公开(公告)号：CN116895513A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310352493.4

申请日：2023-04-04

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 小林忠正 ,  山本良明 ,  佐佐木康次 ,  阿部洋一

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01J37/20

摘要： 本发明的等离子体处理装置包括电极凸缘、腔室、绝缘凸缘、处理室、支撑部和高频电源。在安装凸缘与电极凸缘之间，配置有用于限定安装凸缘与电极凸缘之间的相隔距离的绝缘间隔部。绝缘间隔部被埋入于绝缘凸缘中。

公开(公告)号：CN109891559B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201880004039.7

申请日：2018-08-17

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 小林忠正 ,  座间秀昭

IPC分类号： H01L21/316 ,  C23C14/08 ,  C23C16/42 ,  H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

摘要： 半导体装置(30)的制造方法包含：形成主要成分为氧化物半导体的半导体层(31)；及在半导体层(31)的表面(31s)形成主要成分为氧化硅且氢原子浓度为1×1021个/cm3以下的绝缘体层(32)。

公开(公告)号：CN110176388A

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201910119218.1

申请日：2019-02-15

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 座间秀昭 ,  小林忠正

IPC分类号： H01L21/02

摘要： 本发明的课题在于提供一种能够减轻因绝缘体层的层积而引起的介电特性的劣化的电介质元件的制造方法和电介质元件。本发明的电介质元件的制造方法包括：形成包含表面的氧化物电介质层(12)；以及在氧化物电介质层(12)的表面形成上部绝缘体层(14)，该上部绝缘体层(14)以硅氧化物为主成分、且氢原子的浓度为1×1021个/cm3以下。上部绝缘体层(14)的形成中，通过等离子体CVD法形成上部绝缘体层(14)，该等离子体CVD法中使用了由不含氢的甲硅烷基异氰酸酯化合物构成的原料气体、以及不含氢的含氧气体。

公开(公告)号：CN109891559A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201880004039.7

申请日：2018-08-17

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 小林忠正 ,  座间秀昭

IPC分类号： H01L21/316 ,  C23C14/08 ,  C23C16/42 ,  H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

摘要： 半导体装置(30)的制造方法包含：形成主要成分为氧化物半导体的半导体层(31)；及在半导体层(31)的表面(31s)形成主要成分为氧化硅且氢原子浓度为1×1021个/cm3以下的绝缘体层(32)。

公开(公告)号：CN116892017A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310357382.2

申请日：2023-04-06

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 小林忠正 ,  西方靖

IPC分类号： C23C16/50 ,  C23C16/455 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32 ,  H01L21/205

摘要： 本发明公开一种簇射板及等离子体处理装置。本发明的簇射板包括：等离子体形成表面、气体供给表面、多个气体流路、形成在所述等离子体形成表面上的多个空心阴极狭缝、以及配置在所述多个空心阴极狭缝各自的内部的多个气体喷出口。所述多个空心阴极狭缝以彼此不交叉的方式配置。在所述多个空心阴极狭缝各自的内部开口有所述多个气体流路。所述等离子体形成表面具有多个深度设定区域。在所述多个深度设定区域各自中被设定为在所述厚度方向上的所述多个空心阴极狭缝各自的深度变大。所述多个深度设定区域之中彼此邻接的两个深度设定区域之间的边界和所述多个空心阴极狭缝各自彼此不交叉。

公开(公告)号：CN102301487A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201080005941.4

申请日：2010-01-29

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 内田宽人 ,  藤长徹志 ,  若井雅文 ,  小林忠正 ,  植喜信 ,  中村久三 ,  浅利伸 ,  齐藤一也 ,  松本浩一 ,  清水康男 ,  森胜彦

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： C23C16/54 ,  C23C16/24 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 该光电转换装置的制造方法为在基板(1)上形成的透明导电膜(2)上依次层压第一光电转换单元(3)和第二光电转换单元(4)的光电转换装置(10)的制造方法，在多个第一等离子体CVD反应室(62、63、64、65)中，分别形成第一p型半导体层(31)、第一i型半导体层(32)、第一n型半导体层(33)和第二p型半导体层(41)，将所述第二p型半导体层(41)暴露在大气气氛中，在形成第二i型半导体层(42)之前，向第二等离子体CVD反应室(72)内供给含p型杂质的气体，在所述第二等离子体CVD反应室(72)中，在大气中暴露过的所述第二p型半导体层(41)上形成所述第二i型半导体层(42)，在所述第二i型半导体层(42)上形成所述第二n型半导体层(43)。

公开(公告)号：CN111918982A

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN202080002098.8

申请日：2020-02-13

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 小林忠正 ,  座间秀昭

IPC分类号： C23C16/42 ,  C23C16/509 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

摘要： 等离子体CVD装置(10)具备：真空槽(21)，其划定存储成膜对象(S)的空间；储藏部(30)，其储藏不含氢的异氰酸酯基硅烷，在储藏部(30)内对异氰酸酯基硅烷进行加热，生成用于供给至真空槽(21)中的异氰酸酯基硅烷气体；配管(11)，其将储藏部(30)与真空槽(21)连接，用于将储藏部(30)生成的异氰酸酯基硅烷气体供给至真空槽(21)；温度调节部(12)，其将配管(11)的温度调节为83℃以上180℃以下；电极(22)，其配置在真空槽(21)内；以及电源(23)，其向电极(22)供给高频电力。在真空槽(21)中，在成膜对象(S)上形成氧化硅膜时，真空槽(21)内的压力为50Pa以上且小于500Pa。

公开(公告)号：CN102132416A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200980132750.1

申请日：2009-08-28

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 朝比奈伸一 ,  内田宽人 ,  浅利伸 ,  桥本征典 ,  藤长徹志 ,  小林忠正 ,  若井雅文 ,  今北健一 ,  植喜信 ,  齐藤一也 ,  中村久三

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： H01L31/077 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 该光电转换装置的制造方法中，在各不相同的减压室内连续形成构成第一光电转换单元(3)的第一p型半导体层(31)、第一i型半导体层(32)和第一n型半导体层(33)以及构成第二光电转换单元(4)的第二p型半导体层(41)，将所述第二p型半导体层(41)暴露在大气气氛中，在相同的减压室内将构成所述第二光电转换单元的第二i型半导体层(42)和第二n型半导体层(43)形成在暴露在所述大气气氛中的所述第二光电转换单元(4)的所述p型半导体层(41)上。