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公开(公告)号：WO2022074751A1
公开(公告)日：2022-04-14
申请号：PCT/JP2020/037932
申请日：2020-10-07
Applicant: シャープ株式会社
Abstract: 発光素子の製造方法は、第１電極上に第１電荷輸送層を形成する工程と、前記第１電荷輸送層上に、第１量子ドットを含む第１感光性樹脂組成物を塗布し、第１量子ドット含有層を形成する工程と、前記第１量子ドット含有層上に、第２量子ドットを含む第２感光性樹脂組成物を塗布し、第２量子ドット含有層を形成する工程と、前記第２量子ドット含有層上に、第２電荷輸送層を形成する工程と、前記第２電荷輸送層上に第２電極を形成する工程と、を含む。
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公开(公告)号：WO2022030648A2
公开(公告)日：2022-02-10
申请号：PCT/JP2021/029575
申请日：2021-08-10
Applicant: 株式会社ＦＬＯＳＦＩＡ , 国立大学法人京都大学
IPC: C23C16/40 , C23C16/448 , H01L21/28 , H01L21/331 , H01L21/336 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L21/365 , H01L21/368 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/24 , H01L29/26 , H01L29/47 , H01L29/737 , H01L29/739 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L29/872 , H01L33/26 , H01L21/02107 , H01L29/66234 , H01L29/66477 , H01L29/66848 , H01L29/66893
Abstract: 【課題】工業的に有用であり、かつ半導体特性に優れたｐ型の酸化物半導体を含む半導体装置を提供する。 【解決手段】 イリジウムと、周期律表の第１３族の金属から選択される少なくとも1つの金属とを含有する金属酸化物を主成分として含み、さらにドーパントを含有し、ホールキャリア密度が１．０×１０１９／ｃｍ３以下である、ｐ型酸化物半導体。
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公开(公告)号：WO2020184825A1
公开(公告)日：2020-09-17
申请号：PCT/KR2019/018760
申请日：2019-12-31
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 상기 발광층은 제1 발광물질층과 제2 발광물질층이 교대로 배치되어 두 층 이상의 적층구조를 갖는 발광층을 포함하는 발광 소자에 관한 것으로, 상기 발광물질층은 페로브스카이트층 또는 유기물층으로, 상기 제 1 발광물질층과 상기 제2 발광물질층은 서로 다른 밴드갭(band gap)을 갖는 것을 특징으로 한다. 제1 발광물질층과 제2 발광물질층을 교대로 배치하여 적층구조를 가짐으로써, 에너지 준위를 제어함으로써 발광 소자의 전자-정공 재조합 구역을 조절하여 전기발광 효율을 향상시킬 수 있다는 장점이 있다. 또한, 제1 발광물질층과 제2 발광물질층의 에너지 준위를 제어함으로써 백색 발광소자를 제작할수 있다는 장점이 있다.
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公开(公告)号：WO2020130939A1
公开(公告)日：2020-06-25
申请号：PCT/SG2019/050615
申请日：2019-12-16
Applicant: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH
Inventor： LUKMAN, Steven , TENG, Jinghua , WU, Qing Yang Steve , DING, Lu
IPC: H01L31/0336 , H01L33/26 , H01L31/0296 , H01L31/101 , H01L31/0392
Abstract: A device which detects and/or emits infrared radiation in the mid-infrared to far- infrared region is disclosed herein. The device comprises a first layer comprising a first transition metal dichalcogenide, and a second layer comprising a second transition metal dichalcogenide, wherein the second layer is deposited adjacent to the first layer to form a first interface which interlayer excitons are producible from for rendering the device operable to detect and/or emit infrared radiation in the mid-infrared to far-infrared region.
