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公开(公告)号：CN1841864B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200610066495.3
申请日：2006-03-31
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/30 , H01L24/05 , H01L2224/04042 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种在能够减小阈值电流的同时还能够提高发光效率的半导体激光元件及其制造方法。该半导体激光元件包括：具有主表面的半导体基板；以及形成在半导体基板的主表面上，并具有相对于半导体基板的主表面实质上倾斜的主表面，同时，包括发光层的半导体元件层。
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公开(公告)号：CN1744398B
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN200510093867.7
申请日：2005-08-31
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/4025 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01S5/4087 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置中使用的一芯片半导体激光元件。其中，红色半导体激光元件和红外半导体激光元件层叠在蓝紫色半导体激光元件上。蓝紫色半导体激光元件通过在GaN基板上形成半导体层来制造。红色半导体激光元件及红外半导体激光元件分别通过在GaAs基板上形成半导体层来制造。GaAs的弹性模量比GaN的弹性模量小。红色半导体激光元件及红外半导体激光元件的长度分别比蓝紫色半导体激光元件的长度长。
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公开(公告)号：CN1838494A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200610067416.0
申请日：2006-03-27
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/4043 , B82Y20/00 , G11B7/123 , G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01S5/0202 , H01S5/0207 , H01S5/02212 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/0425 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/3432 , H01S5/34326 , H01S5/34333 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01L2924/00014
Abstract: 半导体激光装置的蓝紫色发光点、红色发光点和红外发光点，配置成按该顺序沿Y方向大致排列在直线上。从蓝紫色发光点发射的蓝紫色激光和从红色发光点发射的红色激光，通过由偏振光束分离器、准直透镜、光束扩展器、λ/4片、物镜、柱面透镜和光轴校正元件构成的光学系统入射到光盘上，从光盘返回后被导向同一个光检测器。从红外发光点发射的红外激光，通过上述光学系统入射到光盘上，从光盘返回后被导向光检测器。
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公开(公告)号：CN1159811C
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN97118448.8
申请日：1997-09-08
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/32
CPC classification number: H01S5/16 , B82Y20/00 , H01S3/22 , H01S5/168 , H01S5/2205 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/3202 , H01S5/34 , H01S5/3403 , H01S5/34326
Abstract: 本发明涉及一种半导体激光元件，其特征在于，具备：n型敷层、形成于n型敷层上，包含一层或多层量子势阱层的量子势阱结构的活性层、由在活性层上形成的平坦部和该平坦部上的带状脊部构成的p型敷层、以及形成于所述平坦部上，覆盖脊部的侧面，同时形成于从一方的谐振器端面到规定距离上的位置的脊部上表面的区域上的电流阻挡层。
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