公开(公告)号：CN1331230C

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN02105217.4

申请日：1997-10-10

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金钟钚 ,  权泰勋 ,  金喆重 ,  李硕均

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L21/8226 ,  H01L21/8224 ,  H01L21/8228 ,  H01L21/82285 ,  H01L27/0233 ,  H01L27/0647 ,  H01L27/0826

摘要： 有横向npn双极晶体管，垂直和横向pnp双极晶体管，集成注入逻辑，扩散电容器、多晶硅电容器和多晶硅电阻器的互补双极晶体管。横向双极晶体管有包括高浓度区和低浓度区的发射区和集电区，发射区形成在n型桶形区中。集成注入逻辑电路中，集电区由高浓度p型区包围，低浓度p型区形成在集电区下面。一个衬底中形成扩散电容器和多晶硅电容器。扩散区在形成多晶硅电阻器之前，除了把多晶硅电阻器中的杂质扩散进外延层中形成的区域之外，还形成沿多晶硅电阻器的多晶硅电极。

公开(公告)号：CN1604327A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410082521.2

申请日：2004-09-20

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 神田良 ,  大川重明 ,  吉武和广

IPC分类号： H01L27/06

CPC分类号： H01L21/8224 ,  H01L27/0821 ,  H01L29/7322

摘要： 在本发明的半导体集成电路装置(1)中，在构成小信号部(2)的第一以及第二岛区(7、8)中，在衬底(4)和外延层(5)之间形成N型的埋入扩散区(27)。而且，N型的埋入扩散区(27)与被施加了电源电位的N型的扩散区(25、26)连结。由此，在构成小信号部(2)的区域(7、8)中，由被施加了电源电位的N型的埋入扩散区(27)来区分衬底(4)和外延层(5)。其结果，可防止由于电机的反电动势而从功率NPN晶体管(3)产生的自由载流子(电子)流入小信号部(2)，可以防止小信号部(2)的误动作。

公开(公告)号：CN107017291A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201611116192.8

申请日：2016-12-07

申请人： 精工爱普生株式会社

发明人： 桑泽和伸 ,  佐久间盛敬 ,  新田博明 ,  関泽充生 ,  远藤刚廣

IPC分类号： H01L29/735 ,  H01L29/866 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/0615 ,  H01L21/8224 ,  H01L21/8228 ,  H01L27/0814 ,  H01L27/0821 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0626 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66106 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/6625 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/732 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/866 ,  H01L29/94 ,  H01L29/0619

摘要： 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，其混装有多个不同种类的电路元件从而实现多样的电路。该半导体装置具备：第一导电型的半导体基板；配置在半导体基板中的第二导电型的第一及第二埋入扩散层；配置在半导体基板上的半导体层；配置在半导体层中且在第一埋入扩散层上于俯视观察时包围半导体层的第一区域的第二导电型的第一杂质扩散区；配置在半导体层的第二埋入扩散层上的第二导电型的第二杂质扩散区；配置在半导体层的第一区域内的第二导电型的第一阱；配置在半导体层中与第二杂质扩散区相接的第二区域内的第一导电型的第二阱；配置在第一阱中的第一导电型的第三及第四杂质扩散区；配置在第二阱中的第一导电型的第五杂质扩散区。

公开(公告)号：CN1305138C

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200410082581.4

申请日：2004-09-21

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 神田良 ,  大川重明 ,  吉武和广

IPC分类号： H01L27/06

CPC分类号： H01L27/0826 ,  H01L21/8224 ,  H01L27/0821

摘要： 本发明提供一种半导体集成电路装置。在本发明的半导体集成电路装置(1)中，在构成小信号部(2)的岛区域(8、9)中，在衬底(4)和外延层(5)之间形成N型的埋入扩散区域(29)。由此，在构成小信号部(2)的岛区域(8、9)中，实际上，在施加电源电位的N型的埋入扩散区域(29)中区分衬底(4)和第一外延层(5)。其结果，可以防止由于电机的反电动势而从功率NPN晶体管(3)产生的自由载流子(电子)流入小信号部(2)，并防止小信号部(2)的误动作。

公开(公告)号：CN1201405C

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN02105218.2

申请日：1997-10-10

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金钟钚 ,  权泰勋 ,  金喆重 ,  李硕均

IPC分类号： H01L29/735 ,  H01L21/331 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L21/8226 ,  H01L21/8224 ,  H01L21/8228 ,  H01L21/82285 ,  H01L27/0233 ,  H01L27/0647 ,  H01L27/0826

摘要： 有横向npn双极晶体管，垂直和横向pnp双极晶体管，集成注入逻辑，扩散电容器、多晶硅电容器和多晶硅电阻器的互补双极晶体管。横向双极晶体管有包括高浓度区和低浓度区的发射区和集电区，发射区形成在n型桶形区中。集成注入逻辑电路中，集电区由高浓度p型区包围，低浓度p型区形成在集电区下面。一个衬底中形成扩散电容器和多晶硅电容器。扩散区在形成多晶硅电阻器之前，除了把多晶硅电阻器中的杂质扩散进外延层中形成的区域之外，还形成沿多晶硅电阻器的多晶硅电极。

