公开(公告)号：WO2017100256A1

公开(公告)日：2017-06-15

申请号：PCT/US2016/065281

申请日：2016-12-07

申请人： SKYWORKS SOLUTIONS, INC.

发明人： BARBER, Bradley, Paul

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L21/324 ,  H01L23/28 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L21/324 ,  B23K20/02 ,  C23C10/28 ,  H01B1/22 ,  H01L21/50 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/10 ,  H01L23/66 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29014 ,  H01L2224/29017 ,  H01L2224/29019 ,  H01L2224/29022 ,  H01L2224/29078 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29084 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29117 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29316 ,  H01L2224/29317 ,  H01L2224/29338 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29409 ,  H01L2224/29411 ,  H01L2224/29424 ,  H01L2224/29444 ,  H01L2224/29455 ,  H01L2224/29466 ,  H01L2224/29469 ,  H01L2224/29487 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/30179 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/3651 ,  H05K3/328 ,  H05K3/3457 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0543 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/00012

摘要： A bonding element includes a first transient liquid phase (TLP) bonding element including a first material and a second material, the first material having a higher melting point than the second material, a ratio of a quantity of the first material and the second material in the first TLP bonding element having a first value and a second TLP bonding element including the first material and the second material, a ratio of a quantity of the first material and the second material in the second TLP bonding element having a second value different from the first value.

摘要翻译： 结合元件包括包含第一材料和第二材料的第一瞬态液相（TLP）结合元件，第一材料具有比第二材料更高的熔点，一定量的 第一TLP结合元件中的第一材料和第二材料具有第一值，并且第二TLP结合元件包括第一材料和第二材料，第二TLP结合中第一材料和第二材料的量的比例 元素具有不同于第一值的第二值。

公开(公告)号：WO2017019385A1

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：PCT/US2016/042966

申请日：2016-07-19

申请人： NORTHEASTERN UNIVERSITY ,  UNIVERSITY OF NORTH FLORIDA

发明人： STAGON, Stephen, Peter ,  HUANG, Hanchen ,  ELLIOTT, Paul, Robert

IPC分类号： B23K35/26 ,  B23K35/02 ,  H01L23/00

CPC分类号： B23K35/264 ,  B23K35/02 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/0261 ,  B23K35/26 ,  B23K2201/40 ,  B23K2201/42 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/00 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/29005 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32012 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/83099 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01322

摘要： Bonded surfaces are formed by adhering first nanorods and second nanorods to respective first and second surfaces. The first shell is formed on the first nanorods and the second shell is formed on the second nanorods, wherein at least one of the first nanorods and second nanorods, and the first shell and the second shell are formed of distinct metals. The surfaces are then exposed to at least one condition that causes the distinct metals to form an alloy, such as eutectic alloy having a melting point below the temperature at which the alloy is formed, thereby bonding the surfaces upon solidification of the alloy.

摘要翻译： 粘合表面通过将第一纳米棒和第二纳米棒粘附到相应的第一和第二表面上而形成。 第一壳形成在第一纳米棒上，第二壳形成在第二纳米棒上，其中第一纳米棒和第二纳米棒中的至少一个以及第一壳和第二壳由不同的金属形成。 然后将这些表面暴露于使不同金属形成合金的至少一种条件，例如熔点低于合金形成温度的共晶合金，从而在合金固化时粘结表面。

公开(公告)号：WO2016193038A1

公开(公告)日：2016-12-08

申请号：PCT/EP2016/061595

申请日：2016-05-23

申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

发明人： STEGMEIER, Stefan ,  BAUEREGGER, Hubert ,  SOMMER, Volkmar

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/492 ,  H01L23/495 ,  H01L23/367

CPC分类号： H01L23/49 ,  C25D3/38 ,  C25D5/18 ,  C25D21/14 ,  H01L23/3733 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4922 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/50 ,  H01L24/05 ,  H01L24/24 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/75 ,  H01L24/77 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/24105 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/24245 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/3207 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/37005 ,  H01L2224/37111 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37139 ,  H01L2224/37144 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37155 ,  H01L2224/37166 ,  H01L2224/3719 ,  H01L2224/37211 ,  H01L2224/37224 ,  H01L2224/37239 ,  H01L2224/37244 ,  H01L2224/37247 ,  H01L2224/37255 ,  H01L2224/37266 ,  H01L2224/3729 ,  H01L2224/373 ,  H01L2224/37395 ,  H01L2224/376 ,  H01L2224/4007 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/756 ,  H01L2224/75703 ,  H01L2224/776 ,  H01L2224/77703 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/831 ,  H01L2224/834 ,  H01L2224/83411 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83466 ,  H01L2224/8349 ,  H01L2224/83511 ,  H01L2224/83524 ,  H01L2224/83539 ,  H01L2224/83544 ,  H01L2224/83547 ,  H01L2224/83555 ,  H01L2224/83566 ,  H01L2224/8359 ,  H01L2224/836 ,  H01L2224/83695 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/84007 ,  H01L2224/841 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/8492 ,  H01L2224/84951 ,  H01L2224/9201 ,  H01L2224/9205 ,  H01L2224/9221 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H05K3/424 ,  H01L2924/00012 ,  H05K3/4661 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/84 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/01014

