絶縁基板１４に接合することで、多孔質金属のネットワークによりクラック発生を抑制する。

Abstract translation:

孔2为65％或更多的体积比，并且所述多孔金属体3提供90％或更小，其主要成分的Sn，低熔点金属涂覆所述多孔金属主体3 如图1所示，使用基于使用接合体50而形成的多孔金属体3的多孔金属30作为网络，并且多孔金属体3的一部分和低熔点金属 如图1所示，通过填充金属间化合物10的接合层将半导体元件11接合到绝缘基板14，由此通过多孔金属网络抑制了裂纹的发生。

公开(公告)号：WO2017036704A1

公开(公告)日：2017-03-09

申请号：PCT/EP2016/068372

申请日：2016-08-02

Applicant: HERAEUS DEUTSCHLAND GMBH & CO. KG

Inventor： KREBS, Thomas ,  SCHÄFER, Michael ,  SCHMITT, Wolfgang ,  DUCH, Susanne Klaudia ,  NACHREINER, Jens

IPC: B22F1/00 ,  B22F1/02 ,  B22F7/08 ,  B23K35/34 ,  B23K35/36 ,  B23K35/365 ,  B23K35/02 ,  H01L23/00 ,  B22F7/06

CPC classification number: B23K35/025 ,  B22F1/0003 ,  B22F1/0055 ,  B22F1/0062 ,  B22F1/0074 ,  B22F1/025 ,  B22F7/064 ,  B22F2301/255 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/34 ,  B23K35/3618 ,  B23K35/365 ,  B23K2201/36 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29239 ,  H01L2224/29247 ,  H01L2224/29255 ,  H01L2224/2928 ,  H01L2224/8384

Abstract: Metallpaste, die (A) 75 bis 90 Gew.-% Kupfer- und/oder Silberpartikel, die ein Coating aufweisen, das wenigstens eine organische Verbindung enthält, (B) 5 bis 20 Gew.-% organisches Lösemittel, und (C) 2 bis 20 Gew.-% mindestens einer Art von von Partikeln (A) verschiedenen Metallpartikeln mit einer mittleren Teilchengröße (d50) im Bereich von 0,2 bis 10 µm enthält, wobei die Metallpartikel der Komponente (C) ausgewählt sind aus der aus Molybdänpartikeln und Nickelkern-Silbermantel-Partikeln mit einem Silbergehalt von 10 bis 90 Gew.-% bestehenden Gruppe.

Abstract translation: 金属浆料（A）75至90重量％的铜和/或具有含有至少一种有机化合物的涂层，（B）5至20重量％的有机溶剂，和（C）2的银颗粒 至20重量％的至少一种类型的颗粒的％（a）具有的平均粒度（D50）为0.2至10微米的各种金属颗粒，所述组分（C）的金属颗粒是从选自钼微粒的，并且 具有10至90重量％存在的组的银含量镍银核 - 壳粒子。

公开(公告)号：WO2018145955A2

公开(公告)日：2018-08-16

申请号：PCT/EP2018/052292

申请日：2018-01-30

Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

Inventor： BAUEREGGER, Hubert ,  DONAT, Albrecht ,  KASPAR, Michael ,  KRIEGEL, Kai ,  MITIC, Gerhard ,  SCHWARZ, Markus ,  SCHWARZBAUER, Herbert ,  STEGMEIER, Stefan ,  WEIDNER, Karl ,  ZAPF, Jörg

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/2733 ,  H01L2224/27552 ,  H01L2224/27825 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29005 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/29224 ,  H01L2224/29239 ,  H01L2224/29244 ,  H01L2224/29247 ,  H01L2224/29255 ,  H01L2224/2928 ,  H01L2224/29395 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32235 ,  H01L2224/831 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8392 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: Bei dem Verfahren zur elektrischen Kontaktierung eines Bauteils mit mindestens einem elektrischen Kontakt wird an den zumindest einen Kontakt eine offenporige Kontaktschicht additiv gebildet.

