公开(公告)号：CN102064197A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010287308.0

申请日：2010-09-16

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 孙榕德 ,  李基龙 ,  崔埈厚 ,  郑珉在 ,  朴承圭 ,  李吉远 ,  郑在琓 ,  李东炫 ,  苏炳洙 ,  具贤祐 ,  伊凡·马伊达楚克 ,  洪钟元 ,  罗兴烈 ,  张锡洛

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3262

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管、其制造方法和具有该薄膜晶体管的有机发光二极管显示器装置。所述薄膜晶体管包括：基板；缓冲层，位于所述基板上；半导体层，包括在所述缓冲层上的源/漏区和沟道区；栅绝缘层，对应于所述沟道区；栅极，对应于所述沟道区；和源/漏极，与所述半导体层电连接。所述沟道区的多晶硅层可仅包括小角度晶界，且大角度晶界可布置在所述半导体层的除所述沟道区外的区域中。

公开(公告)号：CN102386090A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110235311.2

申请日：2011-08-16

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  李卓泳 ,  朴钟力 ,  郑胤谟 ,  徐晋旭 ,  李基龙 ,  郑珉在 ,  孙榕德 ,  苏炳洙 ,  朴承圭 ,  李吉远 ,  李东炫 ,  郑在琓 ,  伊凡·马伊达楚克

IPC: H01L21/324 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L29/78675 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种形成多晶硅层的方法，包括：在基板上形成非晶硅层；在所述非晶硅层上形成金属催化剂；在形成所述金属催化剂的所述非晶硅层的整个表面上形成吸杂金属层；以及执行热处理。一种薄膜晶体管包括所述多晶硅层，并且一种有机发光器件包括所述薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN102386235A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110259212.8

申请日：2011-09-02

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  徐晋旭 ,  李基龙 ,  李东炫 ,  李吉远 ,  朴钟力 ,  郑胤谟 ,  李卓泳 ,  苏炳洙 ,  郑珉在 ,  朴承圭 ,  孙榕德 ,  郑在琓

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法和利用该薄膜晶体管的显示设备。该薄膜晶体管包括：基板、提供在所述基板上并且通过利用金属催化剂被结晶化的半导体层、与所述半导体层绝缘并且被设置在所述半导体层上的栅电极、以及设置在所述半导体层与所述栅电极之间的吸气层，所述吸气层利用具有比所述半导体层中的金属催化剂的扩散系数小的扩散系数的金属氧化物形成。

公开(公告)号：CN102214556A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201110041351.3

申请日：2011-02-14

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 李东炫 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  郑珉在 ,  孙榕德 ,  苏炳洙 ,  朴承圭 ,  李吉远 ,  郑胤谟 ,  朴炳建 ,  朴钟力 ,  李卓泳 ,  郑在琓

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明公开了一种使非晶硅层结晶的方法、利用该方法来制造薄膜晶体管的方法以及利用该制造方法制造的薄膜晶体管，所述结晶方法包括以下步骤：形成非晶硅层；在非晶硅层上彼此分开地设置结晶催化剂颗粒；从非晶硅层的一部分选择性地去除结晶催化剂颗粒；通过热处理使非晶硅层结晶。

公开(公告)号：CN102194890A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110064215.6

申请日：2011-03-15

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 李卓泳 ,  朴炳建 ,  郑胤谟 ,  朴种力 ,  李东炫 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  郑珉在 ,  孙榕德 ,  苏炳洙 ,  朴承圭 ,  李吉远 ,  郑在琓

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78645

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)，所述TFT包括基底和在基底上的有源区域，该有源区域包括在有源区域的相对端处的源极区域和漏极区域、至少一个与源极区域或漏极区域相邻的轻掺杂区域、多个沟道区域和在所述多个沟道区域中的两个沟道区域之间的高掺杂区域。所述TFT包括在有源区域上的栅绝缘层和多栅电极，所述多栅电极包括在栅绝缘层上的多个栅电极，所述多个沟道区域设置在对应的栅电极下方，所述源极区域和漏极区域被设置为与所述多栅电极的最外部相邻。所述TFT包括在所述多栅电极上的第一层间绝缘层和源电极与漏电极，所述源电极与漏电极延伸通过第一层间绝缘层并与各自的源极区域和漏极区域接触。

