公开(公告)号：CN108258081A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201711281101.0

申请日：2017-12-07

Applicant: 上海大学

Inventor： 沈悦 ,  徐宇豪 ,  张宗坤 ,  顾峰 ,  黄健 ,  王林军

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/109

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1832 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/109 ,  H01L31/1836

Abstract: 本发明提供了一种CdZnTe薄膜和AlN/CdZnTe基紫外光探测器制备方法及应用，基于AlN基底生长CdZnTe薄膜并制备AlN/CdZnTe基紫外光探测器，本发明AlN/CdZnTe基紫外光探测器制备方法包括AlN衬底的制备、CdZnTe多晶升华源的准备、衬底预处理、CdZnTe薄膜的生长过程、AlN/CdZnTe基紫外光探测器的电极制作5个主要步骤。本发明方法可以在AlN衬底上快速生长大面积、高质量的CdZnTe薄膜，AlN衬底可以保证AlN/CdZnTe基紫外光探测器在极端环境下的使用，所制得的复合结构对紫外光也有着较强的光响应。

公开(公告)号：CN106449978A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610536003.6

申请日：2016-07-10

Applicant: 上海大学

Inventor： 徐闰 ,  蔡江 ,  王文贞 ,  徐海涛 ,  吴杨琳 ,  倪超伟 ,  徐飞 ,  王林军

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549 ,  H01L51/4206 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0026

Abstract: 基于甲氨基氯化铅薄膜的可见光盲紫外探测器的制备方法。本发明涉及一种叉指型共平面金属-半导体-金属(MSM)结构的甲氨基氯化铅(CH3NH3PbCl3)薄膜可见光盲紫外探测器的制备。其中CH3NH3PbCl3薄膜是通过混合连续沉积过程形成的，首先氯化铅(PbCl2)通过热蒸发法先沉积在衬底上，然后旋涂上一层氯化甲胺(CH3NH3Cl)，最后通过退火，使PbCl2和CH3NH3Cl反应生成致密的且结晶度良好的CH3NH3PbCl3薄膜。这种探测器在360nm的响应率高达15.6A/W，电流开关比接近两个数量级。这些结果表明CH3NH3PbCl3薄膜探测器在可见光盲紫外探测器的应用方面极具竞争力。

公开(公告)号：CN104952972B

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201510174196.0

申请日：2015-04-14

Applicant: 上海大学

Inventor： 陶骏 ,  张月璐 ,  徐文强 ,  徐海涛 ,  徐闰 ,  张继军 ,  黄健 ,  王林军

IPC: H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种自支撑CdZnTe薄膜的制备方法，采用近空间升华方法，通过对沉积后的薄膜进行后处理，来分离薄膜与衬底，获取连续平整的样品。本发明工艺以CdZnTe单晶切片为升华源，通过表面处理获得理想的欧姆电极接触。该方法具有工艺简单、成本更低、可重复性高等特点，可以制备不受衬底尺寸限制，灵活应用于大面积、低漏电流的辐射探测器的薄膜，有望使得辐射探测器的制造技术更加简便。

公开(公告)号：CN106115772A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610176124.4

申请日：2016-03-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 曹萌 ,  高王升 ,  张庆 ,  王林军 ,  沈悦

IPC: C01G19/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/032

CPC classification number: C01G19/00 ,  C01P2002/70 ,  C01P2002/80 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/64 ,  H01L31/0324

Abstract: 本发明公开了一种方法，可以在仅调节前驱体SnCl2·2H2O和C2H5NS的摩尔比例且保持其它条件（反应温度、反应时间、溶剂油胺的量）不变的情况下，分别制备出纯相的SnS2六角形纳米片和SnS长方形纳米片，实现产物可控。在反应物前驱体SnCl2·2H2O和C2H5NS分别为0.48mmol和4.6mmol，油胺为8ml，反应温度为280℃，反应时间为30分钟的条件下生成SnS2六角形纳米片结构；在反应物前驱体SnCl2·2H2O和C2H5NS分别为1.44mmol和0.58mmol，油胺、反应温度和反应时间保持不变的条件下生成SnS长方形纳米片结构。本发明的优点在于：在同时需要SnS和SnS2两种材料时，不需要更换原材料仅通过调节其摩尔比例就可以获得。且采用湿化学法，原材料均为地球丰富资源，方法简单易操作且制备成本较低。

公开(公告)号：CN106024862A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610479524.2

申请日：2016-06-28

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  杨蔚川 ,  黄健 ,  李伦娟 ,  任兵 ,  赵申洁

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/165 ,  H01L29/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/0615 ,  H01L21/02376 ,  H01L29/165 ,  H01L29/205

Abstract: 本发明涉及一种带有电极的新型金刚石薄膜/GaN异质结的制备方法。属于半导体器件材料制造工艺技术领域。本发明是在n型GaN衬底上采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备一层p型纳米金刚石(p-NCD)薄膜，从而制备出一个p-NCD/n-GaN的异质结结构器件。本发明的目的是提供一种低成本、高质量的p-NCD/n-GaN异质结制备方法。其特点在于，采用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）法首次在n型GaN上制备了p型纳米金刚石薄膜（p-NCD）形成异质结。所得到的器件具有制备方法简单，成本小，很好的整流特性，适用于高频电子器件，等优点。

