公开(公告)号：CN105428425A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510742720.X

申请日：2015-09-15

申请人： ABB技术有限公司

发明人： J·霍莫拉 ,  J·波德泽姆斯基 ,  L·拉德范 ,  I·米勒

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/22

CPC分类号： H01L29/868 ,  H01L21/223 ,  H01L21/304 ,  H01L29/167 ,  H01L29/32 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/8613 ,  H01L21/2225 ,  H01L29/0603

摘要： 提供一种高频功率二极管，其包括：具有第一主侧(101)和第二主侧(102)的半导体晶圆，形成在第一主侧(101)上的第一导电类型的第一层(103)，形成在第二主侧(102)上的第二导电类型的第二层(105)以及形成在第一层(103)和第二层(105)之间的第二导电类型的第三层(104)。第一层(103)具有从邻近于晶圆的第一主侧(101)的1019cm-3或更高降低到第一层(103)和第三层(104)接触面处的1.5·1015cm-3或更少的掺杂剂浓度。第二层(105)具有从邻近于晶圆的第二主侧(102)的1019cm-3或更高降低到第二层(105)和第三层(104)接触面处的1.5·1015cm-3或更少的掺杂剂浓度，并且第三层(104)具有1.5·1015cm-3或更少的掺杂剂浓度。距第一主侧(101)50μm距离处的第一层(103)中掺杂剂浓度和距第二主侧(102)50μm距离处的第二层(105)中掺杂剂浓度分别为1017cm-3或更高，并且第三层(104)的厚度小于60μm。

公开(公告)号：CN105428224A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510883089.5

申请日：2015-12-03

申请人： 上海大族新能源科技有限公司

发明人： 张为国 ,  刘超 ,  刘成法 ,  张松

IPC分类号： H01L21/22 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L21/2225 ,  H01L31/1804

摘要： 本发明涉及一种硅片硼掺杂方法。该方法包括步骤：将硅片的表面进行制绒处理，并在所述硅片的表面上形成硼掺杂源层；采用第一激光参数，对所述硼掺杂源层进行激光处理，形成第一p+区域；对所述硅片的表面进行清洗，去除剩余的所述硼掺杂源；采用第二激光参数，对所述第一p+区域进行处理，使得所述第一p+区域内的硼掺杂源进一步扩散，形成第二p+区域，其中，所述第二激光参数中的激光脉冲宽度小于所述第一激光参数中的激光脉冲宽度。上述硅片硼掺杂方法，不仅提高掺杂的均匀性，还能实现低浓度深掺杂结，使得短波响应更加明显。

公开(公告)号：CN105378895A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201480037504.9

申请日：2014-06-30

申请人： 东丽株式会社

发明人： 稻叶智雄 ,  村濑清一郎 ,  清水浩二 ,  旦浩一 ,  诹访充史

IPC分类号： H01L21/22 ,  H01L21/225

CPC分类号： H01L31/1876 ,  C08G77/08 ,  C08G77/80 ,  C08K3/32 ,  C08K3/36 ,  C08K2003/329 ,  C09D11/03 ,  C09D11/102 ,  C09D11/52 ,  C09D183/04 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2254 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/103 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  C08K3/38

摘要： 本发明提供一种杂质扩散组合物，其含有(A)通式(1)表示的聚硅氧烷、和(B)杂质扩散成分。(式中，R1表示碳原子数为6～15的芳基，多个R1可以分别相同或不同。R2表示羟基、碳原子数为1～6的烷基、碳原子数为1～6的烷氧基、碳原子数为2～10的链烯基、碳原子数为2～6的酰基、碳原子数为6～15的芳基中的任一种，多个R2可以分别相同或不同。R3及R4表示羟基、碳原子数为1～6的烷基、碳原子数为1～6的烷氧基、碳原子数为2～10的链烯基、碳原子数为2～6的酰基中的任一种，多个R3及R4可以分别相同或不同。n:m＝95:5～25:75。)。所述杂质扩散组合物对半导体衬底具有优异的印刷性、杂质扩散性，且烧成、扩散工序中不易产生裂纹，烧成后形成对于其他杂质扩散剂具有充分的掩蔽性的烧成膜。

公开(公告)号：CN105304718A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510746631.2

申请日：2015-11-05

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 魏星 ,  朱慧珑

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/225

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L29/7851 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/225

摘要： 公开了包括带电荷掺杂剂源层的半导体器件及其制造方法。根据实施例，半导体器件可以包括：在衬底上形成的鳍状结构；在衬底上形成的隔离层，其中鳍状结构在隔离层上方的部分充当该半导体器件的鳍；在鳍状结构位于鳍下方的部分的侧壁上形成的带净电荷的掺杂剂源层；在鳍状结构位于鳍下方的部分中形成的穿通阻止层；以及在隔离层上形成的与鳍相交的栅堆叠。

公开(公告)号：CN102986004B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201180033476.X

