公开(公告)号：CN103124806B

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201180046575.1

申请日：2011-09-05

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 河野有美子 ,  有马进

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  H01L27/105 ,  H01L45/00

CPC分类号： C23C16/06 ,  C23C16/305 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45523 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616

摘要： 一种Ge-Sb-Te膜的成膜方法，在处理容器内配置基板，将气态的Ge原料、气态的Sb原料和气态的Te原料导入到上述处理容器内通过CVD在基板上形成成为Ge2Sb2Te5的Ge-Sb-Te膜，其具有如下工序：将气态的Ge原料和气态的Sb原料、或在它们基础上还将不形成Ge2Sb2Te5程度的少量的气态的Te原料导入上述处理容器内，在基板上形成不含Te或含有与Ge2Sb2Te5相比少量的Te的前体膜的工序（工序2）以及将气态的Te原料导入处理容器内，使Te吸附在前体膜上，调整膜中的Te浓度的工序（工序3）。

公开(公告)号：CN101395297B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN200780007041.1

申请日：2007-02-27

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 河野有美子 ,  山崎英亮 ,  有马进

IPC分类号： C23C16/18 ,  H01L21/285

CPC分类号： C23C16/06 ,  C23C16/045 ,  C23C16/18 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843

摘要： 本发明提供一种钌膜的成膜方法以及计算机能够读取的存储介质，该钌膜的成膜方法为，将基板配置在处理容器内，对基板进行加热，向处理容器内导入钌的戊二烯基化合物气体(例如2，4-二甲基戊二烯基乙基环戊二烯基钌)和氧气，使这些气体在被加热的基板上反应，在基板上形成钌膜。此外，将基板配置在处理容器内，对基板进行加热，以钌化合物气体和能分解该化合物的分解气体中的至少一方的流量能够周期性变化的方式导入这些气体，交互地形成不同气体组成的多个步骤，在这些步骤间不对处理容器内进行吹扫，使这些气体在被加热的基板上反应，在基板上形成钌膜。

公开(公告)号：CN1717791B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200380104440.1

申请日：2003-11-14

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 山﨑英亮 ,  中村和仁 ,  松泽兴明 ,  松田司 ,  河野有美子

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  H01L21/3065

CPC分类号： C23C16/4405 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32862

摘要： 本发明的目的是提供一种降低基板处理容器内部件损害的基板处理装置的清洗方法。按照本发明的用来清洗处理被处理基板的基板处理装置中的基板处理容器的方法由下面的工序组成：向设置在所述基板处理装置中的远程等离子体发生部中导入气体的气体导入工序；由所述远程等离子体发生部激励气体生成反应种的反应种生成工序；在从所述远程等离子体发生部向处理容器中供给反应种，并使所述处理容器内的压力达到1333Pa以上状态的反应工序。

公开(公告)号：CN101128620B

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN200680006297.6

申请日：2006-07-07

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 中村和仁 ,  山崎英亮 ,  河野有美子

IPC分类号： C23C16/42 ,  C23C16/46 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285

CPC分类号： C23C16/46 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843

摘要： 本发明涉及一种成膜方法，具备向能够抽真空的处理容器内供给高熔点金属有机原料气体的第一气体供给工序；向上述处理容器内供给包括含氮气体、含硅气体或含碳气体中的任一种或多种气体的第二气体供给工序，在载置于上述处理容器内的被处理体表面，形成由高熔点金属的氮化物、硅化物、碳化物中的任一种或多种构成的金属化合物膜的薄膜。上述第一气体供给工序和第二气体供给工序交替进行，在第一气体供给工序中和第二气体供给工序中，上述被处理体的温度维持在上述高熔点金属有机原料的分解开始温度以上的温度。

公开(公告)号：CN100557075C

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200580010029.7

申请日：2005-02-15

申请人： 东京毅力科创株式会社 ,  国际商业机器公司

发明人： 中村和仁 ,  考利·瓦吉达 ,  恩里科·莫斯卡 ,  格特·莱乌辛克 ,  芬顿·R·麦克非 ,  河野有美子 ,  桑德拉·G·马尔霍特拉

IPC分类号： C23C16/16 ,  C23C16/458

CPC分类号： C23C16/4581 ,  C23C16/16

摘要： 本发明涉及在处理室(10)中的陶瓷衬底加热器(20，600，700)上处理衬底(25，620，720)的方法。所述方法包括：在所述处理室(10)中的所述陶瓷衬底加热器(20，600，700)上形成保护涂层(730，790)，并在所述经涂敷的衬底加热器上处理衬底(25，620，720)。所述方法可以包括将待处理的衬底(25，620，720)提供到所述经涂敷的陶瓷衬底加热器上，通过将所述衬底(25，620，720)暴露于处理气体中对所述衬底(25，620，720)进行处理，并将所述经处理的衬底从所述处理室(10)中取出。

