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    INTERBAND CASCADE LASERS
    1.
    发明申请
    INTERBAND CASCADE LASERS 审中-公开

    公开(公告)号：WO2012071298A3

    公开(公告)日：2013-10-17

    申请号：PCT/US2011061591

    申请日：2011-11-21

    Applicant: US GOV SEC NAVY ,  VURGAFTMAN IGOR ,  MEYER JERRY R ,  CANEDY CHADWICK L ,  BEWLEY WILLIAM W ,  LINDLE JAMES R ,  KIM CHUL-SOO ,  KIM MIJIN

    Inventor： VURGAFTMAN IGOR ,  MEYER JERRY R ,  CANEDY CHADWICK L ,  BEWLEY WILLIAM W ,  LINDLE JAMES R ,  KIM CHUL-SOO ,  KIM MIJIN

    IPC: H01S5/00

    CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/3401 ,  H01S5/3422 ,  H01S5/34306

    Abstract: A gain medium and an interband cascade laser, having the gain medium are presented. The gain medium can have one or both of the following features: (1) the thicknesses of the one or more hole quantum wells in the hole injector region are reduced commensurate with the thickness of the active hole quantum well in the active quantum well region, so as to place the valence band maximum in the hole injector region at least about 100 meV lower than the valence band maximum in the active hole quantum well; and (2) the thickness of the last wellof the electron injector region is between 85 and 110% of the thickness of the first active electron quantum well in the active gain region of the next stage of the medium.

    Abstract translation: 提出了具有增益介质的增益介质和带间级联激光器。 增益介质可以具有以下特征中的一个或两个：（1）空穴注入器区域中的一个或多个空穴量子阱的厚度与有源量子阱区域中的有源孔量子阱的厚度相当， 使得空穴注入器区域中的价带最大值比活性孔量子阱中的价带最大值低至少100meV; 和（2）最后一个电子注入器区域的厚度在介质下一阶段的有源增益区域中的第一有源电子量子阱的厚度的85至110％之间。

    ELECTRICALLY TUNABLE TERAHERTZ LASER OSCILLATION DEVICE
    2.
    发明申请
    ELECTRICALLY TUNABLE TERAHERTZ LASER OSCILLATION DEVICE 审中-公开
    电动TERNABLE TERAHERTZ激光振荡器件

    公开(公告)号：WO2008075795B1

    公开(公告)日：2008-09-12

    申请号：PCT/JP2007075234

    申请日：2007-12-20

    Applicant: CANON KK ,  SEKIGUCHI RYOTA ,  OUCHI TOSHIHIKO

    Inventor： SEKIGUCHI RYOTA ,  OUCHI TOSHIHIKO

    IPC: H01S1/02 ,  H01S5/0625 ,  H01S5/227 ,  H01S5/30 ,  H01S5/34

    CPC classification number: H01S1/02 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/06255 ,  H01S5/06256 ,  H01S5/2213 ,  H01S5/227 ,  H01S5/3027 ,  H01S5/3031 ,  H01S5/3402 ,  H01S5/3422

    Abstract: To provide an oscillation device having a long oscillation wavelength (THz) in which wavelength variable width is relatively broad and wavelength sweep rate is relatively high. An oscillation device includes a gain medium (103) having a gain with respect to an electromagnetic wave to be oscillated, cavity structures (104, 105) for resonating the electromagnetic wave, and energy injection means (121, 122A) and for injecting pumping energy into the gain medium. The gain medium is sandwiched between a first negative permittivity medium (102, 112) and a second magnetic permittivity medium (101, 111) each of which real part of permittivity with respect to the electromagnetic wave is negative. Electric field application means (122B) is provided for at least one of the first negative permittivity medium and the second negative permittivity medium to apply an electric field for changing a depletion region formed at a boundary part with the gain medium.

    Abstract translation: 为了提供具有波长可变宽度相对宽且波长扫描速率相对较高的长振荡波长（THz）的振荡装置。 振荡装置包括：相对于待振荡的电磁波具有增益的增益介质（103），用于谐振电磁波的腔体结构（104,105）;以及能量注入装置（121,122A），并用于喷射泵浦能量 进入增益介质。 增益介质夹在第一负介电常数介质（102,112）和第二介电常数介质（101,111）之间，其中相对于电磁波的介电常数的实部为负。 为第一负介电常数介质和第二负介电常数介质中的至少一个提供电场施加装置（122B），以施加用于改变形成在增益介质的边界部分处的耗尽区的电场。

    QUANTUM-LAYER STRUCTURE
    4.
    发明申请
    QUANTUM-LAYER STRUCTURE 审中-公开
    量子层结构

    公开(公告)号：WO1995026585A1

    公开(公告)日：1995-10-05

    申请号：PCT/DE1995000353

    申请日：1995-03-14

    Applicant: FRAUNHOFER GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. ,  BACHEM, Karl-Heinz ,  FEKETE, Dan

    Inventor： FRAUNHOFER GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.

    IPC: H01S03/19

    CPC classification number: H01S5/343 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/0352 ,  H01S5/305 ,  H01S5/32 ,  H01S5/34 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/3406 ,  H01S5/3422 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/34313 ,  H01S2302/00

    Abstract: Described is a quantum-layer structure, for lasers and detectors in particular, with at least four semiconductor films (S1, S2, S3, S4), inner films (S2, S3) being located between two outer barrier films (S1, S4). The invention is characterized in that, without an electrical potential being applied, the lower edge of the conduction band of one of the inner films exhibits an absolute minimum and the lower edge of the valency band of another inner film exhibits an absolute maximum and that at least the two inner films which exhibit the absolute minimum and the absolute maximum have quantized hole or electron states.

