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公开(公告)号：CN101093830B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200710104101.3
申请日：2007-05-16
Applicant: 富士通微电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L23/544 , H01L23/522 , H01L21/82 , H01L21/768 , H01L21/00
CPC classification number: H01L23/544 , H01L23/585 , H01L2223/54406 , H01L2223/54433 , H01L2223/5446 , H01L2223/5448 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种具有用作识别标记的符号图案的半导体器件及其制造方法，其中构成部分电子电路的多个器件图案形成在衬底的表面上。在与器件图案同一层中形成用作识别标记的符号图案。器件图案的宽度位于设计规则的图案宽度范围内。符号图案由隔离的多个要素图案形成。要素图案是线性图案或者点图案。要素图案的宽度大于等于图案宽度范围的下限值的0.8倍，小于等于图案宽度范围的上限值的1.2倍。
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公开(公告)号：CN1838419B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200510120035.X
申请日：2005-11-04
Applicant: 富士通微电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L27/14643 , H01L27/14685
Abstract: 本发明提供一种固态成像器件，其具有衬底，在该衬底中形成具有多个像素的像素阵列部分和外围电路部分。该器件的特征在于第一多层金属化结构形成在该外围电路部分上方，以及比第一多层金属化结构薄的第二多层金属化结构形成在该像素阵列部分上方。
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公开(公告)号：CN101840889A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010144910.9
申请日：2010-03-18
Applicant: 富士通微电子株式会社
Inventor： 岛昌司
IPC: H01L21/8238 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的制造方法，该方法包括如下步骤：形成限定第一区和第二区的隔离区；向所述第一区和所述第二区内注入第一导电类型的第一杂质；在所述第一区上方形成第一栅极绝缘膜和第一栅电极；在所述第二区上方形成第二栅极绝缘膜和第二栅电极；在所述第二区的第一部分上方形成第一掩模层，以暴露所述第二区的第二部分和所述第一区；以及将所述第一导电类型的第二杂质从与所述半导体衬底的表面倾斜的方向注入到所述半导体衬底内。
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公开(公告)号：CN1993832B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200480043633.5
申请日：2004-07-20
Applicant: 富士通微电子株式会社
Inventor： 大川成实
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14603 , H01L27/1463 , H01L27/14641 , H01L27/14689 , H04N5/37457
Abstract: CMOS摄像元件由排列为矩阵状的多个CMOS光电传感器构成，在列方向相邻的第一CMOS光电传感器和第二CMOS光电传感器形成于在半导体基板上由元件分离区域划分成的、单一的、连续的元件区域中。
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公开(公告)号：CN101777496A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200910160319.X
申请日：2003-01-31
Applicant: 富士通微电子株式会社
Inventor： 粉山阳一
IPC: H01L21/336 , H01L21/265 , H01L21/8238
Abstract: 提供一种nMOS晶体管的制造方法。在nMOS结构的半导体器件，当形成杂质扩散层(21)时，考虑到扩展区(13)及袋区(11)的形成，还考虑到用于抑制扩展区(13)的杂质扩散为目的的最佳杂质组合，扩展区(13)的杂质至少使用磷(P)，袋区(11)的杂质至少使用铟(In)，并且使用碳(C)作为扩散抑制物质。由此，特别是在nMOS结构的半导体器件中，提高阈值电压的滚降特性及电流驱动能力，降低了漏电流，同时容易且确实地实现元件的微细化·高集成化，特别地，可进行CMOS结构的半导体器件的最佳设计，实现器件性能的提高及降低功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101236918B
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200810009253.X