公开(公告)号：CN101356626A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200680047198.2

申请日：2006-11-24

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 山崎英亮 ,  秋山浩二 ,  山崎和良 ,  河野有美子

IPC分类号： H01L21/28 ,  C23C16/56 ,  H01L21/285 ,  H01L29/78

CPC分类号： C23C16/16 ,  C23C8/16 ,  C23C8/36 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28176 ,  H01L29/495 ,  H01L29/517

摘要： 本发明提供一种金属类膜的脱碳处理方法、成膜方法和半导体装置的制造方法，在作为半导体基板的Si基板(1)上形成栅极绝缘膜(2)，接着在栅极绝缘膜(2)上通过使用包含W(CO)6气体的成膜气体的CVD形成W类膜(3a)。然后，在存在有还原性气体的条件下进行氧化处理，不使W类膜(3a)中的W被氧化而仅使C被选择性地氧化，从而使W类膜(3a)中所包含的C浓度降低。其后，根据需要，在实施热处理后，进行抗蚀剂涂敷、制作布线图案、蚀刻等，而且通过离子注入等形成杂质扩散区域(10)，由此形成MOS结构的半导体装置。

公开(公告)号：CN101273154A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200680035493.6

申请日：2006-07-25

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 山崎英亮 ,  中村和仁 ,  河野有美子

IPC分类号： C23C16/44 ,  H01L21/304

CPC分类号： C23C16/0227 ,  C23C16/16 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4405

摘要： 本发明提供一种基板处理方法，是成膜装置的基板处理方法，该成膜装置包括保持被处理基板并具有加热单元的保持台、和在内部配置有上述保持台的处理容器，该基板处理方法的特征在于，包括：向上述处理容器供给成膜气体，在上述被处理基板上进行成膜的成膜工序；在上述成膜工序之后，向上述处理容器供给已进行等离子体激励的清洁气体，进行上述处理容器内的清洁的清洁工序；和在上述清洁工序之后，在上述处理容器内进行涂敷成膜的涂敷工序，在上述清洁工序中，包括控制上述处理容器内的压力，使得利用已进行等离子体激励的上述清洁气体中的自由基再结合而成的分子进行的清洁起支配作用的高压工序，在上述涂敷工序中，包括相比上述成膜工序的对上述被处理基板进行成膜的情况，使上述保持台的温度降低并进行上述涂敷成膜的低温成膜工序。

公开(公告)号：CN101268212A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200680034815.5

申请日：2006-07-25

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 山崎英亮 ,  河野有美子

IPC分类号： C23C16/448

CPC分类号： C23C16/4481

摘要： 本发明提供一种原料供给装置，是向成膜装置供给使固体原料升华的气体原料的原料供给装置，其特征在于，包括：内部保持所述固体原料的原料容器；设置在所述原料容器的第一侧的第一加热单元；设置在所述原料容器的第二侧的第二加热单元；第一温度控制单元，进行第一处理，控制所述第一加热单元以及所述第二加热单元，使所述第一侧的温度比所述第二侧的温度高，以使所述固体原料在所述第一侧升华；以及第二温度控制单元，进行第二处理，控制所述第一加热单元以及所述第二加热单元，使所述第二侧的温度比所述第一侧的温度高，以使所述固体原料在所述第二侧升华。

公开(公告)号：CN101027426A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200580032606.2

申请日：2005-09-27

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 山崎英亮 ,  河野有美子 ,  格特·J·莱乌辛克

IPC分类号： C23C16/18 ,  H01L21/285

CPC分类号： H01L21/76843 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76873

摘要： 本发明提供了一种在衬底上沉积Ru金属层的方法。所述方法包括：将衬底提供到处理室中；将处理气体引入所述处理室，其中，所述处理气体包括载气、钌－羰基前驱体和氢气。本发明还包括通过热化学气相沉积工艺将Ru金属层沉积到所述衬底上。在本发明的一个实施方式中，所述钌－羰基前驱体包括Ru3(CO)12，并且所述Ru金属层可以在使所述Ru金属层主要具有Ru(002)结晶取向的衬底温度下沉积。

公开(公告)号：CN1295756C

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN01803734.8

申请日：2001-11-13

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 山崎英亮 ,  立花光博 ,  大久保和哉 ,  铃木健二 ,  河野有美子

IPC分类号： H01L21/285

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

摘要： 一种金属膜形成方法，包括：步骤(a)(s13，s15)向基底阻挡膜(3)依次输送多种原料气体，其中至少一种气体包括金属；和(b)(s14，s16)在输送步骤(a)的原料气体之后，分别对步骤(a)的原料气体进行抽真空-排放或用其它种类气体替换步骤(a)的原料气体，由此在基底阻挡膜(3)上形成超薄金属膜(5)。