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公开(公告)号：CN102386070A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110259627.5
申请日：2011-08-31
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L27/32
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L27/1218 , H01L27/1277 , H01L27/3262 , H01L29/78603
Abstract: 本发明公开了一种形成多晶硅层的方法、一种形成薄膜晶体管的方法、一种薄膜晶体管和一种有机发光显示装置。形成多晶硅层的方法包括：在基底上形成缓冲层；利用氢等离子体处理所述缓冲层；在所述缓冲层上形成非晶硅层；在所述非晶硅层上形成用于使所述非晶硅层晶化的金属催化剂层；以及对所述非晶硅层热处理以形成多晶硅层。
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公开(公告)号：CN102290335A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110167103.3
申请日：2011-06-16
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/02 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L27/1277 , H01L29/78609 , H01L29/78675
Abstract: 一种使硅层结晶的方法和制造薄膜晶体管的方法，该使硅层结晶的方法包括：在基板上形成催化剂金属层；在所述催化剂金属层上形成催化剂金属压盖图案；在所述催化剂金属压盖图案上形成第二非晶硅层；以及对所述第二非晶硅层进行热处理以形成多晶硅层。
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公开(公告)号：CN102270570A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110156773.5
申请日：2011-06-03
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/314 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/02532 , H01L27/1277
Abstract: 本发明公开了一种使硅层结晶的方法及一种使用该方法制造薄膜晶体管的方法，使硅层结晶的方法包括：在基底上形成非晶硅层；对非晶硅层的表面执行疏水性处理，以在非晶硅层上获得疏水性表面；在经历过疏水性处理的非晶硅层上形成金属催化剂；以及热处理其上包括金属催化剂的非晶硅层，以使非晶硅层结晶成多晶硅层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102201443A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110055020.5
申请日：2011-03-07
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/77 , H01L27/32
CPC classification number: H01L29/66742 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/3262 , H01L27/3274 , H01L29/66757 , H01L29/78618 , H01L51/0081
Abstract: 本发明公开了一种基底、制造该基底的方法及包括该基底的有机发光显示装置。该基底包括：有源层，设置在基底上，有源层包括沟道区及源区和漏区；栅电极，设置在有源层上，沟道区与栅电极对应；栅极绝缘层，设置在有源层和栅电极之间；层间绝缘层，设置为覆盖有源层和栅电极，层间绝缘层具有部分地暴露有源层的第一接触孔和第二接触孔；源电极和漏电极，设置在层间绝缘层上，源区和漏区与源电极和漏电极对应；欧姆接触层，欧姆接触层设置在层间绝缘层与源电极和漏电极之间，并通过第一接触孔和第二接触孔接触源区和漏区。
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公开(公告)号：CN102386069A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110241085.9
申请日：2011-08-22
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L27/32
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L21/02672 , H01L27/1277 , H01L27/3262 , H01L29/1033 , H01L29/66765 , H01L29/78609 , H01L29/78675 , H01L29/78678
Abstract: 一种形成多晶硅层的方法，包括形成第一非晶硅层和形成第二非晶硅层，使得所述第一非晶硅层和所述第二非晶硅层具有彼此不同的膜性质；和用金属催化剂使所述第一非晶硅层和所述第二非晶硅层结晶，以形成第一多晶硅层和第二多晶硅层。一种薄膜晶体管包括由所述方法形成的多晶硅层，和一种有机发光装置包括所述薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN1924079B
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN200610127709.3
申请日：2006-08-30
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: C23C14/243
Abstract: 本发明公开一种线型沉积源，该沉积源能够通过使用板型加热源来提高加热效率并且降低加热温度，和/或能够通过在一个壳体中包括一个具有冷却水管线(或者通道)的冷却套来提高冷却效率。所述线型沉积源包括：布置在一个沉积室中的坩埚，所述坩埚用于蒸发包括在所述坩埚中的材料；加热源，用于对所述坩埚加热；壳体，用于隔绝从加热源发出的热量；外壁，用于固定所述坩埚；和喷嘴单元，用于喷射从所述坩埚蒸发的材料。在该沉积源中，所述加热源是板型加热源，并且所述壳体具有冷却水管线，从而冷却水可以流过该冷却水管线。
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公开(公告)号：CN102108500A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010512357.X
申请日：2010-10-09
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/77 , H01L27/32
CPC classification number: C23C16/4481 , H01L27/1277
Abstract: 本发明提供一种汽相沉积装置和使用该汽相沉积装置制造有机发光显示装置的方法。该汽相沉积装置包括：被配置为容纳汽相沉积源的罐，所述罐包括彼此相对的气体入口和气体出口；被配置为对所述罐进行加热的加热器；与所述罐流体连通的室，所述室被配置为容纳汽相沉积对象；以及载气供给单元，被配置为将载气供给到所述罐中。
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公开(公告)号：CN101866853A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010128599.9
申请日：2010-03-03
Applicant: 三星移动显示器株式会社
Inventor： 罗兴烈 , 李基龙 , 徐晋旭 , 郑珉在 , 洪钟元 , 姜有珍 , 张锡洛 , 郑胤谟 , 梁泰勋 , 苏炳洙 , 朴炳建 , 李东炫 , 李吉远 , 朴钟力 , 崔宝京 , 伊凡·迈丹丘克 , 白原奉 , 郑在琓
IPC: H01L21/324 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67109
Abstract: 本发明公开一种基板处理设备，其通过均匀地加热基板，在多个基板上形成薄膜和热处理基板。该基板处理设备包括处理室、其中堆叠基板的船形器皿、位于处理室外部的外部加热器、将船形器皿移进和移出处理室的输送器、位于输送器下方的下部加热器、和位于船形器皿中间的中间加热器。
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