公开(公告)号：CN100380675C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN03809754.0

申请日：2003-04-30

申请人： 克利公司

发明人： 杰弗里·S·弗林 ,  乔治·R·布兰德斯 ,  罗伯特·P·沃多

IPC分类号： H01L29/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/868 ,  H01L31/0304 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L29/2003 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

摘要： 本发明涉及多种开关器件结构，包括肖特基二极管(10)、P-N二极管和P-I-N二极管，其特征在于低的缺陷密度、低的裂化密度、低的孔蚀密度和在传导GaN层(14)上生长的具有低掺杂剂浓度(＜1E16cm-3)的足够厚度(＞2.5μm)的GaN层(16)。该器件基本上能够在异质外延衬底上获得较高的击穿电压(＜2kV)，并且能够在同质外延衬底上获得极高的击穿电压(＞2kV)。

公开(公告)号：CN100375292C

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN03807131.2

申请日：2003-03-19

申请人： 克利公司

发明人： 杰斯里斯·S·弗林 ,  乔治·R·布兰德斯

IPC分类号： H01L29/205 ,  H01L29/778 ,  H01L33/00 ,  H01L31/0304 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L29/7784 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/365 ,  H01L33/025 ,  H01S5/305 ,  H01S5/32341

摘要： 一种包括δ掺杂层(24)和/或掺杂超晶格的Ⅲ－Ⅴ族氮化物微电子器件结构。描述了一种δ掺杂方法，其包括步骤：通过第一外延膜生长过程在基片上沉积半导体材料；终止在基片上沉积半导体材料以给出外延膜表面；在外延膜表面上对半导体材料进行δ掺杂，以在其上形成δ掺杂层；终止δ掺杂；在第二外延膜生长过程中，重新开始半导体材料的沉积以在δ掺杂层上沉积半导体材料；和继续半导体材料的第二外延膜生长过程到预先确定的程度，以形成掺杂的微电子器件结构，其中δ掺杂层(24)内化在第一、第二外延膜生长过程中沉积的半导体材料中。

公开(公告)号：CN113950737A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202080043067.7

申请日：2020-04-08

申请人： 克利公司

发明人： 丹尼尔·詹纳·利希滕瓦尔纳 ,  爱德华·罗伯特·范·布伦特

IPC分类号： H01L23/482 ,  H01L29/78

摘要： 晶体管半导体芯片包括漂移层、第一介电层、第一金属化层、第二介电层、第二金属化层、第一多个电极以及第二多个电极。第一介电层在漂移层上方。第一金属化层在第一介电层上方，使得第一金属化层的至少一部分提供第一接触垫。第二介电层在第一金属化层上方。第二金属化层在第二介电层上方，使得第二金属化层的至少一部分提供第二接触垫并且第二金属化层与第一金属化层至少部分重叠。晶体管半导体芯片被配置为基于在第二接触垫处所提供的信号而在第一接触垫与第三接触垫之间选择性地传导电流。

公开(公告)号：CN113544813A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN201980093259.6

申请日：2019-12-27

申请人： 克利公司

发明人： 马修·多诺弗里奥 ,  约翰·埃德蒙 ,  哈沙德·戈拉基亚

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/268 ,  H01L21/683 ,  B23K26/00 ,  B23K26/38 ,  B23K26/60 ,  B23K26/70 ,  B24B7/22 ,  B24B9/06 ,  B24B27/00 ,  B24B37/04 ,  B24B37/10

摘要： 一种用于处理结晶基材以形成表面下激光损坏的多个图案的方法促进基材的随后的断裂，以产生厚度减小的第一和第二基材部分。多个表面下激光损坏图案的多组平行线可以彼此顺序散布，不同组的至少一些线彼此不交叉。某些实施方式包括具有彼此不平行的平行线组的多个表面下激光损坏图案，但每条线在垂直于基材的材料的六方晶体结构的 方向的±5度内。进一步的方法包括形成以基材内的不同深度为中心的初始和随后的表面下激光损坏图案，其中激光损坏图案是对齐的并具有重叠的竖直范围。

公开(公告)号：CN112103272A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202011027498.2

申请日：2016-03-11

申请人： 克利公司

发明人： 姆里纳尔·K·达斯 ,  亚当·巴克利 ,  亨利·林 ,  马塞洛·舒普巴赫

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L23/373 ,  H01L23/495 ,  H01L23/498 ,  H02M1/08 ,  H02M1/44 ,  H02M3/155 ,  H02M7/00 ,  H05K3/30

摘要： 本申请涉及高速、高效SiC功率模块。一种功率转换器模块，包括活性金属钎焊(AMB)衬底、功率转换器电路以及外壳。AMB衬底包括氮化铝基层、氮化铝基层的第一表面上的第一导电层以及氮化铝基层的与第一表面相对的第二表面上的第二导电层。功率转换器电路包括经由第一导电层彼此耦接的多个碳化硅开关部件。外壳设置在功率转换器电路和AMB衬底之上。通过使用具有氮化铝基层的AMB衬底，可在保持功率转换器模块的结构完整性的同时，显著改善功率转换器模块的散热性。

