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公开(公告)号：CN1331282C
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN03159420.4
申请日：2003-09-19
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0218 , H01S5/0425 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/32341 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供氮化物系半导体激光元件，能谋求激光的稳定化，同时抑制阈值电流和动作电流的增大。该氮化物系半导体激光元件包括由经掺杂的氮化物系半导体及硅化物系材料二者之一组成的基板，形成于基板上的n型包层，由形成于n型包层上的氮化物系半导体构成的活性层，形成于活性层上的p型包层，活性层，仅在n型包层及p型包层之间中的活性层与p型包层之间形成的光导层。
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公开(公告)号：CN1744397A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510093864.3
申请日：2005-08-31
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 在支撑部件上，经多个融着层，顺序层积副基板、蓝紫色半导体激光元件、绝缘层和红色半导体激光元件。在蓝紫色半导体激光元件的n侧衬垫电极上，层积绝缘层，在绝缘层上形成导电层。在导电层上经融着层而层积红色半导体激光元件。导电层与红色半导体激光元件的p侧衬垫电极电气连接。蓝紫色半导体激光元件的n侧衬垫电极和红色半导体激光元件的n侧衬垫电极电气连接。
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公开(公告)号：CN1215620C
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN01131277.7
申请日：2001-08-29
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/16 , H01S5/0425 , H01S5/168
Abstract: 本发明涉及半导体激光元件及其制造方法。P型AlGaInP第1覆盖层上，在脊部的侧面及开孔区域的上方的脊部的上表面区域形成有n型GaAs电流阻挡层。端面近旁的区域上的p型GaAs顶盖层上形成隆起部，端面近旁的第1电极区域上形成隆起区域。第1电极的隆起区域间的区域上形成具有比隆起区域的高度大的厚度的第2电极。
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公开(公告)号：CN102148295A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201010619582.3
申请日：2004-02-06
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种可使元件工作稳定化的半导体元件。该半导体元件包含以下部件，即：至少在背面一部分上具有错位集中的区域的基板、在基板表面上形成的半导体元件层、在基板背面上错位集中区域上形成的绝缘膜、和以与基板背面错位集中区域以外的区域相接触的方式形成的背面侧电极。
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公开(公告)号：CN102142488A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201010620144.9
申请日：2004-02-06
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种可使元件工作稳定化的半导体元件。该半导体元件包含以下部件，即：至少在背面一部分上具有错位集中的区域的基板、在基板表面上形成的半导体元件层、在基板背面上错位集中区域上形成的绝缘膜、和以与基板背面错位集中区域以外的区域相接触的方式形成的背面侧电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100461564C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200510058841.9
申请日：2005-03-30
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/4025 , H01L2224/32245 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265 , H01S5/4087
Abstract: 在蓝紫色半导体激光元件的上面形成p电极，在其下面形成n电极。在红色半导体激光元件的上面形成n电极，在其下面形成p电极。在红外半导体激光元件的上面形成n电极，在其下面形成p电极。在蓝紫色半导体激光元件的p电极的上面的一部分上形成焊锡膜。在p电极的上面，以规定的间隔形成两个焊锡膜。由此，p电极的一部分露出。再者，蓝紫色半导体激光元件、红色半导体激光元件以及红外半导体激光元件的p电极成为共用的电极。
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公开(公告)号：CN100459333C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200510053771.8
申请日：2005-03-11
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/02272 , H01L2224/48463 , H01S5/02469 , H01S5/22 , H01S5/4031 , H01S5/4043 , H01S5/4087
Abstract: 在蓝紫色半导体激光元件中，在上面形成p电极，在下面形成n电极。在蓝紫色半导体激光元件中，形成p型半导体和n型半导体接合面的pn接合面。在红色半导体激光元件中，在上面形成n电极，在下面形成p电极。在红色半导体激光元件中，形成p型半导体和n型半导体接合面的pn接合面。以与蓝紫色半导体激光元件的蓝紫色发光点不重叠的方式，红色半导体激光元件的p电极通过焊料膜H接合在p电极上。
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公开(公告)号：CN1677784A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510059393.4
申请日：2005-03-29
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/4025 , H01S5/4087
Abstract: 在蓝紫色半导体激光元件的绝缘膜上，并且在第一p侧衬垫电极的两侧，形成第二和第三p侧衬垫电极。第二p侧衬垫电极和第三p侧衬垫电极分别离间形成。在第二和第三p侧衬垫电极的上面侧，分别形成焊锡膜。红色半导体激光元件的第四p侧衬垫电极经焊锡膜接合在第二p侧衬垫电极上。另外，红外半导体激光元件的第五p侧衬垫电极经焊锡膜接合在第三p侧衬垫电极上。因为第二和第三p侧衬垫电极彼此离间形成，所以第四和第五p侧衬垫电极分别电分离。
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公开(公告)号：CN1677781A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510053943.1
申请日：2005-03-11
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/4043 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01S5/02212 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/4087 , H01L2924/00014
Abstract: 红色半导体激光元件的p型衬垫电极和第一端子用导线连接，红外半导体激光元件的p型衬垫电极和第二端子用导线连接，蓝紫色半导体激光元件的p电极和第三端子用导线连接。此外蓝紫色半导体激光元件的n电极与底座实现电导通。红色半导体激光元件的n电极与底座用导线连接，红外半导体激光元件的n电极与底座用导线连接。在底座内设置第四端子。
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公开(公告)号：CN1677780A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510053771.8
申请日：2005-03-11
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/02272 , H01L2224/48463 , H01S5/02469 , H01S5/22 , H01S5/4031 , H01S5/4043 , H01S5/4087
Abstract: 在蓝紫色半导体激光元件中，在上面形成p电极，在下面形成n电极。在蓝紫色半导体激光元件中，形成p型半导体和n型半导体接合面的pn接合面。在红色半导体激光元件中，在上面形成n电极，在下面形成p电极。在红色半导体激光元件中，形成p型半导体和n型半导体接合面的pn接合面。以与蓝紫色半导体激光元件的蓝紫色发光点不重叠的方式，红色半导体激光元件的p电极通过焊料膜H接合在p电极上。
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