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公开(公告)号：CN114388675B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202111568088.3
申请日：2021-12-21
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种GaN基微型LED芯片及其制备方法，所述LED芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、P型电极层、介质层、P型半导体层、有源层、N型半导体层、N型电极层。所述LED芯片的径向尺寸在40μm以下。在所述介质层上设有若干小孔，P型电极层通过小孔与P型半导体层接触。通过调整介质层表面的小孔边缘到台面边缘的距离，结合芯片边缘区域设置的电隔离区域，本发明能够实现高光反射率，且可以调制电流扩展长度，限制电流部分远离表面缺陷，减弱载流子在侧壁面产生非辐射复合，最终可以提高微型LED芯片的电光转换效率。
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公开(公告)号：CN117393662A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311379758.6
申请日：2023-10-24
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
摘要： 本发明提供一种电流阻挡层的制备方法、硅衬底垂直结构LED芯片。电流阻挡层的制备方法包括以下步骤：（1）清洗硅衬底外延片表面；（2）使用气相化学沉积仪在硅衬底外延片表面沉积二氧化硅；（3）在所述二氧化硅表面沉积氧化铝；（4）在所述氧化铝表面涂覆光刻胶，使用掩膜版曝光后显影并刻蚀二氧化硅和氧化铝至外延片表面露出，去除光刻胶，得到电流阻挡层。硅衬底垂直结构LED芯片自下而上为硅基板、保护粘结金属层、反射金属层、电流阻挡层、半导体发光层、N电极金属层。本发明的电流阻挡层可抑制N电极下方有源区发光，使电流扩散更均匀、提高芯片发光效率；避免现有工艺在制备电流阻挡层时产生的刻蚀损伤导致芯片良率和可靠性降低。
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公开(公告)号：CN109378378B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN201811235637.3
申请日：2018-10-23
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种垂直结构LED芯片，所述芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、第一电极、发光层、粗化层、第二电极接触层、第二电极，第二电极与第一电极共同构成反射电极。本发明还公开了一种垂直结构LED芯片的反射电极及其制备方法。本发明有效减少了第二电极正下方区域的电流注入，减少第二电极对正下方区域发光的遮挡，且该反射电极结构可以同时兼顾高光反射率和低欧姆接触，最终提高了AlGaInP薄膜LED芯片的光提取效率。
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公开(公告)号：CN117111420A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311099718.6
申请日：2023-08-30
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于制备金属凸点的双层正性光刻胶剥离方法：S1，外延片清洗；S2，在外延片上旋涂底层的第一类型正性光刻胶；S3，软烘，对第一类型正性光刻胶进行固化；S4，在第一类型正性光刻胶表面旋涂顶层的第二类型正性光刻胶；S5，软烘，对第二类型正性光刻胶进行固化；S6，曝光，使用光刻机对双层光刻胶进行曝光；S7，后烘焙；S8，显影，使用碱性显影液对双层光刻胶进行显影；S9，金属沉积，使用金属沉积设备沉积金属膜；S10，使用光刻胶剥离液对双层光刻胶进行剥离；S11，在外延片表面制备得到金属凸点。本发明通过双层正性光刻胶实现Lift‑off工艺，解决了Micro‑LED微显示器件中小尺寸金属凸点难以制备的问题，可实现间距小且厚度高的金属凸点制备。
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公开(公告)号：CN109037412B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201810937533.0
申请日：2018-08-16
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种具有掩膜层的反极性LED芯片，所述芯片包括基板层、键合层、粘结保护层、复合结构层、外延层、掩膜层、N电极和钝化层；基板层的上面依次从下至上为键合层、粘结保护层、复合结构层；外延层在复合结构层的上面，外延层依次从下至上为p型层、发光层、n型层、粗化层、欧姆接触层；在外延层上面设有掩膜层、N电极和钝化层，掩膜层在欧姆接触层之上，且与N电极图形对应，环绕在N电极周围。本发明还提出一种具有掩膜层的反极性LED芯片的制备方法。本发明可以解决粗化工艺中，欧姆接触层湿法腐蚀过程侧钻导致的N电极脱落问题，有效地提高了LED芯片的制备良率。