公开(公告)号：CN111201597A

公开(公告)日：2020-05-26

申请号：CN201880065605.5

申请日：2018-10-05

申请人： 克利公司

发明人： 卡尔·蒙·霍 ,  周·利·泰 ,  嘉怡·翁 ,  桑贾伊·库马尔·穆鲁甘

IPC分类号： H01L23/047 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367

摘要： 实施例包括半导体装置封装件(100)，该半导体装置封装件(100)包括具有上表面和下表面(104，106)的金属散热板(102)以及第一导电引线和第二导电引线(110，112)。实施例还包括第一非金属电绝缘紧固机构和第二非金属电绝缘紧固机构(128，130)，该第一非金属电绝缘紧固机构和第二非金属电绝缘紧固机构分别将第一导电引线和第二导电引线(110，112)附接到金属散热板(102)，使得第一引线和第二引线(110，112)与金属散热板(102)竖直分离并且与金属散热板(102)电绝缘。第一紧固机构和第二紧固机构(128，130)能够直接粘附到金属散热板(102)的外周区域(124)中的金属散热板(102)的上表面(104)上，使得中心管芯附着区域(126)从第一紧固机构和第二紧固机构(128，130)暴露出来，外周区域(124)围绕中心管芯附着区域(126)。其他实施例包括封装半导体装置的方法。

公开(公告)号：CN103180976B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201180051188.7

申请日：2011-08-18

申请人： 克利公司 ,  科锐香港有限公司

发明人： 戴维·托得·埃默森 ,  陈志强

IPC分类号： H01L33/48

CPC分类号： H01L33/48 ,  C09K11/7731 ,  C09K11/7734 ,  C09K11/7774 ,  G02B6/0023 ,  G02B6/0068 ,  G02B6/0073 ,  H01L33/486 ,  H01L33/50 ,  H01L33/52 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及LED封装和使用LED封装的LED显示器，其中，封装内的LED芯片以唯一的定向布置，以提供期望的封装或显示器FFP。根据本发明的一个LED封装包括反射杯和安装在反射杯内的LED芯片。反射杯具有第一轴线和与第一轴线正交的第二轴线，其中，LED芯片在反射杯内旋转，使得LED芯片不与所述第一轴线对准。一些LED封装可包括具有芯片纵向轴线的矩形LED芯片和具有杯纵向轴线的椭圆形反射杯。LED芯片安装在反射杯内，芯片纵向轴线与杯纵向轴线成角度。根据本发明的LED显示器包括多个LED封装，至少一些LED封装具有以不同角度安装在反射杯内的LED芯片，以实现期望的显示器FFP。

公开(公告)号：CN104871327A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201380065403.8

申请日：2013-12-13

申请人： 克利公司

发明人： 克勒斯托弗·P·胡赛尔

IPC分类号： H01L33/60 ,  H01L33/48

CPC分类号： H01L25/0753 ,  H01L33/486 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/021 ,  H05K2201/10106 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明公开了包含一个或多个光发射器装置(例如，发光二极管(LED)或LED芯片)的装置、元件以及方法。一方面，光发射器装置元件可包括：陶瓷体，该陶瓷体具有顶表面；一个或多个光发射器装置，该一个或多个光发射器装置直接或间接地安装在所述顶表面上；以及一个或多个电气元件，该一个或多个电气元件安装在顶表面上并电耦接至一个或多个光发射器装置，其中，一个或多个电气元件可以通过一个或多个非金属层与陶瓷体隔开。本文中公开的元件可改进光提取和热管理。

公开(公告)号：CN104335347A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201380027134.6

申请日：2013-04-26

申请人： 克利公司

发明人： 法比安·罗尔 ,  埃里克·塔尔萨 ,  贝恩德·凯勒 ,  西奥多·D·洛韦斯 ,  大卫·T·埃默森

IPC分类号： H01L25/075 ,  H01L33/20 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58

CPC分类号： H01L33/08 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/20 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本公开涉及LED元件以及使用这样的元件的系统，所述元件和系统具有通过相对于覆盖透镜和元件的表面的一者或两者改变LED芯片的位置和/或定向可独立于透镜形状而被控制的光发射轮廓。例如，通常对准的LED发射表面和透镜的光学中心可彼此偏移，以便生成受控的且可预测的发射轮廓。LED芯片可被定位为提供从透镜基底的垂直中心线中偏移的峰值发射。偏移发射器的使用允许LED元件具有偏移的或倾斜的发射模式，而不会引起以元件的高角度输出。由于允许照明系统具有从LED元件和主光学器件的倾斜发射，所以这是有益的。

公开(公告)号：CN104247060A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201280068933.3

申请日：2012-11-30

申请人： 克利公司

发明人： 林孝本 ,  彼得·斯科特·安德鲁斯

IPC分类号： H01L33/62 ,  H01L33/48

CPC分类号： H01L25/0753 ,  H01L33/44 ,  H01L33/486 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L33/642 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 公开了发光器件、部件和方法。在一个方面中公开了发光器件的发光部件。发光部件可包括至少部分地设置于部件的表面上方的银(Ag)部。该部件可进一步包括至少部分地设置于Ag部上方的保护层，保护层至少部分地包括有机阻挡材料，其可增加或改进Ag部的化学耐性。在一些方面中，保护层包括聚亚二甲苯(例如，聚(对二甲苯))、取代的聚(对二甲苯)、包含碳氟化合物的聚(对二甲苯)，和/或从亚二甲苯制备的和/或包括-CH2-(C6H4)-CH2-基重复单元的任何其他聚合物。在一些方面中，保护层包括聚对二甲苯。