公开(公告)号：CN1381901A

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN02105218.2

申请日：1997-10-10

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金钟钚 ,  权泰勋 ,  金喆重 ,  李硕均

IPC分类号： H01L29/735 ,  H01L21/331 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L21/8226 ,  H01L21/8224 ,  H01L21/8228 ,  H01L21/82285 ,  H01L27/0233 ,  H01L27/0647 ,  H01L27/0826

摘要： 有横向npn双极晶体管,垂直和横向pnp双极晶体管,集成注入逻辑,扩散电容器、多晶硅电容器和多晶硅电阻器的互补双极晶体管。横向双极晶体管有包括高浓度区和低浓度区的发射区和集电区,发射区形成在n型桶形区中。集成注入逻辑电路中,集电区由高浓度p型区包围,低浓度p型区形成在集电区下面。一个衬底中形成扩散电容器和多晶硅电容器。扩散区在形成多晶硅电阻器之前,除了把多晶硅电阻器中的杂质扩散进外延层中形成的区域之外,还形成沿多晶硅电阻器的多晶硅电极。

公开(公告)号：CN101355084B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200810131428.4

申请日：2003-08-13

申请人： 先进模拟科技公司

发明人： 理查德·K·威廉斯 ,  迈克尔·E·康奈尔 ,  陈伟田

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L27/082 ,  H01L21/8228 ,  H01L21/76

CPC分类号： H01L27/0826 ,  H01L21/8224 ,  H01L21/82285 ,  H01L27/0821 ,  H01L29/6625 ,  H01L29/66272 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种半导体结构、双极型晶体管布置及制造半导体器件的方法。该半导体结构包括：第一导电类型的半导体衬底；形成于所述衬底之上的所述第一导电类型的外延层；形成于所述外延层中的槽，所述槽包含电介质材料；与所述槽的侧面邻接的第二导电类型的区域；及所述第二导电类型的掩埋层，所述掩埋层从所述衬底向上延伸并与所述区域汇合。

公开(公告)号：CN1381893A

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN02105216.6

申请日：1997-10-10

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金钟钚 ,  权泰勋 ,  金喆重 ,  李硕均

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L21/8226 ,  H01L21/8224 ,  H01L21/8228 ,  H01L21/82285 ,  H01L27/0233 ,  H01L27/0647 ,  H01L27/0826

摘要： 有横向npn双极晶体管,垂直和横向pnp双极晶体管,集成注入逻辑,扩散电容器、多晶硅电容器和多晶硅电阻器的互补双极晶体管。横向双极晶体管有包括高浓度区和低浓度区的发射区和集电区,发射区形成在n型桶形区中。集成注入逻辑电路中,集电区由高浓度p型区包围,低浓度p型区形成在集电区下面。一个衬底中形成扩散电容器和多晶硅电容器。扩散区在形成多晶硅电阻器之前,除了把多晶硅电阻器中的杂质扩散进外延层中形成的区域之外,还形成沿多晶硅电阻器的多晶硅电极。

公开(公告)号：CN1263637A

公开(公告)日：2000-08-16

申请号：CN98807121.5

申请日：1998-07-13

申请人： 艾利森电话股份有限公司

发明人： H·诺尔斯特伦 ,  S·奈格伦 ,  O·泰尔斯特德特

IPC分类号： H01L21/8222 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/331 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/73 ,  H01L29/92 ,  H01L21/763

CPC分类号： H01L21/02238 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76202 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/763 ,  H01L21/8224 ,  H01L27/0647

摘要： NPN双极晶体管的元件表面具有其沿元件表面看被厚场氧化区(18)以常规方式包围的有源区。有源区被优选包括氮化物层(34)的电绝缘表面层部分地覆盖。有源区中的基区通过在电绝缘表面层中用光刻制作的精确限定的开口所限定。对于横向PNP双极晶体管,其发射极和集电极被这种厚场氧化区所包围,发射极和集电极区以相应方式被电绝缘表面层中光刻限定的开口所限定。由于精确限定的开口,这些区域内的基－集电容和射－集电容分别被降低了,导致晶体管的高频特性更好。同时氮化硅层(34)区域在同时制作的电容器中用作介质层。NPN晶体管含有氮化物制作的侧条用于发射极连接和基极连接之间的隔离。在相同的半导体基片上,可提供专门的深且窄的衬底连接端子用于电隔离元件区域。沟槽(22)可用于电隔离元件区域,它们的侧壁有底部的氧化物(23)和其上的氮化物(25)形成的叠层以利于平面化刻蚀和用作扩散阻挡层。

公开(公告)号：CN1004845B

公开(公告)日：1989-07-19

申请号：CN85108134

申请日：1985-11-02

申请人： 索尼公司

发明人： 植木善夫

IPC分类号： H01L29/70 ,  H01L27/06

CPC分类号： H01L27/0826 ,  H01L21/8224 ,  H01L27/0821

摘要： 具有npn和pnp晶体管的一半导体器件，其特征在于一半导体衬底上所形成的一n型外延层上形成npn晶体管，以及在n型外延层上所形成的-n型半导体区域内形成pnp晶体管，n型半导体区域具有一高于n型外延层的杂质浓度。即使n型外延层的厚度被减小，仍可以防止pnp晶体管的穿通现象，因此得到一高速半导体器件。