公开(公告)号：CN102386069A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110241085.9

申请日：2011-08-22

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  朴钟力 ,  郑胤谟 ,  李卓泳 ,  徐晋旭 ,  李基龙 ,  郑珉在 ,  孙榕德 ,  苏炳洙 ,  朴承圭 ,  李东炫 ,  李吉远 ,  郑在琓

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L27/3244 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678

Abstract: 一种形成多晶硅层的方法，包括形成第一非晶硅层和形成第二非晶硅层，使得所述第一非晶硅层和所述第二非晶硅层具有彼此不同的膜性质；和用金属催化剂使所述第一非晶硅层和所述第二非晶硅层结晶，以形成第一多晶硅层和第二多晶硅层。一种薄膜晶体管包括由所述方法形成的多晶硅层，和一种有机发光装置包括所述薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN102386070A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110259627.5

申请日：2011-08-31

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 郑胤谋 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  郑珉在 ,  朴承圭 ,  孙榕德 ,  苏炳洙 ,  朴炳建 ,  李吉远 ,  李东炫 ,  李卓泳 ,  朴种力

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明公开了一种形成多晶硅层的方法、一种形成薄膜晶体管的方法、一种薄膜晶体管和一种有机发光显示装置。形成多晶硅层的方法包括：在基底上形成缓冲层；利用氢等离子体处理所述缓冲层；在所述缓冲层上形成非晶硅层；在所述非晶硅层上形成用于使所述非晶硅层晶化的金属催化剂层；以及对所述非晶硅层热处理以形成多晶硅层。

公开(公告)号：CN102290335A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110167103.3

申请日：2011-06-16

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴承圭 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  郑珉在 ,  郑胤谋 ,  孙榕德 ,  苏炳洙 ,  朴炳建 ,  李吉远 ,  李东炫 ,  朴种力 ,  李卓泳 ,  郑在琓

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种使硅层结晶的方法和制造薄膜晶体管的方法，该使硅层结晶的方法包括：在基板上形成催化剂金属层；在所述催化剂金属层上形成催化剂金属压盖图案；在所述催化剂金属压盖图案上形成第二非晶硅层；以及对所述第二非晶硅层进行热处理以形成多晶硅层。

公开(公告)号：CN102270570A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201110156773.5

申请日：2011-06-03

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 郑胤谋 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  郑珉在 ,  孙榕德 ,  苏炳洙 ,  朴承圭 ,  朴炳建 ,  李东炫 ,  李吉远 ,  李卓泳 ,  朴种力

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/314 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L27/1277

Abstract: 本发明公开了一种使硅层结晶的方法及一种使用该方法制造薄膜晶体管的方法，使硅层结晶的方法包括：在基底上形成非晶硅层；对非晶硅层的表面执行疏水性处理，以在非晶硅层上获得疏水性表面；在经历过疏水性处理的非晶硅层上形成金属催化剂；以及热处理其上包括金属催化剂的非晶硅层，以使非晶硅层结晶成多晶硅层。

公开(公告)号：CN102201443A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201110055020.5

申请日：2011-03-07

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 郑胤谟 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  郑珉在 ,  孙榕德 ,  苏炳洙 ,  朴承圭 ,  朴炳建 ,  李东炫 ,  李吉远 ,  李卓泳 ,  朴钟力 ,  郑在琓

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/77 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/66742 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3274 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78618 ,  H01L51/0081

Abstract: 本发明公开了一种基底、制造该基底的方法及包括该基底的有机发光显示装置。该基底包括：有源层，设置在基底上，有源层包括沟道区及源区和漏区；栅电极，设置在有源层上，沟道区与栅电极对应；栅极绝缘层，设置在有源层和栅电极之间；层间绝缘层，设置为覆盖有源层和栅电极，层间绝缘层具有部分地暴露有源层的第一接触孔和第二接触孔；源电极和漏电极，设置在层间绝缘层上，源区和漏区与源电极和漏电极对应；欧姆接触层，欧姆接触层设置在层间绝缘层与源电极和漏电极之间，并通过第一接触孔和第二接触孔接触源区和漏区。