公开(公告)号：CN104245572A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380010987.9

申请日：2013-02-06

申请人： 日本麦可罗尼克斯股份有限公司

发明人： 吉野贤二 ,  永冈章

IPC分类号： C01B19/00 ,  C22C9/00 ,  C23C14/34 ,  H01L31/18

CPC分类号： C01B19/002 ,  B22F9/04 ,  C01G15/006 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/82 ,  C22C9/00 ,  C22C27/04 ,  C22C30/02 ,  C23C14/021 ,  C23C14/025 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种太阳能电池用合金的制作方法，将铜、铟、镓、硒和硫作为原材料进行混合，真空封入到安瓿中，加热安瓿，通过熔体生长使安瓿内的原材料结晶化。原材料铜、铟和镓可以是形成铟镓铜(CIG)的晶体，并将该CIG晶体粉碎而粉末化。由此，可在与S、Se的结晶化中获得高品质的晶体。铟镓铜晶体由下述工序制作：真空封入工序，将铜、铟和镓作为原材料进行混合，真空封入到安瓿中；CIG结晶化工序，加热安瓿，通过熔体生长使安瓿内的原材料结晶化。将CIG晶体粉碎，如果仅与硒混合，则可以形成4元系合金。

公开(公告)号：CN102652368B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201080056028.7

申请日：2010-11-08

申请人： 韩国能源技术研究院

发明人： 尹载浩 ,  尹庆勋 ,  安世镇 ,  郭智惠 ,  申基植 ,  金圭镐 ,  金镇赫

IPC分类号： H01L31/052

CPC分类号： H01L31/20 ,  C22C9/00 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04 ,  C23C14/0623 ,  H01L31/0324 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

摘要： 本发明涉及太阳能电池中使用的Cu-In-Zn-Sn-(Se,S)基薄膜及其制造方法，更确切地说，涉及应用在太阳能电池中，具有低制造成本、高转换效率的Cu-In-Zn-Sn-(Se,S)基薄膜及其制造方法。

公开(公告)号：CN102800808B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201210335321.8

申请日：2012-09-11

申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

发明人： 宋志棠 ,  吴良才 ,  彭程 ,  饶峰 ,  朱敏

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/144 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/35 ,  C23C14/352 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625

摘要： 本发明涉及微电子技术领域的金属元素掺杂的相变材料，尤其涉及一种用于相变存储器的富锑高速相变材料及其制备方法和应用。一种用于相变存储器的富锑高速相变材料，其化学通式为：Ax(Sb2Te)1-x，x为原子百分比，其中A选自W、Ti、Ta或Mn，0＜x＜0.5。本发明所提供的相变材料与通常的GeSbTe材料类似，有利于实现高密度存储。其在外部电驱动纳秒级脉冲作用下具有可逆相变的材料。所述的W-Sb-Te相变材料的相变速度是GeSbTe材料的3倍，有利于实现高速相变存储器。

公开(公告)号：CN102237439B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201010521172.5

申请日：2010-10-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 李文钦 ,  严文材 ,  陈鼎元 ,  余良胜 ,  张玉函

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： C23C14/3464 ,  C23C14/0623 ,  H01L31/0322 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种太阳能电池的制造方法。上述方法是利用在一基板上依序溅镀靶材或共同溅镀靶材，然后对基板退火来制造来太阳能电池中的含硫化硫属化合物吸收物，上述靶材的其中之一包含一硫化合物。在一不含硫环境下进行上述退火且避免使用危险的硫化氢气体。形成的上述硫化硫属化合物具有一硫浓度梯度。相较于使用两道退火步骤的其他工艺，本发明的工艺简易且仅使用一道退火步骤。此外，本发明公开的工艺可避免使用难以量产的含硒或含硫气体环境。特别地，可避免使用在低浓度下具有高毒性的硒化氢和硫化氢。

公开(公告)号：CN103805951A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310037529.6

申请日：2013-01-30

申请人： 台积太阳能股份有限公司

发明人： 邓凤山 ,  赵应诚 ,  杨智仁

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/54

CPC分类号： H01L31/18 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/34 ,  C23C14/564 ,  H01L31/0322 ,  Y02E10/541

摘要： 本发明公开了在太阳能电池基板上形成具有基本上均匀的厚度的材料膜的装置及其形成工艺。在一些实施例中，在该装置中所实施的工艺是物理汽相沉积(PVD)。在一个实施例中，装置包括专门配置的流通孔。在另一个实施例中，装置包括可移动关闭器，该关闭器与其上安装有待处理的基板的旋转鼓轮保持同步地打开和关闭。在其他实施例中，装置包括可变电源或鼓轮速度控制器，该可变电源或鼓轮速度控制器分别与旋转鼓轮保持同步地自动改变供应给装置的电源或鼓轮速度。本发明还提供了太阳能电池形成装置和方法。