    Abstract translation: 公开了一种量子层结构，特别是用于激光器或检测器，具有至少四个半导体层（S1，S2，S3，S4），其特征在于两个外部阻挡层（S1，S4）内的层（S2，S3）之间布置。 本发明的特征在于，不施加电压，内层中的一个的导带的下边缘有一个绝对最小值和Valenzbandunterkante另一内层具有最大绝对值，并且至少所述两个内层具有绝对最小和最大绝对 具有量化的空穴或电子的状态。

    半導体素子およびその製造方法
    5.
    发明申请
    半導体素子およびその製造方法 审中-公开
    半导体元件及其制造方法

    公开(公告)号：WO2014175128A1

    公开(公告)日：2014-10-30

    申请号：PCT/JP2014/060775

    申请日：2014-04-16

    Applicant: 住友電気工業株式会社

    Inventor： 柴田　馨 ,  秋田　勝史 ,  藤井　慧 ,  石塚　貴司

    IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0352 ,  H01L33/06 ,  H01S5/343

    CPC classification number: H01L31/035236 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14652 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/109 ,  H01L31/1844 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3422 ,  H01S5/34306 ,  H01S2301/173

    Abstract: 近赤外～赤外域において量子効率または感度が高い半導体素子等を提供する。基板と、基板の上に位置し、ａ層とｂ層とを１対として複数対の多重量子井戸構造と、基板と多重量子井戸構造との間に位置する結晶調整層とを備え、結晶調整層が、基板と同じ材料で構成され該基板に接する第１調整層と、多重量子井戸構造のａ層またはｂ層と同じ材料で構成され、多重量子井戸構造に接する第２調整層とを含む。

    Abstract translation: 提供了在近红外到红外区域具有高量子效率或灵敏度的半导体元件等。 半导体元件包括：基板; 位于衬底上的多对多量子阱结构，每一对包括层a和层b; 以及位于基板和多量子阱结构之间的晶体调整层。 晶体调整层包括由与基板相同的材料构成并与基板保持接触的第一调整层，以及由与多量子阱结构中的a层或b层相同的材料构成的第二调整层 并与多量子阱结构保持接触。

    TYPE II MID-INFRARED QUANTUM WELL LASER
    8.
    发明申请
    TYPE II MID-INFRARED QUANTUM WELL LASER 审中-公开
    第二类中红外光量子激光器

    公开(公告)号：WO03023912A2

    公开(公告)日：2003-03-20

    申请号：PCT/GB0204111

    申请日：2002-09-10

    Applicant: QINETIQ LTD ,  CALCOTT PHILIP DOUGLAS JOHN

    Inventor： CALCOTT PHILIP DOUGLAS JOHN

    IPC: H01S3/067 ,  H01S5/04 ,  H01S5/34 ,  H01S5/343 ,  H01S5/40 ,  H01S3/00

    CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S3/06754 ,  H01S5/041 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/3422 ,  H01S5/343 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/4018 ,  H01S5/4043

    Abstract: A mid-infrared emitting indirect bandgap quantum well semiconductor laser with an optical waveguide structure having an active waveguide core. The active waveguide core comprises at least one repetition of a sub-region comprising in the following order a first wide bandgap barrier layer, a first conduction band layer of InAs, a valence band layer of Ga(1-x)InxSb where x >= 0.7, preferably of InSB (ie. x=1), having a thickness of less than 15 Angstroms, a second conduction band layer of InAs and a second wide bandgap barrier layer. The barrier layers co-operate to provide electrical confinement for the carriers within the intervening conduction band and valence band layers and optical confinement in the active core region is provided by the optical waveguide structure.

    Abstract translation: 具有具有有源波导芯的光波导结构的中红外发射间接带隙量子阱半导体激光器。 有源波导芯包括至少一个子区域的重复，该子区域按以下顺序包括第一宽带隙势垒层，InAs的第一导带层，Ga（1-x）In x Sb的价带层，其中x> = 0.7，优选为InSB（即x = 1），具有小于15埃的厚度，InAs的第二导带层和第二宽带隙势垒层。 阻挡层协同工作以为中间导带和价带层内的载流子提供电气限制，并且由光波导结构提供有源芯区域中的光限制。

    INFRARED RADIATION SOURCE
    10.
    发明申请
    INFRARED RADIATION SOURCE 审中-公开
    红外辐射源

    公开(公告)号：WO98040916A1

    公开(公告)日：1998-09-17

    申请号：PCT/GB1998/000729

    申请日：1998-03-11

    IPC: H01L33/00 ,  H01L33/30 ,  H01S5/34 ,  H01S5/343 ,  H01S3/19

    CPC classification number: H01L33/30 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/0025 ,  H01S5/34 ,  H01S5/3422 ,  H01S5/34306

    Abstract: The infrared radiation source consists of a layer of GaSb (10) and a layer of InAs (11) which meet at an interface region (12) consisting of either GaAs or InSb. The two layers define a broken bandgap at the interface (12) and on application of a forward bias by means of contacts (13, 14) infrared radiation is produced at the interface. The interface exhibits negative differential resistance on application of a biasing voltage and the wavelength of the radiation is tunable in dependence on the size of the biasing voltage.

    Abstract translation: 红外辐射源由一层GaSb（10）和一层InAs（11）组成，它们在由GaAs或InSb组成的界面区域（12）处相遇。 这两层在接口（12）处限定了断开的带隙，并且通过触点（13,14）施加正向偏压，在界面处产生红外辐射。 该界面在施加偏置电压时表现出负的差分电阻，并且辐射的波长根据偏置电压的大小可调。

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