公开(公告)号：WO2017047289A1

公开(公告)日：2017-03-23

申请号：PCT/JP2016/073406

申请日：2016-08-09

Applicant: 富士電機株式会社

Inventor： 渡邉　裕彦 ,  齋藤　俊介 ,  西村　芳孝 ,  百瀬　文彦

IPC: B23K35/26 ,  C22C13/02 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L24/29 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/26 ,  B23K35/262 ,  C22C13/02 ,  H01L23/053 ,  H01L2224/29201 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/2922 ,  H01L2224/29238 ,  H01L2224/29239 ,  H01L2224/29247 ,  H01L2224/29255 ,  H01L2224/29272 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3656 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 耐熱温度が高く、熱伝導特性が高温領域で変化しない鉛フリーはんだを提供する。Ｓｂを、５．０質量％を超えて１０．０質量％以下と、Ａｇを２．０～４．０質量％含有し、残部は、Ｓｎ及び不可避不純物からなるはんだ材、並びに半導体素子と、基板電極もしくはリードフレームとの間に、かかるはんだ材を含んでなる接合層を備える半導体装置。

Abstract translation: 提供一种在高温范围内保持不受影响的耐热温度和导热性高的无铅焊料。 本发明涉及：含有5.0质量％以上且10.0质量％以下的Sb和2.0〜4.0质量％Ag的焊料，其余部分为Sn和不可避免的杂质; 以及在半导体元件和基板电极或引线框架之间设置有包含焊料的接合层的半导体器件。

公开(公告)号：WO2013045364A3

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：PCT/EP2012068657

申请日：2012-09-21

Applicant: BOSCH GMBH ROBERT ,  GUYENOT MICHAEL ,  FEIOCK ANDREA ,  RITTNER MARTIN ,  FRUEH CHRISTIANE ,  KALICH THOMAS ,  GUENTHER MICHAEL ,  WETZL FRANZ ,  HOHENBERGER BERND ,  HOLZ RAINER ,  FIX ANDREAS

Inventor： GUYENOT MICHAEL ,  FEIOCK ANDREA ,  RITTNER MARTIN ,  FRUEH CHRISTIANE ,  KALICH THOMAS ,  GUENTHER MICHAEL ,  WETZL FRANZ ,  HOHENBERGER BERND ,  HOLZ RAINER ,  FIX ANDREAS

IPC: C23C26/00 ,  C23C28/00 ,  H01L21/00 ,  H01L23/00 ,  H01L25/00 ,  H05K1/00 ,  H05K3/00

CPC classification number: B23K35/0238 ,  B23K1/0008 ,  B23K1/0016 ,  B32B15/06 ,  B32B15/16 ,  B32B2264/105 ,  C23C26/00 ,  C23C28/021 ,  C23C28/023 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/278 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29209 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/29213 ,  H01L2224/29218 ,  H01L2224/29239 ,  H01L2224/29247 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29395 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/832 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H05K3/3478 ,  H05K2203/0405 ,  H05K2203/1131 ,  Y10T428/12049 ,  Y10T428/12063 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/00

Abstract: The invention relates to a layered composite (10), in particular for connecting electronic components as joining partners, comprising at least one substrate film (11) and a layer assembly (12) applied to the substrate film. The layer assembly comprises at least one sinterable layer (13), which is applied to the substrate film (11) and which contains at least one metal powder, and a solder layer (14) applied to the sinterable layer (13). The invention further relates to a method for forming a layered composite, to a circuit assembly containing a layered composite (10) according to the invention, and to the use of a layered composite (10) in a joining method for electronic components.

Abstract translation: 本发明涉及一种层状复合材料（10），特别是用于连接电子部件为包括至少一个载体箔（11）和其上的组件（12）施加的层的结合伙伴施加包括至少一种在载体膜（11），烧结层（13）包括 可烧结层（13）上的至少一种金属粉末和一种施加焊料层（14）。 本发明还涉及一种方法，用于形成层复合材料，包括根据本发明（10）的层叠体的电路装置，并在接合过程中使用的层复合材料（10）的电子元器件。

公开(公告)号：WO2003021664A1

公开(公告)日：2003-03-13

申请号：PCT/JP2002/008631

申请日：2002-08-27

Applicant: 株式会社日立製作所 ,  日立東部セミコンダクタ株式会社 ,  栗原 保敏 ,  高橋 可昌 ,  遠藤 恒雄 ,  根岸 幹夫 ,  山浦 正志 ,  中嶋 浩一 ,  櫻井 洋介 ,  児玉 弘則

