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公开(公告)号：CN104582134B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201410677176.0
申请日：2014-11-21
Applicant: 南京大学
IPC: H05B37/02
CPC classification number: Y02B20/42
Abstract: 本发明公开了一种车载控制器高精密流控电路，包括开关k101、直流电源、高频干扰源、二极管D5、滤波器、电阻R1、开关K102、电阻R2和电流检测单元；电阻R2上的电流为IS，AB支路上的电流为ID，支路BD上的电流为Io；电流检测单元用于检测总线电流IS，电流检测单元根据电流IS的大小，通过开关K102补偿电流ID，使总线电流IS维持为IS=ID+Io。本发明采用了非常巧妙而简洁的电路，避开了各种判断、开关、恒流电路的延时环节，大大提高了电路的响应速度，使能很好的抗击高频干扰，防止输入电流下跌至安全值以下；通过对关键器件的性能优化、集成及补偿，实现了高精密的流控电路。
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公开(公告)号：CN106129204A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610627269.1
申请日：2016-08-02
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L33/38
Abstract: 本发明公开了一种表面等离激元增强InGaN/GaN偏振出光LED，其结构从下至上依次为：基底层、n型GaN层、InxGa1‑xN/GaN多量子阱有源层、p型GaN层，其特征在于：所述p型GaN层被刻蚀成光栅结构，成为p型GaN光栅层，p型GaN光栅层上设有纳米双层金属光栅层。并公开了其制备方法。本发明通过在LED上布置复合光栅，包括p型GaN光栅和双层金属光栅，在p型GaN光栅和双层金属光栅之间会产生表面等离激元共振作用，直接加快复合过程，提高LED的内量子效率，从而从发光有源层直接发射强烈的偏振光。与传统的亚波长金属光栅只能实现偏振相比，本发明可以同时实现LED的发光效率增强和偏振出光，并且可以独立于材料生长过程。
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公开(公告)号：CN105301080A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510780903.0
申请日：2015-11-13
Applicant: 南京大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明提出了一种无栅AlGaN/GaN场效应晶体管传感器，在AlGaN/GaN异质结基片上蒸镀有电极，还包括钝化层，所述钝化层覆盖整个源端电极、源端电极PAD与漏端电极、漏端电极PAD，在覆盖源端电极PAD与漏端电极PAD的钝化层上刻蚀出窗口，深度至PAD显露；还包括离子印迹聚合物层，所述离子印迹聚合物层位于AlGaN层上，含有印迹孔穴。还公开了无栅AlGaN/GaN场效应晶体管传感器的制备方法。本发明制备的导电高聚物纳米复合材料具有单一离子识别的性能，可以提高器件的选择性吸附、抗干扰能力；还具有快速响应的特点，可以实现高精度的定量检测；通过NaCl溶液冲洗可以方便快捷的重复使用，具有使用方便、成本低、可用于水质的在线监测等特点。
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公开(公告)号：CN103094434B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201210492605.8
申请日：2012-11-27
Applicant: 南京大学
Abstract: ICP刻蚀GaN基多量子阱制备纳米阵列图形的方法，包括以下步骤：取一衬底，衬底的材料为硅、蓝宝石或氮化镓；在衬底依次外延生长GaN缓冲层，n型GaN层、InGaN/GaN量子阱层和P型GaN,形成初步的GaN基片；量子阱层整个厚度约50nm-200nm，周期数为2-10；在GaN基片上采用PVD进行蒸镀金属层；对蒸镀生长金属层的基片进行高温退火；利用ICP刻蚀工艺，刻蚀GaN基片直至n型GaN层或部分n型GaN层；形成InGaN/GaN纳米柱。
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公开(公告)号：CN105023858A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510308515.2
申请日：2015-06-05
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49107 , H01L2224/73257 , H01L2924/00014 , H01L22/30 , H01L25/00 , H01L33/60 , H01L33/644
Abstract: 本发明公布了一种集成石墨烯温度传感的LED器件及其制造方法，该器件在芯片上包含LED发光器件和温度传感器件。温度传感器件是一种石墨烯器件。LED发光器件和温度传感器件采用背对背的上下堆叠结构，上方是LED发光器件，下方是温度传感器件。可以通过测量温度传感器件中石墨烯薄膜电阻随温度的变化监测LED发光器件的结温。本发明提供的集成石墨烯温度传感LED器件不仅能够实时、准确、稳定的反映LED器件的结温，而且能够有效的提高LED发光器件的出光率和改善整个器件的散热。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104897598A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510328828.4
