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公开(公告)号：CN108140700A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680056981.9
申请日：2016-09-30
申请人： LG伊诺特有限公司
摘要： 在一个实施例中公开了一种发光器件，包括：衬底；发光结构，包括第一半导体层、有源层、第二半导体层和穿透第二半导体层和有源层且设置为直到第一半导体层的部分区域的第一凹槽；反射电极层，其覆盖第二半导体层的下部和第一凹槽的侧壁；第一欧姆电极，其设置在所述第一凹槽内并且电连接到所述第一半导体层；以及第一绝缘层，用于使第一欧姆电极和反射电极层电绝缘。
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公开(公告)号：CN107910346A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711000124.X
申请日：2017-10-24
申请人： 上海天马微电子有限公司
CPC分类号： H01L27/156 , H01L33/36
摘要： 本发明实施例公开了一种微发光二极管显示面板以及显示装置。该微发光二极管显示面板包括多个微发光二极管，每个微发光二极管包括层叠设置的第一电极、半导体层和第二电极，半导体层位于第一电极和第二电极之间；半导体层包括沿第一电极至第二电极的方向上依次层叠设置的第一半导体层、活性层和第二半导体层；每个微发光二极管的第一电极由n个形状和大小相同且相互绝缘的第一子电极构成，n为大于1的整数，每个第一子电极在第二电极所在平面的投影均在第二电极内。本发明提供的微发光二极管显示面板通过在一个较大的微发光二极管中制作多对电极，降低了制作微发光二极管的难度，减少了边缘效应，增加了发光效率。
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公开(公告)号：CN107808918A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201710740494.0
申请日：2017-08-25
申请人： 晶元光电股份有限公司
CPC分类号： H01L33/62 , H01L25/0753 , H01L33/54 , H01L33/647 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066 , H01L33/36 , H01L2933/0016
摘要： 本发明公开一种发光装置以及其制造方法，该发光装置包含一发光元件、一可透光层、一电极定义层、第一焊垫及第二焊垫。发光元件具有顶表面，相对于顶表面的底表面以及位于顶表面及底表面之间的侧表面。可透光层覆盖顶表面及侧表面。电极定义层覆盖部分可透光层，第一焊垫及第二焊垫被电极定义层所包围。第一焊垫及第二焊垫间的平均间距Wa不大于40微米，第一焊垫及第二焊垫的中间区域有间距W1，边缘区域有间距W2，且W1与W2的差值不大于2微米。
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公开(公告)号：CN107742666A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201711081653.7
申请日：2017-11-07
申请人： 成都青岗科技有限公司
发明人： 杨阳
摘要： 本发明公开了一种可提高出光效率的LED元件，包括装置本体，所述装置本体的顶端设有钝化层，且所述钝化层与装置本体紧密相连，所述钝化层的右端设有相同的两个静电板，且所述静电板与钝化层固定连接，所述装置本体的内部左侧设有N电极，且所述N电极嵌入设置在装置本体中，所述N电极的顶端设有N金属层，且所述N金属层与N电极焊接，所述N电极的内部设有N金属填充质，且所述N金属填充质在N电极内均匀分布，所述N电极的右下端设有连通块，且所述连通块嵌入设置在N电极中，所述N电极的右侧设有P电极，且所述P电极与N电极通过连通块固定连接，通过连通块保证了装置内部电流的流通，增加了装置的使用寿命。
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公开(公告)号：CN107690712A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201680032775.4
申请日：2016-05-18
申请人： 首尔伟傲世有限公司
CPC分类号： H05B33/0803 , H01L33/14 , H01L33/36 , H01L33/382 , H01L33/145
摘要： 本发明涉及一种发光二极管可以包括：发光结构体，所述发光结构体包括多个台面，所述多个台面包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层，所述第一导电型半导体层包括暴露于所述多个台面之间的暴露区域；第一电极，电连接于所述第一导电型半导体层；电流阻断层，位于所述多个台面的一部分以及所述暴露区域的一部分上；透明电极层，局部地覆盖所述第二导电型半导体层及所述电流阻断层，且位于所述多个台面的一部分以及所述暴露区域的一部分上；以及第二电极，位于所述电流阻断层及所述透明电极层上，电连接于所述第二导电型半导体层，所述电流阻断层包括：至少一个的连接部，从所述多个台面中的一个台面延伸至邻接于所述一个台面的另一个台面；以及凸出部，从所述连接部凸出，且位于所述暴露区域上。