公开(公告)号：CN101599515B

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN200910150553.4

申请日：2005-03-04

申请人： 索里布罗研究公司

发明人： L·斯托尔特 ,  J·克斯勒

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L31/18 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/548 ,  C23C14/56 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/0322 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： 描述了一种直列式生产装置和方法，所述装置和方法用于控制通过共蒸沉积工艺制造的铜铟镓硒(CIGS)太阳能电池的成分。沉积条件使得沉积的含有过量铜的总成分转变为最终的CIGS膜的缺乏铜的总成分。具有钼层的基底(21)以恒定速度移动通过CIGS加工室(7)。使用传感器检测基底上的从富含铜的成分至缺乏铜的成分的转变，该传感器检测与所述转变相关的物理参数(如发射率)。在本发明的可替代的优选实施例中，传感器(20)设置为检测沉积层中的元素成分。连接到所述传感器的控制器(17)调节来自蒸发剂源(11，12，13)的流量，以在基底的宽度方向上提供成分和厚度均匀的CIGS层。使用两行蒸发源可调节基底的宽度方向上的CIGS层的元素成分和厚度。

公开(公告)号：CN101855724B

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN200880115651.8

申请日：2008-11-13

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 菊地真 ,  西冈浩 ,  木村勋 ,  神保武人 ,  邹弘纲

IPC分类号： H01L27/105 ,  C23C14/06 ,  H01L45/00

CPC分类号： C23C14/046 ,  C23C14/0623 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1683

摘要： 本发明的硫属化物膜，通过溅射在形成在基板上的绝缘层的接触孔内成膜，由含有使融点下降的融点下降材料的硫属化合物组成。

公开(公告)号：CN103187480A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201210030982.X

申请日：2012-02-06

申请人： 财团法人工业技术研究院

发明人： 陈伟谦 ,  郑隆藤 ,  邱鼎文 ,  谢东坡

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： C23C14/0623 ,  C23C8/62 ,  C23C10/30 ,  C23C14/5866 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02664 ,  H01L31/0322 ,  Y02E10/541

摘要： 本发明提供一种光吸收层的改质方法，包括以下步骤：(a)提供一基板；(b)形成一光吸收层于该基板之上，其中该光吸收层包括IB族元素、IIIA族元素与VI族元素；(c)形成一浆料于该光吸收层之上，其中该浆料包括VI族元素；以及(d)将含有该浆料的该光吸收层进行一热处理制程。

公开(公告)号：CN103132023A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210072588.2

申请日：2012-03-16

申请人： 绿阳光电股份有限公司

发明人： 李适维 ,  林明弘 ,  蔡耀仓

IPC分类号： C23C14/24 ,  H01L31/18

CPC分类号： C23C14/24 ,  C23C14/0623 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明公开了一种快速加热处理系统，包括快速加热处理炉、背电极基板及遮盖。背电极基板设置在快速加热处理炉的反应室内且形成有前趋物层及硒物质，硒物质形成在前趋物层上。遮盖设置在对应背电极基板的硒物质的位置上且形成有与硒物质彼此相对的固态硫。固态硫在吸收快速加热处理炉的加热装置所产生的热能后，与硒物质及前趋物层反应以形成光电转换层。本发明利用将沉积有固态硫的遮盖与沉积有硒物质及前趋物层的背电极基板彼此相对且使用快速加热处理方式进行快速加热的设计，以产生具有较低制程温度且较短反应时间的硫化制程。

公开(公告)号：CN102629661A

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201210021915.1

申请日：2012-01-31

申请人： 旺宏电子股份有限公司 ,  国际商用机器公司

发明人： 郑怀瑜 ,  陈介方 ,  龙翔澜 ,  施彦豪 ,  西蒙·拉梧 ,  马修·J·布雷杜斯克

IPC分类号： H01L45/00 ,  C23C14/34 ,  C23C14/06

CPC分类号： H01L47/00 ,  C23C14/06 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/06 ,  H01L27/24 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625

摘要： 本发明公开了是有关于以包括硫族化物材料的相变材料为基础的用于存储器装置的制造方法，以及使用于这类装置的用于形成掺杂硫族化物材料的方法。溅射靶材具有硅或另一半导体，或以硅为基础或其它以半导体为基础的添加物的相变材料层，使用包括硅或其它半导体以及相变材料的复合溅射靶材而形成。硅或其它半导体的浓度高于所形成的层中的硅或其它半导体的特定浓度5倍以上。对于在锗锑碲型相变材料中的以硅为基础的添加物，溅射靶材可包括超过40原子百分比的硅。以硅为基础的或其它以半导体为基础的添加物在沉积期间，在溅射腔室可使用复合溅射靶材及例如氧气或氮气的反应性气体气流而形成。