申请日：2015-06-15
Applicant: 南京大学
IPC: G01N21/33
Abstract: 本发明公开了水质COD的光谱测量装置，流通池固定在遮光箱中，至少两面透光，光源固定在遮光箱内表面，探测器固定在光源垂直正下方的遮光箱内表面；第一、二样品池设置于遮光箱外，第一水管连通流通池和待测水样，第二水管连通流通池和第一样品池，第三水管连通流通池和第二样品池，第四水管连接流通池底部出水口和遮光箱外界，其上设有蠕动泵，第五水管连接流通池顶部和遮光箱外界，所述单片机用于控制所有装置。并公开了使用该装置来测量水质COD的光谱测量方法。本发明可以快速准确的测量水质COD，且可以循环自动在线测量，吸收光谱比一般方法中直接测量蒸馏水配制的硝酸盐溶液、阴离子表面活性剂光谱更加接近实际水样情况。
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公开(公告)号：CN104868023A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510237489.9
申请日：2015-05-11
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/005
Abstract: 本发明公开了一种III族氮化物半导体/量子点混合白光LED器件，所述白光LED器件在p型电极和n型电极外的区域设有有序的纳米孔阵列，纳米孔阵列的深度从器件表面穿过量子阱有源层，直至n型氮化物层内部，所述纳米孔阵列内填充有II-VI族量子点。还公开了其制备方法。该类器件利用铟镓氮(InGaN)量子阱与II-VI量子点中激子间的非辐射复合能量转移，提高器件发光效率；通过改变填充量子点的种类和配比，以调节发光波长与强度，能够实现超高显色指数的氮化物/量子点混合结构的白光LED器件。
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公开(公告)号：CN104810455A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510219302.2
申请日：2015-04-30
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明公开了一种紫外半导体发光器件及其制造方法。该半导体发光器件包括主要由n型层、量子阱层和p型层组成的外延结构层以及p型、n型电极，所述p型层上还依次设有石墨烯-Ag纳米复合层和导电反射层，所述石墨烯-Ag纳米复合层与p型层形成欧姆接触。进一步的，所述石墨烯-Ag纳米复合层包括：形成于p型层上的Ag纳米材料层，所述Ag纳米材料层包含Ag纳米点和/或Ag纳米线以及覆盖在所述Ag纳米材料层上的石墨烯薄膜；或者，石墨烯量子点负载Ag纳米粒子复合体层。本发明的半导体发光器件具有外部量子效率高、出光效率高、开启电压低、散热性好、稳定性高等优点，且制备工艺简单可控，成本低廉，适于工业化生产。
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公开(公告)号：CN101724910B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN200910232185.8
申请日：2009-12-02
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/34
Abstract: 本发明涉及一种消除GaN厚膜材料表面缺陷的方法，工艺简单、有效。所述消除GaN厚膜材料表面缺陷的方法为：将GaN厚膜材料置于含氢气和氨气的混合气体气氛中，进行退火处理。其中，混合气体气氛中，氢气体积百分比为0.1％-99.9％，氨气体积百分比为0.1％-99.9％，退火处理在气压为1K～1MPa的混合气体气氛中进行。退火处理的温度为500～1500℃，时间为5秒到500分钟。GaN厚膜材料厚度为5～1000微米之间时，特别适用于本发明。本发明的有益效果有：一、可有效消除GaN厚膜材料表面的缺陷态和抛光损伤；二，可去除GaN厚膜材料表面氧化薄层；三，可使GaN厚膜材料内部可能存在的应力得到一定程度的释放。
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公开(公告)号：CN104619098A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510098832.6
申请日：2015-03-05
Applicant: 南京大学
IPC: H05B37/02
Abstract: 本发明公开了一种低压ET/TRIAC可调光LED适配器，包括谐振腔、第一增压转换模块、第二增压转换模块、相角检测模块和LED灯串；第一增压转换模块用于输入电压都保持，以防止输入电压跌落，从而维持后级变换器的输入电压的稳定；第二增压转换模块用于给LED负载提供恒定的电流；相角检测模块用于对输入电压的切相角进行检测并将检测结果送至第二增压转换模块，第二增压转换模块对输出电流进行调制控制，以给LED负载提供恒定的电流。本发明采用LC谐振腔使得ET反过来适应适配器，利用了逆向思维；采用了双升压方案，消除了输入电压不稳导致的闪烁。总之，本发明在良好兼容ET的同时具有优良的TRIAC调光效果。
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