申请日：2011-07-06

申请人： 东京应化工业株式会社

发明人： 森田敏郎 ,  神园乔 ,  宫城忠

IPC分类号： H01L21/225 ,  H01L31/068

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2254 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供扩散剂组合物及杂质扩散层的形成方法，本发明的一个方案为用于在半导体基板上印刷掺杂剂成分的扩散剂组合物，其包含硅化合物(A)、掺杂剂成分(B)和非掺杂剂金属成分(C)。这些成分中，作为非掺杂剂金属成分(C)而含有的Na的含量相对于组合物整体小于60ppb。

公开(公告)号：CN102859658B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201180019567.8

申请日：2011-04-12

申请人： 东京应化工业株式会社

发明人： 室田敦史 ,  平井隆昭

IPC分类号： H01L21/22 ,  H01L21/228 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L21/2225 ,  H01L21/18 ,  H01L21/182 ,  H01L21/228 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 扩散剂组合物是在向半导体基板形成杂质扩散剂层时使用的扩散剂组合物，含有杂质扩散成分(A)、硅化合物(B)、以及包含沸点为100℃以下的溶剂(C1)、沸点为120～180℃的溶剂(C2)和沸点为240～300℃的溶剂(C3)的溶剂(C)。

公开(公告)号：CN104485389A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201410789712.6

申请日：2014-12-17

申请人： 常州天合光能有限公司

发明人： 陈艳

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L21/2225

摘要： 本发明公开了一种自对准选择性扩散的太阳能电池形成方法，该方法的步骤如下：（a）硅基体清洗，去除损伤层，并在硅基体的正面制绒；（b）再在硅基体正面的制绒面上采用原子层沉积法沉积三氧化二铝层，然后再在三氧化二铝层的上表面旋涂磷源；（c）再将经过步骤（b）处理后的硅基体放置在温度环境中沉积，使三氧化二铝层内部产生气泡，从而使磷源扩散形成自对准选择性发射结；（d）洗去三氧化二铝层，再放入温度环境中，使自对准选择性发射结推进；（e）对硅基体的背面清洗；（f）再在对准选择性发射结的上表面沉积减反射膜；（g）正、背面分别进行金属化；（h）烧结并测试后，得到成品。本发明能够减少选择性扩散电池的高温过程及精准的对准过程以及特殊刻蚀浆料的准备，大大减低了生产成本，更适合工业化大规模生产。

公开(公告)号：CN104205293A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380018274.7

申请日：2013-03-29

申请人： 帝人株式会社

发明人： 今村哲也 ,  富泽由香 ,  池田吉纪

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/225 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L31/04 ,  H01L21/208

CPC分类号： H01L21/0257 ,  H01L21/02436 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/2257 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78666 ,  H01L29/78696 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1872 ,  H01L31/208 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明的第1方面提供表面凹凸少、连续性高的硅层形成于基材上的半导体层合体的制造方法。本发明的第1方面的制造具有基材10和基材上的烧结硅粒子层5的半导体层合体的方法包含以下工序：(a)将含有分散介质和分散于分散介质中的硅粒子的硅粒子分散体涂布在基材10上，形成硅粒子分散体层1的工序；(b)将硅粒子分散体层1干燥，形成未烧结硅粒子层2的工序；(c)在未烧结硅粒子层上层合光透射性层3的工序；以及(d)穿过光透射性层3对未烧结硅粒子层2照射光，使构成未烧结硅粒子层2的硅粒子烧结，由此形成烧结硅粒子层5的工序。

公开(公告)号：CN103890107A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280051982.6

申请日：2012-10-12

申请人： 霍尼韦尔国际公司

发明人： 周理古 ,  R.A.斯皮尔 ,  R.Y-K.梁 ,  樊文亚 ,  H.X.徐 ,  L.M.梅廷 ,  A.S.布哈纳普

IPC分类号： C09D11/03 ,  H01L21/265

CPC分类号： C09D11/02 ,  C08K5/5419 ,  C09D11/03 ,  C09D11/10 ,  C09D11/38 ,  C09D11/52 ,  H01L21/2225

摘要： 提供用于在半导体基底中形成掺杂区域的掺杂剂油墨组合物，以及用于制造掺杂剂油墨组合物的方法。在示例性实施方案中，掺杂剂油墨组合物包含掺杂剂化合物，该掺杂剂化合物包括至少一个连接至13族或15族元素的烷基。此外，该掺杂剂油墨组合物包括含硅化合物。

公开(公告)号：CN103688340A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201280034624.4

申请日：2012-09-03

申请人： 东京应化工业株式会社

发明人： 神园乔 ,  森田敏郎

IPC分类号： H01L21/225 ,  H01L31/04

CPC分类号： H01L21/2225 ,  H01L21/225 ,  H01L21/2254 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547

摘要： 本发明涉及一种扩散剂组合物，其是用于在半导体基板上形成杂质扩散剂层的扩散剂组合物，其含有：硼酸酯(A)、下述通式(1)所示的多元醇(B)和烷氧基硅烷化合物(C)。(通式(1)中，k为0～3的整数；m为1以上的整数；R2及R3分别独立地为氢原子、羟基、碳数1～5的烷基、或碳数1～5的羟基烷基；存在多个R2及R3时，多个R2及R3可以分别相同或不同；k为2以上时，多个R2及R3必定含有一个以上的羟基或碳数1～5的羟基烷基；R4及R5分别独立地为氢原子或碳数1～3的烷基。)