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公开(公告)号：WO2019165909A1
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：PCT/CN2019/075448
申请日：2019-02-19
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明涉及一种基于GaN/CsPbBr x I 3-x 异质结的光响应型LED及其制备方法和应用。本发明的光响应型LED由蓝宝石氮化镓基片、全无机钙钛矿CsPbBr x I 3-x 薄膜、铟电极、碳电极组成，是一种In/GaN/CsPbBr x I 3-x /C结构，其中：CsPbBr x I 3-x 薄膜中0 x I 3-x 薄膜层设置在氮化镓层上，同时并列设置铟电极，CsPbBr x I 3-x 薄膜层上设置碳电极。本发明CsPbBr x I 3-x 薄膜是采用采用低温反溶剂法制得，制得的LED器件可实现自供电可见探测与可见发光的集成，可作为发射端或接收端应用在可见光无线通信中，解决可见光无线通信技术中反向通信的难题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2019147063A1
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：PCT/KR2019/001089
申请日：2019-01-25
Applicant: 주식회사 세미콘라이트
Abstract: 본 개시는, 외부와 전기적으로 연결되는 반도체 발광소자에 있어서, 제1 반도체 발광소자 칩; 제2 반도체 발광소자 칩; 도전체; 제1 투광층; 제1 투광층과 제1 반도체 발광소자 칩, 제2 반도체 발광소자 칩 및 도전체 사이에 위치하는 공통 전극층; 그리고 반도체 발광소자의 측면으로 나가는 빛을 차단하는 비투광층;을 포함하며, 도전체는 외부와 공통 전극층을 전기적으로 연결하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.
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7.发明申请III-NITRIDE NANOWIRE LED WITH STRAIN MODIFIED SURFACE ACTIVE REGION AND METHOD OF MAKING THEREOF 审中-公开具有应变改性表面活性区域的III-NITRIDE NANOWIRE LED及其制备方法
公开(公告)号：WO2016025325A9
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：PCT/US2015044245
申请日：2015-08-07
Applicant: GLO AB
Inventor： ROMANO LINDA , WANG PING
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/12 , H01L33/18 , H01L33/32 , H01L33/42
Abstract: A core- shell nanowire device includes an eave region having a structural discontinuity from the p-plane in the upper tip portion of the shell to the m-plane in the lower portion of the shell. The eave region has at least 5 atomic percent higher indium content than the p-plane and m-plane portions of the shell.
Abstract translation: 核 - 壳纳米线装置包括檐部区域，其具有从壳体的上端部中的p平面到壳体下部中的m平面的结构不连续性。 檐区具有比壳的p面和m面部分高至少5原子％的铟含量。
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公开(公告)号：WO2017034346A1
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：PCT/KR2016/009444
申请日：2016-08-25
Applicant: 엘지이노텍(주)
Abstract: 실시예는 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층의 사이에 배치되는 활성층을 포함하고, 상기 제2 도전형 반도체층과 상기 활성층을 관통하여 상기 제1 도전형 반도체층의 일부 영역까지 배치되는 복수 개의 제1 리세스를 포함하는 발광 구조물; 상기 복수 개의 제1 리세스 내부에서 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극; 상기 제1 전극과 전기적으로 연결되는 도전성 지지 기판; 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극; 및 상기 도전성 지지 기판과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 절연층을 포함하고, 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 활성층을 관통하여 상기 절연층의 일부 영역까지 제2 리세스가 배치되는 발광소자에 관한 것이다.
Abstract translation: 实施例涉及一种发光器件，其包括：发光结构，其包括第一导电半导体层，第二导电半导体层和设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层，并且包括 多个第一凹部，穿过第二导电半导体层和有源层，并设置在第一导电半导体层的一部分区域上; 第一电极，其电连接到所述多个第一凹部内的所述第一导电半导体层; 电连接到所述第一电极的导电支撑基板; 电连接到第二导电半导体层的第二电极; 以及绝缘层，其设置在所述导电支撑基板和第二导电半导体层之间，其中第二凹部穿过所述第一导电半导体层，第二导电半导体层和有源层，并且设置在所述绝缘层的一部分区域上 。
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公开(公告)号：WO2016205751A1
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：PCT/US2016/038240
申请日：2016-06-17
Applicant: QMAT, INC.
