公开(公告)号：CN112133775B

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202010919307.7

申请日：2020-09-04

Applicant: 上海大学

Inventor： 闵嘉华 ,  梁小燕 ,  陈军 ,  戴灵恩 ,  冯成杰 ,  张继军 ,  王林军 ,  沈悦

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/117 ,  H01L31/18 ,  G01T1/161 ,  G01T1/24 ,  G01T1/36

Abstract: 本发明公开了一种碲锌镉/硅γ射线X射线探测器及其制备方法，本发明器件具有高探测灵敏度和高探测效率，是一种具有吸收和倍增区分离的复合型碲锌镉‑硅探测器。本发明将CZT晶片与SiPM键合在一起，由CZT晶片作为探测核辐射的吸收区，SiPM作为载流子的倍增放大区，形成吸收区和倍增区分离的高探测灵敏度的CZT/Si核辐射探测器。当采用SiPM的结构时，整个器件作为高灵敏探测器应用；当将单个或部分APD单元作为像素单元时，可用作高灵敏像素探测器。为下一代康普顿γ相机、单光子发射计算机断层扫描、正电子发射断层扫描仪器成像仪器提供具有单光子计数能力的、高能量分辨率、高空间分辨率、高时间分辨率、高探测灵敏度和高探测效率的探测器件。

公开(公告)号：CN113658852A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202110853195.4

申请日：2021-07-27

Applicant: 上海大学

Inventor： 黄健 ,  顾克云 ,  尚艺 ,  邓洁 ,  刘尊 ,  张志洛 ,  丁可可 ,  张子龙 ,  唐可 ,  王林军

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/032 ,  C23C14/02 ,  C23C14/08 ,  C23C14/16 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种硅基尺寸可控β‑Ga2O3纳米线的制备方法，所述硅基尺寸可控β‑Ga2O3纳米线的制备工艺是：首先在单晶Si(100)衬底上沉积不同厚度的金(Au)催化层，并对催化层进行原位球化退火，得到不同尺寸的Au纳米颗粒，然后进行磁控溅射生长β‑Ga2O3纳米线并原位退火，得到不同尺寸的β‑Ga2O3纳米线。本发明通过调控β‑Ga2O3纳米线的尺寸可得到具有缺陷少、电阻率高、均匀致密等优点的β‑Ga2O3纳米线。本发明制备的不同的尺寸的β‑Ga2O3纳米线在日盲紫外探测器应用中表现出优异的性能，在军事领域可应用于导弹逼近预警系统、紫外通信、紫外成像导航等，在民用领域的汽车尾气检测、火焰检测、指纹检测等方面有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN110148627B

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN201910347454.9

申请日：2019-04-28

Applicant: 上海大学

Inventor： 黄健 ,  马云诚 ,  朱建 ,  胡艳 ,  邹天宇 ,  唐可 ,  尚艺 ,  别佳瑛 ,  缑赛飞 ,  王林军

IPC: H01L29/24 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种具有金属缓冲层的CZT薄膜复合材料及其制备方法，所述碲锌镉薄膜采用衬底‑缓冲层‑半导体的三明治结构的组合形式，依次由衬底、金属缓冲层和碲锌镉三部分进行层叠组装结合的结构。本发明在传统碲锌镉薄膜生长过程中加入金属缓冲层。与传统生长方式相比，本发明所采用的金属缓冲层技术，得到的薄膜生长速度更快，薄膜晶粒尺寸更大，薄膜晶体质量更高。本发明制备的薄膜材料对于公共安全、军事、核工业、核医学、科学研究以及航空航天等领域安全监控、辐射防护方面具有重要意义和应用前景。

公开(公告)号：CN109524491B

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN201811264136.8

申请日：2018-10-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 沈悦 ,  孙佳豪 ,  徐宇豪 ,  顾峰 ,  黄健 ,  王林军

