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公开(公告)号：CN101814502A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010004777.7
申请日：2010-01-20
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L27/092 , H01L29/49 , H01L21/8238 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/823842 , H01L21/28088 , H01L21/823807 , H01L21/823857 , H01L29/1054 , H01L29/4966 , H01L29/517
摘要： 本发明涉及一种具有双金属栅极的半导体器件以及制造方法。一种半导体器件包括：半导体衬底；形成在所述衬底上的PFET，所述PFET包括设置在所述衬底上的SiGe层、设置在所述SiGe层上的高k电介质层、设置在所述高k电介质层上的第一金属层、设置在所述第一金属层上的第一中间层、设置在所述第一中间层上的第二金属层、设置在所述第二金属层上的第二中间层、以及设置在所述第二中间层上的第三金属层；形成在所述衬底上的NFET，所述NFET包括设置在所述衬底上的所述高k电介质层、设置在所述高k电介质层上的所述第二中间层、以及设置在所述第二中间层上的所述第三金属层。可选地，省去所述第一金属层。一种制造该器件的方法包括提供SiO2和α-Si层或dBARC层。
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公开(公告)号：CN102282655B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN200980152783.2
申请日：2009-11-19
IPC分类号： H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/823842 , H01L21/823857
摘要： 本发明的实施例提供一种形成用于场效晶体管的栅极叠层的方法。该方法包括以下步骤：在第一氮化钛(TiN)层上直接形成含金属层，该第一TiN层覆盖指定用于第一类型的场效晶体管和第二类型的场效晶体管的半导体衬底的区域；在该含金属层的顶上形成第二TiN层的覆盖层；构图该第二TiN层和该含金属层以仅覆盖该第一TiN层的第一部分，该第一TiN层的该第一部分覆盖指定用于该第一类型的场效晶体管的区域；蚀刻掉通过该构图暴露的该第一TiN层的第二部分，同时通过以该经构图的含金属层的厚度的至少一部分来覆盖，而保护该第一TiN层的该第一部分不受该蚀刻；以及形成覆盖指定用于该第二类型的场效晶体管的该半导体衬底的区域的第三TiN层。
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公开(公告)号：CN102282655A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200980152783.2
申请日：2009-11-19
IPC分类号： H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/823842 , H01L21/823857
摘要： 本发明的实施例提供一种形成用于场效晶体管的栅极叠层的方法。该方法包括以下步骤：在第一氮化钛(TiN)层上直接形成含金属层，该第一TiN层覆盖指定用于第一类型的场效晶体管和第二类型的场效晶体管的半导体衬底的区域；在该含金属层的顶上形成第二TiN层的覆盖层；构图该第二TiN层和该含金属层以仅覆盖该第一TiN层的第一部分，该第一TiN层的该第一部分覆盖指定用于该第一类型的场效晶体管的区域；蚀刻掉通过该构图暴露的该第一TiN层的第二部分，同时通过以该经构图的含金属层的厚度的至少一部分来覆盖，而保护该第一TiN层的该第一部分不受该蚀刻；以及形成覆盖指定用于该第二类型的场效晶体管的该半导体衬底的区域的第三TiN层。
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公开(公告)号：CN1838401A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200510137330.6
申请日：2005-11-17
申请人： 因芬尼昂技术股份公司 , 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L21/8222 , H01L21/82 , H01L21/02 , H01L21/00
CPC分类号： H01L27/1087 , H01L29/66181
摘要： 本发明提供一种瓶形沟槽及瓶形沟槽式电容器的制造方法，该方法包括：提供衬底；在衬底中形成沟槽，该沟槽具有侧壁和底部，沟槽具有与衬底顶表面相邻的上部区域和与沟槽底部相邻的下部区域；在沟槽的底部区域形成衬底氧化层；从沟槽的底部区域除去所述衬底氧化层，沟槽下部区域的横截面积大于沟槽上部区域的横截面积。
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公开(公告)号：CN1188904C
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN99127764.3
申请日：1999-12-03
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/3213
CPC分类号： H01L21/02071 , H01L21/02054 , H01L21/31138 , H01L21/32136 , Y10S134/902
