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公开(公告)号：CN115083990A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210844935.2
申请日：2022-07-19
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/683 , H01L25/075
Abstract: 本发明公开了一种Micro‑LED巨量转移方法，首先制备好常规衬底上的Micro‑LED阵列。之后将光感应胶带与芯片绑定，再将芯片与原衬底进行分离。接着用光照射光感应胶带使其丧失黏性，之后将转移基板对准待转移芯片，进行芯片拾取。在接收基板上蒸镀好驱动电路，并蒸镀低熔点金属焊点。之后将带有芯片的转移基板对准目标衬底，并施加压力使芯片紧密贴合衬底，然后加热使得转移基板上的热释放胶丧失黏性，同时将焊点熔化。最后恢复常温移开转移基板完成芯片的转移。本发明可以将芯片的释放与芯片的焊接同时进行，从而提高了芯片转移的效率，同时可以通过控制转移基板上热释放性胶的图形来转移不同间距不同尺寸的芯片。
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公开(公告)号：CN113337887A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110607629.2
申请日：2021-06-01
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了激光辅助MPCVD法增强单晶金刚石SiV色心的应用，以及具有SiV色心的单晶金刚石，其特征在于：所述SiV色心的形成系采用激光辅助MPCVD法在单晶金刚石衬底上生长硅掺杂的单晶金刚石而成。本发明方法采用激光辅助MPCVD法制备单晶金刚石，Si元素在制备过程中经等离子体辅助进入金刚石晶粒中，形成SiV发光中心，使单晶金刚石具有很强的SiV发光特性，该方法对设备要求较低、工艺简单、易于操作。
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公开(公告)号：CN112233969A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011130743.2
申请日：2020-10-21
Applicant: 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备低应力GaN薄膜的方法，在双面抛光的蓝宝石衬底正反两面同时用卤化物气相外延法进行GaN薄膜的生长，控制生长条件，使双面外延GaN薄膜的厚度基本相同，得到低应力的GaN薄膜。本发明利用双面抛光蓝宝石衬底在正反两面同时外延GaN薄膜，控制生长条件使得两面外延的氮化镓厚度相近、分布均匀，这样两面氮化镓对于蓝宝石的应力减弱或相互抵消，从而得到低应力高质量的GaN薄膜的方法。本发明方法步骤简单，不仅可以实现低应力氮化镓薄膜外延，而且可以实现多片同时生长，提高产量，且在现有HVPE反应器中即可进行，无需对设备进行大的改进。双面外延并不会增加源气体的用量，且任一面都可以用做后续的外延晶面。
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公开(公告)号：CN110284198B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201910658713.X
申请日：2019-07-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种控制GaN纳米线结构与形貌的分子束外延生长方法。本发明公开了一种采用PA‑MBE(分子束外延技术)制备高质量单晶GaN纳米线的方法，在Si衬底上先生长岛状AlN成核点，再在岛状AlN成核点上生长GaN纳米线。其特征在于：首先对Si衬底进行退火处理以获得洁净的重构Si表面，然后通过开发和优化AlN的成核层的生长方法和技术来制备岛状AlN成核点，并通优化退火温度和氮化时间来调控其分布及形貌，最后在优化的岛状AlN成核点上制备GaN纳米线。生长过程中，通过固定金属源束流和较高的N2plasma流量来设定Ⅴ/Ⅲ；采用反射高能电子衍射花样对成核过程进行实时原位监测。再通过优化衬底温度来制备质量较高，具有六方形貌的GaN纳米线。
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公开(公告)号：CN108330536B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201810228701.9
申请日：2018-03-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种PA‑MBE同质外延高质量GaN单晶薄膜的制备方法，在C面GaN衬底上生长GaN薄膜，通过控制金属Ga源束流,衬底温度，氮气等离子体(N2plasma)流量和射频功率，生长出高晶体质量，高电子迁移率的单晶GaN薄膜。生长过程中，通过固定金属源束流，设定较低的生长速率；通过调节反射高能电子衍射(RHEED)的恢复时间，判定生长过程中的富Ga状态；通过调节衬底温度使得材料的生长模式从二维台阶生长模式+三维岛状生长模式转变为二维台阶生长模式。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106341825B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201610937246.0
