自参考干涉仪和双重自参考干涉仪装置

    公开(公告)号:CN113939770B

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202080039578.1

    申请日:2020-05-19

    Inventor: D·C·卡皮里

    Abstract: 一种用于对准传感器设备的自参考干涉仪(SRI)系统,包括第一棱镜和第二棱镜。所述第一棱镜具有用于入射束的输入表面。所述第二棱镜被耦合至所述第一棱镜并且具有用于经重新组合的束的输出表面。所述经重新组合的束包括第一图像和相对于所述第一图像被转动180度的第二图像。所述第一棱镜和第二棱镜形状相同。一种用于对准传感器设备的双重自参考干涉仪(DSRI)系统,包括:第一棱镜组件,所述第一棱镜组件具有用于第一入射束和第二入射束的输入表面;和第二棱镜组件,所述第二棱镜组件耦合至所述第一棱镜组件并且具有用于第一经重新组合的束和第二经重新组合的束的输出表面。所述第一棱镜组件和第二棱镜组件形状相同。

    使用目标或产品的形状双折射的晶片对准

    公开(公告)号:CN113454538B

    公开(公告)日:2024-06-11

    申请号:CN202080015884.1

    申请日:2020-02-06

    Abstract: 一种对准方法,包括:引导具有第一偏振态的照射束以形成来自对准目标的、具有第二偏振态的衍射束;和使所述衍射束传递通过偏振分析器。所述对准方法还包括:测量所述衍射束的偏振态;和根据所测量的偏振态,相对于其初始偏振态来确定所述对准目标的部位。所述对准目标包括具有单个间距以及两个或更多个占空比的多个衍射光栅,其中所述间距小于所述照射束的波长,并且所述对准目标的部位对应于所述衍射光栅的占空比。

    具有用于污染物检测和显微镜检查的相控阵列的量测系统

    公开(公告)号:CN117581161A

    公开(公告)日:2024-02-20

    申请号:CN202280045605.5

    申请日:2022-06-28

    Abstract: 一种量测系统包括辐射源(708)、相控阵列(722a、b;724a、b;726;734)、检测器和比较器。所述相位阵列包括光学元件(706)、波导(704)和相位调制器(702)。所述相控阵列产生辐射束,并且将所述束朝向物体的表面引导。所述光学元件辐射辐射波。所述波导将所述辐射从所述辐射源引导到所述光学元件。所述相位调制器调整所述辐射波的相位,使得所述辐射波组合以形成所述束。所述检测器接收从所述表面散射的辐射并且基于所接收的辐射来产生检测信号。所述比较器分析所述检测信号,并且基于所述分析来确定所述表面上的缺陷的位置。

    快速均匀性漂移校正
    109.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116762042A

    公开(公告)日:2023-09-15

    申请号:CN202280012410.0

    申请日:2022-01-16

    Abstract: 提供用于调整光刻设备中的照射狭缝均匀性的系统、设备和方法。示例方法可包括由辐射源利用辐射来照射指状物组件的一部分。所述示例方法还可以包括由辐射检测器响应于对所述指状物组件的所述部分的所述照射来接收所述辐射的至少一部分。所述示例方法还可以包括由处理器基于所接收的辐射来确定所述指状物组件的形状的改变。所述示例方法还可以包括由所述处理器产生控制信号,所述控制信号被配置成基于所述指状物组件的所述形状的所确定的改变来修改所述指状物组件的位置。随后,所述示例方法可以包括由所述处理器将所述控制信号传输至被联接至所述指状物组件的运动控制系统。

    电荷消散掩模版载物台清洁掩模版
    110.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116635793A

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202180085336.0

    申请日:2021-12-09

    Abstract: 一种用于光刻设备中的掩模版载物台的掩模版载物台清洁设备包括具有正面和与正面相对的背面的衬底、以及设置在衬底的正面上的传导层。传导层被配置为接触掩模版载物台以消散掩模版载物台上的电荷,并且经由在传导层与掩模版载物台之间生成的静电场去除掩模版载物台上的颗粒。衬底可以包括多个凹槽,并且传导层可以设置在衬底的正面上和多个凹槽的底表面上。掩模版载物台清洁设备可以包括第二传导层,第二传导层被配置为经由第二静电场去除掩模版载物台上的颗粒,并且在多个凹槽的底表面中设置在传导层顶上。

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