申请日：2008-01-31
Applicant: 富士通微电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/76844 , H01L21/76805 , H01L21/76831 , H01L21/76855 , H01L21/76864 , H01L21/76865 , H01L21/76873
Abstract: 一种制造半导体装置的方法及半导体装置，所述方法包括下列步骤：在层间绝缘膜中形成到达底层布线的通孔和布线沟槽，其中所述层间绝缘膜形成在所述底层布线上；在通过所述通孔暴露的所述底层布线上、所述通孔的内壁上以及所述布线沟槽的内壁上形成扩散阻挡膜；在沉积在所述通孔的底部上的所述扩散阻挡膜被蚀刻的同时，在所述底层布线上以及形成在所述通孔的内壁上和所述布线沟槽的内壁上的所述扩散阻挡膜上形成籽晶层；以及在所述通孔内和所述布线沟槽内形成金属布线。
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公开(公告)号：CN1750396B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200510055788.7
申请日：2005-03-21
Applicant: 富士通微电子株式会社
Inventor： 铃木康一
CPC classification number: G06F1/06 , H03K5/15066
Abstract: 本发明提供了一种基于参考时钟脉冲生成相位不同的多个输出时钟脉冲的多相位时钟发生器电路，其具有对相位不同的第一和第二参考时钟脉冲分频以生成输出时钟脉冲的第一和第二分频器电路，以及在第一和第二分频器电路的预定节点之间形成间歇性短路的开关，其中，在正常运行状态中，在预定节点被引导至相同电平的定时处，所述开关在预定节点之间形成短路。
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公开(公告)号：CN101154892B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200710151585.7
申请日：2007-09-28
Applicant: 富士通微电子株式会社
CPC classification number: H02M3/1588 , Y02B70/1466
Abstract: 控制电路包括：检测部分COMP1，用于当所述主开关器件FET关断时检测在连接点P的第一信号FR的状态转变，所述第一信号对应于流过反并联二极管D的电流以恒定周期改变；以及相差调整部分30、40，用于通过对应于在由所述检测部分COMP1检测的第一信号FR的相位和根据一个周期之前的第一信号而产生的第二信号FP的相位之间的相差而调整第二信号FP的输出定时，从而调整相差，所述整流开关器件FET2对应于其输出定时被所述相差调整部分30调整的第二信号FP而导通。
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公开(公告)号：CN101742278A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810171819.9
申请日：2008-11-12
Applicant: 富士通微电子株式会社
Inventor： 严英睿
IPC: H04N7/26
CPC classification number: H04N19/86 , H04N19/176 , H04N19/196 , H04N19/44 , H04N19/517
Abstract: 公开了一种获取图像的运动矢量和边界强度的方法和系统。其中，该方法包括以下步骤：S202，根据当前要解码的分块的类型以及当前要解码的分块所在宏块/子宏块的类型，确定当前要解码的分块的运动矢量预测方向信息和运动矢量计算方法信息；S204，根据当前要解码的分块的运动矢量计算方法信息，利用当前要解码的分块的运动矢量预测方向信息获取计算当前要解码的分块的运动矢量所需的相关信息；以及S206，利用所获取的计算当前要解码的分块的运动矢量所需的相关信息计算当前要解码的分块的运动矢量，并利用当前要解码的分块的运动矢量计算当前要解码的分块的边界强度。
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公开(公告)号：CN101154942B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200710151739.2
申请日：2007-09-27
Applicant: 富士通微电子株式会社
IPC: H03K19/0175 , H03K19/0185
CPC classification number: H03K17/6872 , H03K17/162 , H03K19/09429
Abstract: 缓冲电路包括输出开关器件(M1、M2)，用于控制输出开关器件(M1、M2)进入导通状态的第一开关电路(M4、M5)，和用于控制输出开关器件进入非导通状态的第二开关电路(M3、M6)，还包括输出开关器件控制部分(20A、20B)，其中第一开关电路(M4、M5)与第二开关电路(M3、M6)之间的接点与输出开关器件(M1、M2)相连并且对应于输入和输出控制信号控制输出开关器件(M1、M2)进入导通或非导通状态，以及驱动能力改变部分(30A、30B)，所述驱动能力改变部分与第二开关电路(M3、M6)串联连接并且当输出控制信号处于禁止输入信号通过的输出禁止状态时限制输出开关器件(M1、M2)的驱动能力。
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