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公开(公告)号：CN119357108A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411391855.1
申请日：2024-10-08
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
Abstract: 本发明属于通信技术领域，具体涉及了一种基于通用IO加载SPARC架构SoC的方法及系统，旨在解决现有的引导方法存在着为非易失存储器加载，更换程序较为繁琐，且具有风险项的问题。本发明包括：对ELF文件进行解析，得到加载代码段数据字节数组的集合；将每个32数组均拆分为M位数据，每个M位数据均增加DSU写数据包头、写入地址，形成M位数组；对每个M位数组中每个数据按照比特位进行解析得到码流数据；每M位数据均增加比特起始位和比特停止位；通用IO的驱动程序将码流数据以数字波形的形式输出至DSU接口。本发明通用IO模拟串口与SPARC DSU单元进行通信增加机台调试的效率。
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公开(公告)号：CN119337951A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411315929.3
申请日：2024-09-20
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明属于集成电路领域，具体涉及了一种高并行脉冲卷积神经网络硬件加速器，旨在解决硬件加速器计算并行度较低的问题。本发明包括：计算模块，用于并行计算脉冲卷积神经网络多个时间维度的脉冲数据和膜电压数据，根据所述脉冲数据和膜电压数据，编码得到不同时间维度对应的输出特征图数据。本发明通过不同计算引擎接收脉冲卷积神经网络不同时间维度的输入特征图数据，并且计算引擎之间具有不同时间维度膜电压数据的依赖关系，建立了并行程度更高的计算模块，支持多个时间维度特征图数据的并行计算，提升了硬件加速器运算速度。
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公开(公告)号：CN119290952A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411202166.1
申请日：2024-08-29
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
Abstract: 本发明属于器件检测与定位技术领域，具体涉及一种叠层封装半导体器件缺陷检测与定位方法、系统，旨在解决叠层封装半导体器件的缺陷难以定位的问题。本方法包括：获取失效的叠层封装半导体器件的结构参数、材料参数；若叠层封装半导体器件为陶瓷封装器件，制样后进行磨样，然后无损取出并施加激励信号，若为塑料封装器件，则直接施加激励信号；采集叠层封装半导体器件的侧面温度，确定缺陷在X轴‑Z轴平面的位置；构建温度‑时间序列，进行傅里叶变换后计算相位角，得到缺陷相位差‑频率关系；利用热传导算法，建立Y轴深度缺陷求解模型，并结合缺陷相位差‑频率关系，确定缺陷的位置。本发明提升了缺陷检测和定位准确率。
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公开(公告)号：CN119277822A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411137264.1
申请日：2024-08-19
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种低压低电容双向瞬态抑制二极管，属于二极管设计领域；陶瓷管壳的内腔底部上表面设置有粘片区；N+NP+N+结构瞬态抑制二极管管芯和P+PN+P+结构瞬态抑制二极管管芯的底部电极共晶焊在粘片区上；压点设置在陶瓷管壳的内腔底部上表面；N+NP+N+结构瞬态抑制二极管管芯的顶部、P+PN+P+结构瞬态抑制二极管管芯的顶部分别通过引线与压点的顶部键合；第一管壳引脚与压点相连后，从陶瓷管壳的下表面伸出；第二管壳引脚与粘片区相连后，从陶瓷管壳的下表面伸出；本发明采用简单NPN双极工艺和PNP双极工艺分别实现2路稳压二极管和普通二极管的集成制造，通过常规的双芯片陶封封装工艺来提供一种低压低电容双向瞬态抑制二极管。
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公开(公告)号：CN119270022A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411272060.9
申请日：2024-09-11
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明提出一种用于高速串行IO接口接收端的通用测试采样电路，包括第一低通滤波器、第二低通滤波器和第一RX测试采样电路、第二RX测试采样电路以及第一比较器、第二比较器和为两个RX测试采样电路和两个比较器提供参考电压及偏置电压的RX测试偏置电路，该通用测试采样电路可以分别对高速串行IO接口接收端的两个差分信号通路中的每一路进行测试采样，根据接收的信号，来判断PCB电路板、压焊点和IO内部是否存在短路、断路。本发明中提出的通用测试采样电路适用于高速度数据传输率串行接口(10G波特率以上)中的差分接收端，并且通过模式选择信号可分别工作在直流模式和交流模式两种情况下，既可以对直流信号采样又可以对交流信号采样。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116226948B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202211575217.6