Inventor： 栗原 保敏 ,  高橋 可昌 ,  遠藤 恒雄 ,  根岸 幹夫 ,  山浦 正志 ,  中嶋 浩一 ,  櫻井 洋介 ,  児玉 弘則

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/85 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/262 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/123 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/126 ,  C04B2237/127 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/401 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/72 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/552 ,  H01L23/642 ,  H01L24/01 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/29209 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/29213 ,  H01L2224/29218 ,  H01L2224/29223 ,  H01L2224/29239 ,  H01L2224/29244 ,  H01L2224/29247 ,  H01L2224/29249 ,  H01L2224/29255 ,  H01L2224/29264 ,  H01L2224/29266 ,  H01L2224/2927 ,  H01L2224/29272 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4912 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/35121 ,  H05K3/284 ,  H05K3/3442 ,  H05K3/3484 ,  H05K2201/0215 ,  H05K2201/10636 ,  Y02P70/611 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01029

Abstract: A semiconductor device, wherein a solder layer for fixing chip components and a wiring member together is enclosed by a resin layer, and the solder layer is composed of a composite material formed by dispersing metal powder into a matrix metal. When a semiconductor device, comprising chip components mounted to a wiring member by a solder material, and a resin−sealed soldered portion, is secondarily mounted to an external wiring member, the flowing−out of the solder material and hence short−circuiting, wire breaking and chip component dislocation can be prevented.

Abstract translation: 一种半导体器件，其中用于将芯片部件和布线部件固定在一起的焊料层被树脂层包围，并且焊料层由通过将金属粉末分散在基体金属中形成的复合材料构成。 当包括通过焊料材料安装到布线构件的芯片组件和树脂密封焊接部分的半导体器件被二次安装到外部布线构件时，焊料材料的流出以及因此短路的导线 可以防止断裂和芯片部件错位。

公开(公告)号：WO2017022523A1

公开(公告)日：2017-02-09

申请号：PCT/JP2016/071556

申请日：2016-07-22

Applicant: 古河電気工業株式会社

Inventor： 三原　尚明 ,  切替　徳之 ,  杉山　二朗

IPC: H01B1/22 ,  C09J7/02 ,  C09J9/02 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J163/00 ,  C09J179/04 ,  C09J201/00 ,  H01L21/52

CPC classification number: C09J9/02 ,  C08K3/08 ,  C08K3/10 ,  C08K5/372 ,  C08K5/375 ,  C08K5/45 ,  C08K2003/085 ,  C08K2003/0862 ,  C08K2201/001 ,  C09J7/10 ,  C09J7/35 ,  C09J11/02 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J163/00 ,  C09J179/04 ,  C09J179/08 ,  C09J201/00 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  C09J2463/00 ,  C09J2479/08 ,  H01B1/22 ,  H01L21/52 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29209 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/29218 ,  H01L2224/29224 ,  H01L2224/29239 ,  H01L2224/29244 ,  H01L2224/29247 ,  H01L2224/29255 ,  H01L2224/29266 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29309 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29366 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/83906 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0705 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 半導体パワー素子を金属リードフレームに接合する際、耐熱性と実装信頼性に優れ、かつ鉛フリーであり環境への付加の小さい手段を提供することを目的とする。　すなわち、少なくともＲ－Ｓ－Ｒ'で示されるスルフィド化合物と、少なくともＣｕ、Ｓｎ、Ｎｉのいずれかを含む金属粒子を必須成分として含む導電性組成物。 （Ｒは少なくとも炭素を含む有機基であり、Ｒ'はＲと同一もしくは異なる有機基である。なお、ＲとＲ'は結合していても、すなわち、いわゆる環状スルフィドであってもよい。）　および、前記導電性組成物を用いて製造してなる導電性ペースト、導電性接着フィルム、さらには、前記導電性接着フィルムと粘着テープとを貼り合せてなる、ダイシングダイボンディングフィルム。

Abstract translation: 本发明的目的在于提供一种在将半导体功率元件接合到金属引线框架上时具有优异的耐热性和安装可靠性的装置，其不含铅，从而对环境造成很小的负担。 即，含有作为必需成分的至少一种由RSR'表示的硫化物化合物（其中，R为至少含有碳的有机基团）的导电性组合物，R'为与R部分相同或不同的有机基团 ; R和R'部分可以相互结合形成所谓的环硫化物）和至少含有Cu，Sn或Ni的金属颗粒。 使用该导电性组合物制造的导电性糊剂和导电性接合膜， 以及通过接合导电接合膜和胶带而获得的切割芯片接合膜。