摘要： Bei einem Verfahren zur elektrischen Kontaktierung eines Bauteils (10) (z.B. eines Leistungsbauteils und/oder eines (Halbleiter)Bauteils mit mindestens einem Transistor, vorzugsweise einem IGBT (eng. insulated-gate bipolar transistor)) mit zumindest einem Kontakt (40, 50) wird an den zumindest einen Kontakt (40, 50) zumindest ein offenporiges Kontaktstück (60, 70) galvanisch (elektrochemisch oder außenstromfrei) angebunden. Damit wird ein Bauteilmodul gebildet. Der Kontakt (40, 50) ist vorzugsweise ein Flachteil bzw. weist eine Kontaktfläche auf, deren größte flächige Erstreckung größer ist als eine Erstreckung des Kontakts (40, 50) senkrecht zu dieser Kontaktfläche. Die Temperatur der galvanischen Anbindung beträgt höchstens 100 °C, vorzugsweise höchstens 60 °C, zweckmäßig höchstens 20 °C und idealerweise höchstens 5 °C und/oder weicht von der Betriebstemperatur des Bauteils um höchstens 50 °C, vorzugsweise um höchstens 20 °C, insbesondere um höchstens 10 °C und idealerweise um höchstens 5 °C, vorzugsweise höchstens 2 °C, ab. Das Bauteil (10) kann mittels des Kontaktstücks (60, 70) mit einem weiteren Bauteil, Stromleiter und/oder Substrat (90) kontaktiert werden. Vorzugsweise wird ein Bauteil (10) mit zwei Kontakten (40, 50) an einander abgewandten Seiten des Bauteils (10) herangezogen, wobei je Kontakt (40, 50) zumindest ein offenporiges Kontaktstück (60, 70) an dieser galvanisch angebunden wird.

摘要翻译： 在用于电组件（10）（例如，功率成分和/或具有至少一个晶体管，优选（一个IGBT窄。绝缘栅双极晶体管）一个（半导体）装置）与至少一个接触（40，50）接触的方法 到所述至少一个触点（40，50）的至少一个开孔的接触片（60，70）是电（电化学或无电镀免费）附接。 为了使部件模块被形成。 接触（40，50）优选地是平坦的部分或具有接触表面，最大的面积范围大于所述接触（40，50）垂直于延长所述接触表面。 电偶连接的温度为至多100℃，优选至多60℃，有利的是最多20℃，并且理想地不超过5℃和/或不超过50℃，从该部件的运行温度偏离优选最多20℃， 特别地至多10℃，并且理想地不大于5℃，优选至多2℃，从。 成分（10）可以通过所述接触件（60，70）到另一个部件，导体和/或底物（90）的联系方式。 优选地，具有两个触点（40，50）的部件（10）上的部件（10）的相对侧上，其中，每个接触件（40，50）的至少一个开孔的接触片（60，70）电连接到该使用。

公开(公告)号：WO2016108261A1

公开(公告)日：2016-07-07

申请号：PCT/JP2015/077470

申请日：2015-09-29

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 福本　晃久 ,  根岸　哲 ,  山本　圭 ,  篠原　利彰 ,  西川　和康

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L23/29 ,  H01L23/48 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L23/051 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/48 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/73 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29565 ,  H01L2224/29655 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/3754 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40155 ,  H01L2224/73213 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/37099

摘要： 　パワーモジュール（ＰＭ）は、パワー半導体素子（４）、配線材（２）、回路基板（６）、外部端子（８）、接合材（５、７）および封止樹脂（１）を備えている。パワー半導体素子（４）と配線材（２）との間に位置する接合材（５）の端面から、その端面とその端面とは距離を隔てられた配線材（２）の所定の箇所との間に位置する配線材（２）の表面にわたって、接合材（５）の端面および配線材（２）の表面と封止樹脂（１）との間に隙間部（３）が連続的に形成されている。