申请日：2022-12-08
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种SRAM型FPGA复杂IP核精准辐照评估方法，包括：(1)对重离子进行Geant4蒙特卡洛仿真；(2)对待测FPGA进行包含重离子物理特性的器件单元级TCAD仿真；(3)将仿真参数转化为spice网表，进行Pspice仿真；(4)将仿真所得敏感区域进行高精度激光试验；(5)对激光试验结果进行重离子效应修正，拟合重离子评估曲线。该方法通过软件仿真、激光细化、等效修正，对FPGA内复杂IP核进行精准辐照测试，实现对FPGA内嵌复杂IP核辐照效应精准评估。
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公开(公告)号：CN119210615A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411132614.5
申请日：2024-08-19
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明属于射频芯片测试领域，具体涉及一种可编程射频收发芯片自动测试系统，旨在解决现有测试系统无法满足实时配置待测芯片并测试的需求及无法保证射频参数测试的准确性和稳定性的问题。本系统包括：控制器、测试仪器均集成于PXI机箱中；软件控制系统运行于控制器中；射频开关的输入输出端口通过射频线缆分别与测试仪器和测试转接板连接；测试转接板分别连接待测芯片、测试仪器、射频开关阵列；数字继电器阵列分布集成在测试转接板上；数字继电器阵列分别与测试仪器中的继电器驱动器、待测芯片连接；芯片控制模块通过LAN接口与控制器进行控制指令收发。本系统可实时配置待测芯片并测试，并提升射频参数测试的准确性和稳定性。
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公开(公告)号：CN119150514A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411107267.0
申请日：2024-08-13
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: G06F30/20 , G06F119/10
Abstract: 本发明涉及一种基于幂函数的电子背散射噪声建模标定方法，首先对地面模拟空间环境装置和待测材料进行简化建模，然后通过幂函数以平均分布随机数和等间隔的方式选取预标定点位，使用蒙特卡洛方法对预标定点位进行选定能量的吸收剂量仿真，最后通过比较筛选确定最优标定点，本发明方法可以减小由环境等因素造成的噪声干扰，对电路总剂量效应、材料屏蔽性能等对背散射敏感的指标评估具有一定帮助，提高可信度，本发明能在现场试验前明确试验装置的大致标定位置，可在较低试验成本的前提下取得理想试验结果。
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公开(公告)号：CN118980365A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411039596.6
申请日：2024-07-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G01C19/5656 , G01C19/5663 , B81B5/00
Abstract: 本发明属于陀螺仪技术领域，具体涉及了一种基于后装配工艺的高灵敏度谐振式环形陀螺结构，旨在解决现有的陀螺仪容易受环境温度变化和振动干扰影响的问题。本发明包括：所述陀螺结构包括核心部分和边缘部分；所述核心部分包括：第一支撑锚点结构和环形谐振子结构；所述边缘部分，包括等间隔在所述环形谐振子结构外周围成圆形的n个电极和n/2个后装配功能块；每个所述外周电极与环形谐振子结构形成平行板电容器；所述外周电极包括第一类电极和第二类电极，第一类电极外周连接后装配功能块。本发明通过后装配工艺突破深宽比极限对电容间隙的限制，实现极小电容间隙，增大了有用输出信号，提高了角速度输出信号的信噪比。
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公开(公告)号：CN118980364A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411039593.2
申请日：2024-07-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G01C19/5656 , G01C19/5663 , B81B7/02
Abstract: 本发明属于陀螺仪技术领域，具体涉及了一种兼顾高优值和高灵敏度的微机电碟形陀螺，旨在解决现有的微机电碟形陀螺无法兼顾优值与灵敏度性能不足的问题。本发明包括：支撑锚点结构、同心环结构、弹性框架结构、辐条结构、差分驱动电极、差分检测电极和调整电极；支撑锚点结构通过辐条结构与最内层同心环结构连接；辐条结构设置于非最外层的每个同心环结构内侧，同一个同心环结构上的8个辐条结构等间隔；弹性框架结构设置于非最外层的每个同心环结构的外侧，弹性框架结构的中心对准辐条结构；差分驱动电极和差分检测电极均设置在弹性框架结构中；调整电极设置在最外层同心环结构外周，并与最外层同心环结构构成平行板电容器。
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