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公开(公告)号：CN105531833B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201480040511.4
申请日：2014-05-05
申请人： 皇家飞利浦有限公司
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/02 , H01L33/36 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L33/507 , H01L33/508 , H01L2933/0091
摘要： 在一个实施例中，LED管芯的透明生长衬底（38）形成为具有光散射区域（40A、40B、40C、42A、42B），诸如通过激光器形成的空隙。在另一实施例中，生长衬底（38）被移除并且被形成有光散射区域（42A、42B、56A、56B、56C）的另一衬底（57）取代。在一个实施例中，光散射区域形成在LED管芯的光吸收区域（28）之上以降低那些吸收区域上的入射光的量，并且形成在衬底的侧面之上以降低光引导。取代衬底（57）可以形成为包括所选区域中的反射颗粒。3D结构可以通过堆叠包含反射区域的衬底层（82、84）而形成。衬底可以是透明衬底或者贴附到LED顶部的磷光体瓦片。
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公开(公告)号：CN105378952B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201480039941.4
申请日：2014-05-13
申请人： 首尔半导体(株)
IPC分类号： H01L33/48
CPC分类号： H01L33/502 , H01L25/0753 , H01L27/156 , H01L33/0095 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/36 , H01L33/486 , H01L33/50 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041 , H01L2933/0058 , H01L2924/00
摘要： 公开了一种发光器件封装件及其制造方法以及包含该发光器件封装件的车灯和背光单元。所述发光器件封装件包括具有设置于其下部的电极垫的发光芯片、用于覆盖至少所述发光芯片的上表面和侧表面的波长转换单元以及覆盖所述发光芯片的侧表面的反射部件。因此，发光器件封装件可以被小型化，且不需要用于形成透镜的单独基板。
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公开(公告)号：CN105098043B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201510423059.6
申请日：2015-07-17
申请人： 开发晶照明(厦门)有限公司
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L33/20 , H01L33/36 , H01L33/385 , H01L33/62 , H01L33/64 , H01L2224/48137 , H05K1/021 , H05K1/184 , H05K2201/10106
摘要： 本发明涉及一种发光装置复合基板及具有该发光装置复合基板的LED模组。其中，发光装置复合基板包括金属基底、绝缘载体与电极，所述金属基底与所述绝缘载体分别具有相对的正面和背面，所述绝缘载体位于所述金属基底外围且与所述金属基底固定连接，所述电极位于所述绝缘载体上，所述电极贯穿所述绝缘载体，所述电极具有相对的正面和背面，所述绝缘载体的背面及所述电极的背面的高度小于所述金属基底的背面的高度。本发明还提供一种LED模组。上述发光装置复合基板具有可降低成本的优点。
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公开(公告)号：CN107342351A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710481596.5
申请日：2017-06-22
申请人： 北京工业大学
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/16 , H01L33/36 , H01L33/40
摘要： 一种基于斜向ZnO纳米线/GaN pn结的LED及制备方法，涉及半导体的技术领域。本发明通过在半极性GaN外延层上生长斜向ZnO纳米线阵列，提高LED的光取出率和发光面积，实现在蓝紫光波段的高效发光。其中，半极性面(11-22)的GaN层包括生长在m面Al2O3衬底上未掺杂的GaN层和其上掺Mg的p型GaN层；ZnO纳米线阵列直接由水热法生长在半极性GaN面上，为n型掺杂，斜向生长，与生长平面的夹角为30～35度；将斜向ZnO纳米线阵列用聚合物填充后，再在其上一层制作导电薄膜，作为负极，而正极位于GaN层上。
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