IPC: H01L31/0296 ,  H01L31/18 ,  H01L31/102

Abstract: 本发明提供了一种具有ZnTe过渡层的GaN‑CdZnTe复合结构组件、应用及其制备方法，基于GaN/ZnTe基底生长CdZnTe薄膜并制备GaN/ZnTe/CdZnTe基紫外光探测器，本发明提供的GaN/ZnTe/CdZnTe基紫外光探测器制备方法包括衬底预处理、ZnTe过渡层的溅射过程、CdZnTe薄膜的生长过程、GaN/ZnTe/CdZnTe基紫外光探测器的电极制作4个主要步骤。本发明方法能在GaN/ZnTe衬底上快速生长大面积、高质量CdZnTe薄膜，GaN/ZnTe衬底可以保证GaN/ZnTe/CdZnTe基紫外光探测器在极端环境下的使用，所制得的复合结构对紫外光也有着较强的光响应。

公开(公告)号：CN112216749A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN202011093122.1

申请日：2020-10-13

Applicant: 上海大学 ,  中广核工程有限公司

Inventor： 闵嘉华 ,  刘洪涛 ,  王坤元 ,  田亚杰 ,  王林军 ,  梁小燕 ,  张继军

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种具有高阻钝化层的碲锌镉(CZT)晶体探测器及其制备方法，所述CZT单晶的结构为高阻钝化层‑半导体‑高阻钝化层的三明治结构；在制备中，选取纯度为99.99999％的高纯Cd、Zn、Te材料作为垂直布里奇曼法生长CZT晶体的原料，获得晶体后切片、划片获得所需衬底，经抛光和腐蚀后采用射频磁控溅射沉积方法在样品上生长高阻钝化层；经过光刻和等离子体刻蚀后，使用电子束蒸发方法继续在单晶上沉积Au电极。本发明是一种有效的钝化CZT表面的方法，高阻钝化层能够较好的降低表面漏电流，增加CZT晶体表面电阻率，最终提高探测器的电学性能和后续器件制成的稳定性和寿命。

公开(公告)号：CN112133775A

公开(公告)日：2020-12-25

申请号：CN202010919307.7

申请日：2020-09-04

Applicant: 上海大学

Inventor： 闵嘉华 ,  梁小燕 ,  陈军 ,  戴灵恩 ,  冯成杰 ,  张继军 ,  王林军 ,  沈悦

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/117 ,  H01L31/18 ,  G01T1/161 ,  G01T1/24 ,  G01T1/36

Abstract: 本发明公开了一种碲锌镉/硅γ射线X射线探测器及其制备方法，本发明器件具有高探测灵敏度和高探测效率，是一种具有吸收和倍增区分离的复合型碲锌镉‑硅探测器。本发明将CZT晶片与SiPM键合在一起，由CZT晶片作为探测核辐射的吸收区，SiPM作为载流子的倍增放大区，形成吸收区和倍增区分离的高探测灵敏度的CZT/Si核辐射探测器。当采用SiPM的结构时，整个器件作为高灵敏探测器应用；当将单个或部分APD单元作为像素单元时，可用作高灵敏像素探测器。为下一代康普顿γ相机、单光子发射计算机断层扫描、正电子发射断层扫描仪器成像仪器提供具有单光子计数能力的、高能量分辨率、高空间分辨率、高时间分辨率、高探测灵敏度和高探测效率的探测器件。

公开(公告)号：CN112103355A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202010898530.8