申请日：2016-10-25
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种高效有向充电器的部署方法，包括以下步骤：1)N个可充电传感器布置在一个二维区域，传感器的位置已知，M个有向无线充电器有待部署。2)将整个二维区域离散化为多个子区域，从而将无线多个充电器候选点将为有限个，二维区域离散化的目标是保证离散化后的各个子区域内的接口功率可以近似为常数值。3)对每个子区域，得到该子区域内充电器能覆盖到的所有可能的传感器集合。4)通过离散化平面区域和对各个子区域进行覆盖支配集抽取后获得所有充电器位置和朝向组合。5)在所有位置和朝向组合中，继续遴选组合布置充电器，从而达到最大化网络整体充电效用。
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公开(公告)号：CN108615797A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810400045.6
申请日：2018-04-28
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L33/02 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/105 , H01L33/145 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件，其特征在于：在LED有源层上设置一层AlN电子阻挡层，在AlN电子阻挡层上覆盖一层p型AlGaN层，在所述p型AlGaN层上刻蚀出AlGaN圆台纳米三角阵列，在AlGaN圆台顶部或间隙内填充有金属纳米阵列。并公开了其制备方法。本发明的纳米圆台阵列相对纳米圆柱阵列而言，由于此时纳米结构的侧面不再垂直于底面，更有利于光的出射，设置于纳米圆台阵列顶部或者间隙的金属薄膜，能通过表面等离激元(SPP)的方式更进一步增强光的出射。相较于传统的常规结构和单一的垂直纳米结构，本发明能更好的增强紫外LED的发光效率，同时将几种不同的工艺结合起来，控制圆台斜面倾角，简化制备过程。
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公开(公告)号：CN104868023B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201510237489.9
申请日：2015-05-11
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种III族氮化物半导体/量子点混合白光LED器件，所述白光LED器件在p型电极和n型电极外的区域设有有序的纳米孔阵列，纳米孔阵列的深度从器件表面穿过量子阱有源层，直至n型氮化物层内部，所述纳米孔阵列内填充有II‑VI族量子点。还公开了其制备方法。该类器件利用铟镓氮(InGaN)量子阱与II‑VI量子点中激子间的非辐射复合能量转移，提高器件发光效率；通过改变填充量子点的种类和配比，以调节发光波长与强度，能够实现超高显色指数的氮化物/量子点混合结构的白光LED器件。
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公开(公告)号：CN106341825A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610937246.0
申请日：2016-10-25
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种高效有向充电器的部署方法，包括以下步骤：1)N个可充电传感器布置在一个二维区域，传感器的位置已知，M个有向无线充电器有待部署。2)将整个二维区域离散化为多个子区域，从而将无线多个充电器候选点将为有限个，二维区域离散化的目标是保证离散化后的各个子区域内的接口功率可以近似为常数值。3)对每个子区域，得到该子区域内充电器能覆盖到的所有可能的传感器集合。4)通过离散化平面区域和对各个子区域进行覆盖支配集抽取后获得所有充电器位置和朝向组合。5)在所有位置和朝向组合中，继续遴选组合布置充电器，从而达到最大化网络整体充电效用。
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公开(公告)号：CN105206727A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510645324.5
申请日：2015-10-08
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开了一种InGaN/GaN多量子阱单纳米柱LED器件，InGaN/GaN多量子阱纳米柱两端的n型GaN层和p型GaN层离金属电极膜的距离在100nm以内或直接接触金属电极膜，且中间的InxGa1-xN/GaN量子阱有源层与金属电极膜隔离，在InGaN/GaN多量子阱纳米柱两端与金属电极膜接触的部位通过聚焦离子束系统二次沉积金属电极形成欧姆接触。本发明方法的主要特点是使用紫外光光刻和聚焦离子束二次沉积形成纳米柱的欧姆接触，使用该方法能够显著提高电极与纳米柱的对准精度和制备成功率，以及在制备电极的同时，不损伤InGaN/GaN多量子阱，从而实现较好的金属半导体接触，提高电注入的电流密度从而增加发光亮度。该方法适用于制备单纳米柱InGaN/GaN发光二极管，尤其适用于尺度小于紫外光光刻极限的纳米器件。
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