公开(公告)号：CN105742508A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201610221077.0

申请日：2016-04-12

Applicant: 上海大学

Inventor： 沈悦 ,  朱尧一 ,  陈祥 ,  皇甫民赞 ,  曹萌 ,  顾峰 ,  王林军

IPC: H01L51/48 ,  H01L51/46 ,  H01L51/44

CPC classification number: Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/44

Abstract: 本发明公开了一种四氨基锌酞菁有机空穴传输层钙钛矿太阳能电池的制备方法，首先采用微波法制备四硝基锌酞菁，再将其还原得到四氨基锌酞菁，以此衍生物作为有机空穴传输层，旋涂在涂覆有钙钛矿的TiO2膜上，制备了钙钛矿太阳能电池。本发明合成了一种酞菁衍生物染料—四氨基酞菁锌，作为钙钛矿TiO2太阳能电池有机空穴传输层，采用微波合成能大大缩减反应时间，提高反应产率，并且减少环境污染，并制备了基于该有机材料空穴传输层的绿色、环保、高效的钙钛矿太阳能电池。

公开(公告)号：CN105679856A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610175611.9

申请日：2016-03-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  徐文强 ,  徐闰 ,  吴杨琳 ,  徐海涛 ,  葛升 ,  王文贞

IPC: H01L31/0248 ,  H01L31/18 ,  H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0248 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/1828

Abstract: 本发明涉及的是一种使用低温溶液法制备出掺杂Mg的ZnO的薄膜窗口层的方法，属于太阳能电池薄膜制备工艺技术领域。在其中使用低温溶液法制备掺Mg的ZnO薄膜窗口层的方法是：通过制备MgO和ZnO混合物纳米颗粒，并将其溶于正丁醇制得的旋涂液，通过旋涂和热成膜处理制得掺杂Mg的ZnO窗口层薄膜。优化制备条件后制得的薄膜窗口层可直接应用到钙钛矿太阳能电池中，并且器件显示出具有一定的光电转换效率。

公开(公告)号：CN103746037B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201410001041.2

申请日：2014-01-02

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  杨惠敏 ,  黄健 ,  张磊 ,  任兵 ,  陶骏 ,  张凯勋

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及的是一种硅基ZnS薄膜紫外可见光光电探测器的制造方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。本发明是采用磁控溅射法，在p型Si衬底上制备n型ZnS薄膜，形成ZnS薄膜/Si pn结结构紫外可见光探测器，为制作高性能的紫外可见光探测器提供了新的方法。本发明是一种基于硅衬底的pn结ZnS薄膜紫外光探测器，其特点在于，采用磁控溅射法在Si片上制备颗粒尺寸均匀、质量高的ZnS薄膜样品，所制成的pn结型探测器具有高的灵敏度，且可同时探测紫外光和可见光。

公开(公告)号：CN105186667A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510612396.X

申请日：2015-09-23

Applicant: 上海大学

Inventor： 吴婷 ,  郭昀 ,  张清煌 ,  王林军

IPC: H02J7/35 ,  G05F1/67

Abstract: 本发明提供一种基于DSP的太阳能光伏充电桩的MPPT控制方法，其包括以下步骤：电压采样电路实时采样蓄电池当前的充电电压和充电电流；电压采样电路的采样结果被送至DSP控制回路；同时对光伏电池板的输出电压及电流进行十二位ADC采样，实现PV输出功率的高精度测量，提高MPPT的跟踪精度，经DSP运算后对开关管通断进行PWM控制；并在辅助软开关Boost主回路基础上实施MPPT控制算法。本发明具有相应速度快、程序简单、跟踪准确、硬件采样电路简单等优点。

公开(公告)号：CN105161565A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510365436.5

申请日：2015-06-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  张月璐 ,  陈梦斐 ,  于鸿泽 ,  孟华 ,  陶骏 ,  黄健 ,  徐闰 ,  张继军

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/028 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/109 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/028

Abstract: 本发明公开了一种含有石墨烯过渡层的CdZnTe光电探测器及其制备方法，基于近空间升华方法，通过对沉积的CdZnTe膜进行溴甲醇腐蚀后，采用旋涂工艺在CdZnTe和Au电极之间制备石墨烯过渡层，从而获得CdZnTe光电探测器。本发明CdZnTe光电探测器中增加石墨烯过渡层是一种新型光电探测器结构，有效地避免CdZnTe表面受环境影响，去除CdZnTe表面的杂质和缺陷，提高CdZnTe结晶质量，明显改善CdZnTe与Au电极之间的界面接触，获得更好的欧姆接触，从而降低器件的暗电流，提高器件灵敏度和光电响应。本发明方法具有工艺简单，成本更低，可重复性高，扩大了CdZnTe在光电探测器中的应用范围。