摘要： 一种清除反应离子蚀刻后在半导体结构或微电子复合结构的铝/铜金属连线上形成的聚合物细条的方法，该方法包含如下步骤：将蚀刻气体与酸中和气体混合物导入真空室，其中所述复合结构支撑于真空室内，以便使反应离子蚀刻工艺后于铜/铝金属连线上残留的侧壁聚合物细条形成水溶性物质；用去离子水清除该水溶性物质；再使用仅含水的等离子法或化学顺流蚀刻方法从所述复合结构上清除光致抗蚀剂。
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公开(公告)号：CN1352673A
公开(公告)日：2002-06-05
申请号：CN00808137.9
申请日：2000-09-05
申请人： 因芬尼昂技术北美公司 , 国际商业机器公司
IPC分类号： C09G1/02 , H01L21/3105
CPC分类号： H01L21/31053
摘要： 一种用于化学机械抛光二氧化硅工件的水性无浆组合物,其包括:能在中性至碱性pH条件下溶解和离解的阳离子表面活性剂,其中阳离子表面活性剂在水性无浆组合物中的存在量低于其临界胶束浓度。
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公开(公告)号：CN1256992A
公开(公告)日：2000-06-21
申请号：CN99120301.1
申请日：1999-09-17
IPC分类号： B24B1/00 , H01L21/304 , H01L21/465 , C09K13/00
CPC分类号： H01L21/7684 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
摘要： 本发明涉及一种在化学机械抛光中用于减少作为工件镶嵌于电介质中的有图案大金属面凹陷的组合物,包括:粘性增加量的增强剂代替含有研磨剂的抛光浆中的去离子水。
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公开(公告)号：CN101814502B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201010004777.7
申请日：2010-01-20
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L27/092 , H01L29/49 , H01L21/8238 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/823842 , H01L21/28088 , H01L21/823807 , H01L21/823857 , H01L29/1054 , H01L29/4966 , H01L29/517
摘要： 本发明涉及一种具有双金属栅极的半导体器件以及制造方法。一种半导体器件包括：半导体衬底；形成在所述衬底上的PFET，所述PFET包括设置在所述衬底上的SiGe层、设置在所述SiGe层上的高k电介质层、设置在所述高k电介质层上的第一金属层、设置在所述第一金属层上的第一中间层、设置在所述第一中间层上的第二金属层、设置在所述第二金属层上的第二中间层、以及设置在所述第二中间层上的第三金属层；形成在所述衬底上的NFET，所述NFET包括设置在所述衬底上的所述高k电介质层、设置在所述高k电介质层上的所述第二中间层、以及设置在所述第二中间层上的所述第三金属层。可选地，省去所述第一金属层。一种制造该器件的方法包括提供SiO2和α-Si层或dBARC层。
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公开(公告)号：CN102341894A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201080010188.8
申请日：2010-04-14
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L29/517 , H01L21/28185 , H01L21/823842 , H01L21/823857 , H01L29/49 , H01L29/7833
摘要： 在一个实施例中，本发明提供了一种形成半导体器件的方法，其包括：提供衬底，所述衬底包括第一导电类型区域和第二导电类型区域；形成栅极叠层，其包括在所述第一导电类型区域和所述第二导电类型区域顶上的栅极电介质以及覆盖所述高k栅极电介质的第一金属栅极导体；去除所述第一金属栅极导体的在所述第一导电类型区域中的部分，以暴露所述第一导电类型区域中的所述栅极电介质；向所述衬底施加基于氮的等离子体，其中所述基于氮的等离子体使在所述第一导电类型区域中的栅极电介质氮化，并使所述第二导电类型区域中的第一金属栅极导体氮化；以及形成第二金属栅极导体，其至少覆盖所述第一导电类型区域中的栅极电介质。
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公开(公告)号：CN1211448C
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN00808137.9
申请日：2000-09-05
申请人： 因芬尼昂技术北美公司 , 国际商业机器公司
IPC分类号： C09G1/02 , H01L21/3105
CPC分类号： H01L21/31053
摘要： 一种用于化学机械抛光二氧化硅工件的水性无浆组合物，其包括：能在中性至碱性pH条件下溶解和离解的阳离子表面活性剂，其中阳离子表面活性剂在水性无浆组合物中的存在量低于其临界胶束浓度。
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