半导体装置、电力变换装置

    公开(公告)号:CN110476235B

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN201780088769.5

    申请日:2017-03-27

    Abstract: 目的在于提供能够抑制工时的增加,且缓和在半导体元件的电极处的引线框的接合部的周缘部产生的应力的技术。半导体装置(30)具备:半导体元件(3),其搭载于散热器(1)之上;引线框(6),其经由作为接合材料的焊料(2b)而与半导体元件(3)的发射极电极(3a)接合;金属膜化膜(5),其形成于金属膜(4)的表面。金属膜(4)的周缘部在整周均从防氧化膜(5)露出。(4),其形成于发射极电极(3a)的表面;以及防氧

    半导体装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108496247A

    公开(公告)日:2018-09-04

    申请号:CN201680079943.5

    申请日:2016-01-29

    CPC classification number: H01L23/34

    Abstract: 本说明书所公开的技术涉及不使产品尺寸大型化,就能够提高半导体元件的散热性和引线电极的散热性的技术。本技术涉及的半导体装置具有:半导体元件(100):作为外部端子的引线电极(102),其一端的下表面与半导体元件(100)的上表面连接;冷却机构(109),其配置于半导体元件(100)的下表面侧;以及散热机构,其热耦合地配置于引线电极(102)的相对于一端而言的另一端侧的下表面与冷却机构(109)之间,且包含至少1个绝缘层(104)。

    半导体装置
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112335025B

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN201880095124.9

    申请日:2018-06-29

    Abstract: 目的在于半导体装置的寿命的均一化。半导体装置(101)具有:半导体元件(1),其具有正面金属(11);引线框(2),其具有第1部分(21);接合层(5),其具有第1层(51)以及第2层(52);以及焊料(31),其比接合层厚。正面金属、第1部分分别以第1金属、第2金属为材料。第1层、第2层分别是第1金属与锡的合金、第2金属与锡的合金。接合层位于第1部分与正面金属之间。第1层、第2层分别位于正面金属侧、第1部分侧。在第1部分,多个孔避开正面金属的外轮廓而贯通。焊料位于多个孔的内部,与接合层相邻。多个孔包含将第1部分沿其厚度方向贯通的多个第1孔(211)。在与正面金属的外轮廓相比更靠内侧的环状区域(213)存在第1孔。

    半导体装置
    10.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN114008770A

    公开(公告)日:2022-02-01

    申请号:CN201980097696.5

    申请日:2019-06-25

    Abstract: 目的在于提供能够抑制半导体模块的表面处的凸出部分的高度的技术。半导体装置具有:半导体模块,其具有第1槽部;碟形弹簧,其在外表面具有凹部,在内表面具有凸部;以及螺钉,其穿过碟形弹簧的孔和半导体模块的第1槽部而将半导体模块与被安装体螺合。螺钉的头部被收容于碟形弹簧的凹部,碟形弹簧的凸部的至少一部分被收容于半导体模块的第1槽部。

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