Inventor： HENLEY, Francois J. , KANG, Sien , ZHONG, Mingyu , LI, Minghang
CPC classification number: H01L33/0079 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B33/04 , H01L21/0445 , H01L21/265 , H01L21/31058 , H01L21/76254 , H01L29/1608 , H01L33/007 , Y10S117/915
Abstract: Embodiments transfer thin layers of material utilized in electronic devices (e.g., GaN for optoelectronic devices), from a donor to a handle substrate. Certain embodiments employ bond-and-release system(s) where release occurs along a cleave plane formed by implantation of particles into the donor. Some embodiments may rely upon release by converting components from solid to liquid under carefully controlled thermal conditions (e.g., solder-based materials and/or thermal decomposition of Indium-containing materials). Some embodiments utilize laser-induced film release processes using epitaxially grown or implanted regions as an optically absorptive region. A single bond-and-release sequence may involve processing an exposed N- face of GaN material. Multiple bond-and-release sequences (involving processing an exposed Ga-face of GaN material) may be employed in series, for example utilizing a temporary handle substrate as an intermediary. Particular embodiments form template blanks of high quality GaN suitable for manufacturing High Brightness-Light Emitting Diode (HB-LED) devices.
Abstract translation: 实施例将用于电子设备（例如，用于光电子器件的GaN）的材料的薄层从施主器转移到处理衬底。 某些实施方案采用键和释放系统，其中沿着通过将颗粒植入供体形成的解理平面发生释放。 一些实施方案可以依赖于在仔细控制的热条件（例如，基于焊料的材料和/或含铟材料的热分解）下将组分从固体转化为液体的释放。 一些实施例使用外延生长或注入区域作为光吸收区域的激光诱导膜释放过程。 单一的释放和释放序列可以涉及处理GaN材料的暴露的N面。 可以串联使用多个键 - 释放序列（涉及处理GaN材料的暴露的Ga-面），例如利用临时手柄衬底作为中间体。 特定实施例形成适用于制造高亮度发光二极管（HB-LED）装置的高质量GaN的模板坯料。
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公开(公告)号：WO2016205484A2
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：PCT/US2016/037825
申请日：2016-06-16
Inventor： MENG, Hong , XU, Xiuru , HU, Dan , YAN, Lijia , HUANG, Wei
CPC classification number: H05B33/26 , H01L51/5296 , H05B33/14 , H05B33/22
Abstract: The present invention provides a planar electroluminescence (EL) device comprising a substrate layer, an electrode layer, an insulating layer and a light emitting layer, with or without an additional protecting layer 1 or 2 or 3, with or without an additional modulating layer, with or without an additional encapsulation layer, wherein the electrode layer comprises a plurality of electrodes that are printed on the same plane of the substrate. In one embodiment, the electrode layer is sandwiched between the insulating layer and the substrate, and the light emitting layer is placed on the surface of the insulating layer. The EL device of the present invention would emit light when liquid, polar component, or conductive solution is written directly on the light emitting layer surface. The EL device can also emit light for prolonged period when the light emitting layer is coated or deposited with conductive material. The planar EL device of the present invention can be easily fabricated into a writing board or lighting device.
Abstract translation: 本发明提供一种包括基底层，电极层，绝缘层和发光层的平面电致发光（EL）器件，具有或不具有附加保护层1或2或3，具有或不具有附加的调制层， 具有或不具有附加的封装层，其中所述电极层包括印刷在所述基板的同一平面上的多个电极。 在一个实施例中，电极层被夹在绝缘层和衬底之间，并且发光层被放置在绝缘层的表面上。 当液体，极性组分或导电溶液直接写在发光层表面上时，本发明的EL器件将发光。 当发光层被涂覆或沉积有导电材料时，EL器件还可以长时间发光。 本发明的平面EL器件可以容易地制造成书写板或照明装置。
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