摘要翻译： 功率模块（PM）具有功率半导体元件（4），布线构件（2），电路基板（6），外部端子（8），接合构件（5,7）和密封树脂 （1）。 间隙（3）从位于功率半导体元件（4）和布线部件（2）之间的接合部件（5）的边缘表面连续地形成到布线部件（2）的表面的一部分， 位于接合构件的边缘表面和布线构件（2）上与接合构件的边缘表面相距一定距离处的规定位置之间的间隙形成在密封树脂（1）和 接合构件（5）的边缘表面和配线构件（2）的表面。

公开(公告)号：WO2015163452A1

公开(公告)日：2015-10-29

申请号：PCT/JP2015/062544

申请日：2015-04-24

申请人： 三菱マテリアル株式会社

发明人： 寺▲崎▼　伸幸 ,  長友　義幸

IPC分类号： H01L23/13 ,  H01L23/12 ,  H01L23/36 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L23/3735 ,  B23K20/02 ,  B23K2203/10 ,  B23K2203/12 ,  B23K2203/18 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/121 ,  C04B2237/128 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  C04B2237/86 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/367 ,  H01L23/473 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L31/04 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01049

摘要： 　セラミックス基板の一方の面に接合された第一アルミニウム層と、該第一アルミニウム層に固相拡散接合された第一銅層とを有する回路層と；前記第一アルミニウム層と同一材料により形成され前記セラミックス基板の他方の面に接合された第二アルミニウム層と、前記第一銅層と同一材料により形成されて前記第二アルミニウム層に固相拡散接合された第二銅層とを有する金属層と；を備え：前記第一銅層の厚みｔ１が１．７ｍｍ以上５ｍｍ以下；前記第一銅層の厚みｔ１と前記第二銅層の厚みｔ２の合計が７ｍｍ以下；前記第一銅層の厚みｔ１と前記第二銅層の厚みｔ２との比率ｔ２／ｔ１が０を超えて１．２以下の範囲のうち０．６以上０．８以下を除く範囲；に設定されているパワーモジュール用基板。

摘要翻译： 一种功率模块用基板，具备：电路层，其具有与陶瓷基板的一面接合的第一铝层和通过固相扩散与第一铝层接合的第一铜层; 以及金属层，其包括由与所述第一铝层相同的材料形成并且与陶瓷基板的另一个表面接合的第二铝层和由与第一铜层相同的材料形成的第二铜层 并通过固相扩散与第二铝层结合。 第一铜层的厚度（t1）为1.7mm〜5mm（以下）。 第一铜层的厚度（t1）和第二铜层的厚度（t2）的总和为7mm以下; 并且第二铜层的厚度（t2）与第一铜层的厚度（t1）的比率即t2 / t1被设定在大于0但为1.2以下的范围内，不包括 从0.6到0.8（含）。

公开(公告)号：WO2015136968A1

公开(公告)日：2015-09-17

申请号：PCT/JP2015/050894

申请日：2015-01-15

申请人： トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社デンソー

发明人： 門口　卓矢 ,  平野　敬洋 ,  川島　崇功 ,  福谷　啓太 ,  奥村　知巳 ,  西畑　雅由

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L23/49513 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4882 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/92165 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05599

摘要： 　本半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子の上面側の電極と電気的に接続されており、側面から突起する第１の継手部を備えた、導電体よりなる第１の板状部と、側面から突起する第２の継手部を備えた、導電体よりなる第２の板状部と、を有し、前記第１の継手部の下面と前記第２の継手部の上面とが対向するように配置されて、導電性の接合材を介して電気的に接続されており、前記第１の継手部の下面と前記第２の継手部の上面とが対向する部分には、前記第２の継手部の先端上部と前記第１の継手部の下面との間の前記接合材の厚さを確保する接合材厚確保手段が設けられている。

摘要翻译： 该半导体器件具有：半导体元件; 电连接到半导体元件的上表面侧的电极的第一板部，其具有从侧面突出并由导体形成的第一接合部; 以及设置有从侧面突出并由导体形成的第二接合部的第二板部。 第一接合部的底面和第二接合部的上表面被配置为彼此面对，并且经由导电接合材料电连接。 一种接合材料厚度保证装置，其设置在第一接合部的底面的区域中，确保第二接合部的前端的上部与第一接头部的底面之间的接合材料的厚度 第二接合部的上表面彼此面对。

公开(公告)号：WO2015033197A3

公开(公告)日：2015-08-13

申请号：PCT/IB2014001646

申请日：2014-08-29

申请人： TOYOTA MOTOR CO LTD ,  DENSO CORP

发明人： KADOGUCHI TAKUYA ,  HIRANO TAKAHIRO ,  KAWASHIMA TAKANORI ,  OKUMURA TOMOMI ,  NISHIHATA MASAYOSHI

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/051 ,  H01L23/492 ,  H01L23/495 ,  H01L25/07