申请日：2020-08-31

Applicant: 上海大学

Inventor： 沈悦 ,  陈日志 ,  李柝时 ,  温丹丹 ,  顾峰 ,  黄健 ,  王林军

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种提供CdZnTe/CdTe/AlN复合结构、日盲区紫外探测器和其制备方法，其外延层包括由下至上依次设置的p型AlN衬底、CdTe过渡层和n型CdZnTe膜，所述p型AlN衬底上引出p型欧姆电极，所述n型CdZnTe膜上引出n型欧姆电极。本发明提供的CdZnTe/CdTe/AlN基日盲区紫外光探测器制备方法包括衬底预处理、CdTe过渡层的溅射过程、CdZnTe薄膜的生长过程、CdZnTe/CdTe/AlN基日盲区紫外光探测器的电极制作4个主要步骤。本发明方法能在CdTe/AlN衬底上快速生长大面积、低缺陷浓度的CdZnTe薄膜，CdTe/AlN衬底能保证CdZnTe/CdTe/AlN基日盲区紫外光探测器在极端环境下的使用，所制得的CdZnTe/CdTe/AlN垂直电导结构有着较低的漏电流，对日盲区紫外光也有着较强的光响应。

公开(公告)号：CN110148627A

公开(公告)日：2019-08-20

申请号：CN201910347454.9

申请日：2019-04-28

Applicant: 上海大学

Inventor： 黄健 ,  马云诚 ,  朱建 ,  胡艳 ,  邹天宇 ,  唐可 ,  尚艺 ,  别佳瑛 ,  缑赛飞 ,  王林军

IPC: H01L29/24 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种具有金属缓冲层的CZT薄膜复合材料及其制备方法，所述碲锌镉薄膜采用衬底-缓冲层-半导体的三明治结构的组合形式，依次由衬底、金属缓冲层和碲锌镉三部分进行层叠组装结合的结构。本发明在传统碲锌镉薄膜生长过程中加入金属缓冲层。与传统生长方式相比，本发明所采用的金属缓冲层技术，得到的薄膜生长速度更快，薄膜晶粒尺寸更大，薄膜晶体质量更高。本发明制备的薄膜材料对于公共安全、军事、核工业、核医学、科学研究以及航空航天等领域安全监控、辐射防护方面具有重要意义和应用前景。

公开(公告)号：CN109888049A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201910106988.2

申请日：2019-02-02

Applicant: 上海大学

Inventor： 徐闰 ,  倪超伟 ,  欧正海 ,  张笑铮 ,  易永胜 ,  徐珊瑚 ,  徐飞 ,  黄健 ,  王林军

IPC: H01L31/08 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种无机钙钛矿厚膜复合材料半导体器件及其制备方法，能达到能够进行连续生长，制备出尺寸大、结晶度好的钙钛矿多晶厚膜的X-ray探测器，其结构为透明玻璃/CsPbBr3钙钛矿多晶厚膜/Au电极的全无机钙钛矿平面型半导体探测器。我们制作的探测器厚度较厚，具有较高的开关比，较快的响应速度以及优异的水氧稳定性。该半导体探测器的制备方法步骤简单，成本低，过程低温可控，且所制备的CsPbBr3材料耐湿耐热性优异，并将此方法运用于大规模商业生产，具有显著的产业化推广价值。

公开(公告)号：CN109784710A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201910013662.5

申请日：2019-01-08

Applicant: 上海大学

Inventor： 王武荣 ,  韦习成 ,  彭章友 ,  王林军 ,  席慧霞

IPC: G06Q10/06 ,  G06Q50/20

Abstract: 本发明提供一种基于定量计算的高等教育学生能力达成度形成性评价方法。本方法是设计一个由顶层（不同高等教育专业的能力要求）到底层（全体必修课内外教学环节）进行能力设计分解，并由底层课内外教学环节的定量评判成绩向顶层能力进行逆向支撑计算的系统方法，可以实现基于高等教育学生从入校到评价全过程所有课内外必修教学环节的定量评价数据计算学生能力达成度的形成性评价。根据此发明可真正实现“以学生为中心”的形成性评价体系，一方面可真正基于高等教育学生的完整培养环节数据确信某个认证专业的合格毕业生个体已经符合认证标准要求的学生能力要求，另外一方面也为未达成的学生个体提供诊断依据以促使专业对能力未达成学生个体进行有效帮扶，此外也能为企业能够针对招聘员工各项要求对应聘的高等教育毕业生个体进行有效筛查。