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公开(公告)号：CN116404074A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310235069.1
申请日：2023-03-13
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种高光效单面低面积比例出光的微型LED芯片制备方法，对于单面出光且出光面积比例小于80%的微型LED芯片，在制备方法上，在衬底上先生长过渡层，进而获得晶体质量较好的第一半导体层、有源层、第二半导体层，这样能提升材料质量和器件的内量子效率；另外，在LED初始外延与永久基板完成键合并去除衬底后，去除过渡层、部分第一半导体层获得的效果，一是在外延被减薄后，LED芯片的纵向尺寸减小，横向尺寸不变，增大了LED芯片正向的出光角，而又由于LED芯片的侧壁存在挡光的第一电极层，在侧壁出光占比减小的情况下，LED芯片的正向出光性得到了提升，二是减少了这些部分对发射光的吸收；最终，结合粗化表面，能大幅度提升LED芯片的光提取效率。
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公开(公告)号：CN116314481A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310130572.0
申请日：2023-02-17
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种RGB三色集成的Mini‑LED芯片及其制造方法、显示面板，该RGB三色集成的Mini‑LED芯片的制造方法包括刻蚀外延片获得分别含RGB三色的Mini‑LED阵列的外延片，在Mini‑LED阵列上制备P型反射电极层和第一粘结层，通过键合的方式依次将三种颜色的Mini‑LED阵列转移至支撑基板，沉积绝缘材料钝化侧壁并蒸发形成N型电极。本发明通过刻蚀一定厚度的硅衬底，在键合转移过程中，后转移的Mini‑LED阵列的硅衬底不会接触到已经转移的Mini‑LED阵列，实现大量Mini‑LED芯片的精准转移，有效解决键合转移过程中的对位精度和转移效率的问题。且在芯片制造过程中即可实现单个像素中RGB三色Mini‑LED芯片的集成，可简化后续的封装工艺，制程简单，降低了Mini‑LED的制造成本。
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公开(公告)号：CN113445005B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110555105.3
申请日：2021-05-21
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种低应力TiW薄膜的制备方法，它是在待沉积薄膜的基片上，小沉积速率下生长偏薄的种子薄膜层，大沉积速率下生长主要薄膜层，通过控制生长的厚度和速率，使得两层的薄膜达到最优结合，得到低应力的TiW薄膜。本发明在基片上分步沉积TiW薄膜，小沉积速率下生长的种子薄膜层致密度高，通过与基片原子相互融合获得具有高可靠性的界面；大沉积速率下生长的主要薄膜层，在种子层缓冲基础上生长的薄膜附着力增强，使得TiW薄膜厚度稳定、分布均匀，对基片的应力减弱、消散，使其变形量较小并得到低应力高质量的TiW薄膜的制备方法。本发明的TiW薄膜可以通过常用沉积方式进行制备，获得薄膜的稳定性高，膜层应力低，具有较好的可用及推广性。
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公开(公告)号：CN112635634A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011418477.3
申请日：2020-12-07
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种紫外LED的P型欧姆反射电极结构及其制备方法，所述P型欧姆反射电极结构采用NiOx/Al。制备方法为：先沉积Ni层，厚度为0.1nm‑10nm；在含氧氛围下进行氧化，使镍氧化成NiOx，降低与P‑AlGaInN的接触电阻；再制备Al层，厚度为10 nm‑300 nm。本发明提出的NiOx/Al P型欧姆反射电极，应用于紫外LED，可以同时兼顾高光反射率和低欧姆接触，有助于获得高光效的紫外LED。
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公开(公告)号：CN111968907A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010661636.6
申请日：2020-07-10
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3065 , H01J37/32
摘要： 本发明公开了一种氮极性Ⅲ族氮化物粗化方法，方法包括在硅衬底上生长Ⅲ族氮化物叠层，接着在氮化物叠层上制备包括高反射金属的金属叠层，在基板的正反面制备金属叠层，并采用晶圆热压键合方法将所述制备金属叠层的Ⅲ族氮化物叠层与基板键合在一起，之后用湿法腐蚀的方法去除所述硅衬底，露出氮极性Ⅲ族氮化物叠层的缓冲层AlN，从基板的上方对所述的Ⅲ族氮化物叠层表面进行干法刻蚀，采用氧等离子体对干法刻蚀后的表面进行处理，然后对该表面进行湿法粗化。本发明具有先进行表面处理再进行粗化、在不增加外延成本的情况下得到均匀的氮极性Ⅲ族氮化物粗化表面、工艺简单、最终提高产品可靠性的优点。
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