CPC分类号： H01L23/49568 ,  H01L23/051 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3672 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861 ,  H01L2224/2612 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/92242 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device (20) includes: opposed first (36, 56) and second (34, 54) metal plates; a plurality of semiconductor elements (26, 28, 30, 32, 206, 208, 210, 212, 306, 308, 310, 312) each interposed between the first metal plate (36, 56) and the second metal plate (34, 54); a metal block (44, 50, 314, 316) interposed between the first metal plate (36, 56) and each of the semiconductor elements (26, 28, 30, 32, 206, 208, 210, 212, 306, 308, 310, 312); a solder member (46, 52) interposed between the first metal plate (36, 56) and the metal block (44, 50, 314, 316) and connecting the first metal plate (36, 56) to the metal block (44, 50, 314, 316); and a resin moulding (74) sealing the semiconductor elements (26, 28, 30, 32, 206, 208, 210, 212, 306, 308, 310, 312) and the metal block (44, 50, 314, 316). A face of the first metal plate (36, 56), which is on an opposite side of a face of the first metal plate (36, 56) to which the metal block (44, 50, 314, 316) is connected via the solder member (46, 52), is exposed from the resin moulding (74). The first metal plate (36, 56) has a groove (70, 72) formed along an outer periphery of a region in which the solder member(s) (46, 52) is(are) provided, the groove (70, 72) collectively surrounding the solder member(s) (46, 52) so as to prevent spreading of the solder members (46, 52) on a bonding face of the first metal plate (36, 56). Each of the semiconductor elements (26, 30, 206, 210, 306, 310) may be a power semiconductor switching element, such as an insulated gate bipolar transistor (IGBT), that undergoes switching operation at the time of converting electric power and each of the semiconductor elements (28, 32, 208, 212, 308, 312) may be a reflux diode that is required in order to circulate current at the time of interrupting a corresponding one of the semiconductor elements (26, 30, 206, 210, 306, 310).

摘要翻译： 半导体器件（20）包括：相对的第一（36,56）和第二（34,54）金属板; 每个插入在第一金属板（36,56）和第二金属板（34）之间的半导体元件（26,28,30,32,26,28,210,212,306,308,310,312） 54）; 插入在第一金属板（36,56）和每个半导体元件（26,28,30,32,36,208,210,212,306,308,316）之间的金属块（44,45,314,316） 310,312）; 插入在第一金属板（36,56）和金属块（44,45,314,316）之间并将第一金属板（36,56）连接到金属块（44）的焊料构件（46,52） 50,314,316）; 以及密封半导体元件（26,28,30,32,26,208,210,212,306,308,310,312）和金属块（44,50,314,316）的树脂模制件（74）。 第一金属板（36,56）的与第一金属板（36,56）的与金属块（44,50,214,316）连接的面的相对侧上的表面经由 焊料构件（46,52）从树脂成形体（74）露出。 第一金属板（36,56）具有沿着设置有焊料部件（46,52）的区域的外周形成的槽（70,72），槽（70,72） ）共同围绕焊料部件（46,52），以防止焊料部件（46,52）在第一金属板（36,56）的接合面上的扩散。 每个半导体元件（26,30,306,210,306,310）可以是功率半导体开关元件，例如绝缘栅双极晶体管（IGBT）），其在转换电力时经历开关操作，并且每个 半导体元件（28,32，208,212,308,312）可以是回流二极管，其是为了在中断相应的一个半导体元件（26,30,306,210）期间循环电流所需的 ，306,310）。

公开(公告)号：WO2015111622A1

公开(公告)日：2015-07-30

申请号：PCT/JP2015/051542

申请日：2015-01-21

申请人： オリンパス株式会社

发明人： 伊藤　寛 ,  塩谷　浩一

IPC分类号： H04R17/10 ,  A61B18/00 ,  B06B1/06 ,  H01L21/607 ,  H01L41/083 ,  H01L41/09 ,  H01L41/277 ,  H04R17/00

CPC分类号： B06B1/0611 ,  A61B17/320068 ,  A61B2018/00607 ,  A61N2007/0078 ,  B06B3/00 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/50 ,  H01L41/0471 ,  H01L41/277 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047

摘要： 　積層型超音波振動デバイスは、２つのマス材４２，４３の間に複数の圧電体６１が設けられており、２つのマス材４２，４３および複数の圧電体６１よりも弾性定数が小さなろう材７３，７６を用いて、同種材料接合部となる複数の圧電体６１間を第１の厚さｄ１を有した第１の金属接合層によって接合し、異種材料接合部となる複数の圧電体６１とマス材４２，４３との間を第１の厚さｄ１よりも厚い第２の厚さｄ２を有した第２の金属接合層によって接合した。

摘要翻译： 一种叠层超声波振动装置，其特征在于，使用具有比所述两个质量部件（42,43）小的弹性常数的钎焊材料（73,76），在两个质量部件（42,43）之间设置多个压电体（61） ）和多个压电体（61）之间，通过具有第一厚度（d1）的第一金属接合层和多个压电体（61）之间的接合进行多个压电体（61）之间的接合以形成均匀的材料接合， 通过具有比第一厚度（d1）厚的第二厚度（d2）的第二金属接合层进行主体（61）和质量构件（42,43）以形成非均质材料接合。

公开(公告)号：WO2015043969A3

公开(公告)日：2015-07-02

申请号：PCT/EP2014069368

申请日：2014-09-11

申请人： SIEMENS AG

发明人： STROGIES JÖRG ,  WILKE KLAUS

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC分类号： H05K3/341 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29034 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/3003 ,  H01L2224/3011 ,  H01L2224/30131 ,  H01L2224/30134 ,  H01L2224/30177 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32059 ,  H01L2224/32221 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/33107 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83825 ,  H05K1/11 ,  H05K1/181 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： The invention relates to a diffusion soldering method in which an electronic component (13) is placed on a substrate (12). The joining surfaces are designed such that cavities (20, 27) are formed in the region of the joining gap (21). The formation of said cavities can be ensured for example by providing depressions in the mounting surface (18) of the component (13) and/or in the contact surface (14) of the substrate (12), the depressions (27) being cup-shaped or advantageously being in the form of channels (20) that surround columnar structural elements (22), the end faces of said structural elements (22) forming the mounting surface (18) or the contact surface (14) for the connection. The cavities (20, 27) are advantageous in that solder material (19) can leak into the cavities when the component (13) is placed on the contact surface (14) of the substrate (12) in order to achieve the required width of the joining gap (21). Thus, the joining gap (21) can be selected so as to have a width so narrow that the joining gap is formed with a diffusion zone (24) which bridges the joining gap (21) upon soldering. In this manner, a diffusion solder connection is produced in an advantageous manner even when using standard solder. The invention further relates to an electronic assembly (11) which has been produced in the aforementioned manner.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于扩散硬钎焊的方法，其中电子元件（13）被放置在基板（12）上。 接合面被设计成使得腔（20，27）中的接合间隙（21）的区域中形成。 这可以，例如，通过在部件的安装表面（18）提供的凹部（13）和/或在基片（12）的接触表面（14）能够确保，其中，所述凹部（27）是杯形或有利地在通道的形式（ 20）已经包围柱状结构元件（22），其特征在于，形成用于连接所述安装表面（18）或所述接触表面（14）中的结构元件（22）的端面上。 腔（20,27）具有焊接材料19的接触表面上放置在空腔中衬底（12）的组件13（14）当优势（20，27）可以逃逸到的所需的宽度 到达接合间隙（21）。 因此，接合间隙（21）可以被选择为使得其窄与接合间隙（21）扩散区域（24）的形式，其例如由金属间化合物的焊接期间这个桥接。 因此，扩散焊接，有利地，使用标准焊料即使形成。 此外，本发明还涉及一种电子组件（11），其对所描述的路径制备。

公开(公告)号：WO2015093090A1

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：PCT/JP2014/070519

申请日：2014-08-04

申请人： トヨタ自動車株式会社 ,  深見 武志

发明人： 深見　武志

IPC分类号： H01L21/52 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/29 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/562 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/02165 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/26125 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29036 ,  H01L2224/29076 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0483 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014

摘要： 　半導体装置１は、半導体層２と、半導体層２上に配置された電極層３と、半導体層２の上側に配置されたクラック起点層１０と、電極層３およびクラック起点層１０に接触するはんだ層４とを備えている。はんだ層４とクラック起点層１０との接合力がはんだ層４と電極層３との接合力より小さい。

摘要翻译： 半导体器件（1）设置有半导体层（2），设置在半导体层（2）上的电极层（3），设置在半导体层（2）的上侧的裂纹源层（10） 以及与电极层（3）和裂纹源层（10）接触的焊料层（4）。 焊料层（4）与裂纹产生层（10）之间的接合力小于焊料层（4）和电极层（3）之间的结合力。