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    半导体制造装置的清洗装置及清洗方法
    12.
    发明授权
    半导体制造装置的清洗装置及清洗方法 失效

    公开(公告)号：CN101637766B

    公开(公告)日：2011-06-08

    申请号：CN200910161234.3

    申请日：2009-07-24

    申请人： 东京毅力科创株式会社

    发明人： 小久保峰幸 ,  山涌纯 ,  守屋刚

    IPC分类号： B08B3/02

    CPC分类号： B08B3/10 ,  B08B13/00 ,  B08B2230/01

    摘要： 本发明提供一种半导体制造装置的清洗装置及清洗方法，能够进行比以往效率高的清洗作业，并且能够得到更好的清洗效果。所述半导体制造装置的清洗装置(100)具有由纯水生成纯水水蒸气的纯水水蒸气生成容器(2)、将纯水水蒸气供给到被清洗部位的供给口(5)、连接纯水水蒸气生成容器和供给口的供给管路(4)、从被清洗部位回收在清洗中使用后的使用完毕水蒸气的回收口(6)、将使用完毕水蒸气凝结并回收的回收容器(8)、以及连接回收口(6)和回收容器(8)的回收管路(7)。

    微粒产生因素判断系统以及收费方法
    13.
    发明公开
    微粒产生因素判断系统以及收费方法 无效

    公开(公告)号：CN101930562A

    公开(公告)日：2010-12-29

    申请号：CN201010212525.3

    申请日：2010-06-24

    申请人： 东京毅力科创株式会社

    发明人： 守屋刚

    IPC分类号： G06Q10/00 ,  H01L21/02

    CPC分类号： G06Q30/06 ,  G06Q30/0283 ,  G06Q30/04 ,  H01L22/12

    摘要： 本发明提供一种能够对使用微粒产生因素判断系统的用户产生激励作用的微粒产生因素判断系统以及收费方法。微粒产生因素判断系统具备用户输入微粒图的用户接口装置和服务器装置，在该微粒产生因素判断系统中，服务器装置根据微粒图来算出关于多个微粒产生因素中的每个微粒产生因素的准确度，用户接口装置显示所算出的各准确度、与该准确度对应的关于各微粒产生因素的产生因素关联信息的标题等，服务器装置将产生因素关联信息提供给用户接口装置，并且对产生因素关联信息的提供进行收费，收费金额是至少根据与所提供的产生因素关联信息对应的微粒产生因素的准确度来决定的。

    气密模块以及该气密模块的排气方法
    14.
    发明公开
    气密模块以及该气密模块的排气方法 失效

    公开(公告)号：CN101777487A

    公开(公告)日：2010-07-14

    申请号：CN201010126106.8

    申请日：2008-07-25

    申请人： 东京毅力科创株式会社

    发明人： 守屋刚

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L21/67201

    摘要： 本发明提供一种气密模块以及该气密模块的排气方法，能够不降低生产效率地防止在基板的主面形成的图案发生倾倒。基板处理系统的负载锁定模块(5)具有移载臂(31)、腔室(32)以及负载锁定模块排气系统(34)，在腔室(32)内以与搬入到腔室(32)内的晶片(W)的主面相对的方式配置有板状部件(36)，在晶片(W)的主面的正上方，通过晶片(W)的主面和板状部件(36)划分成与腔室(32)的剩余部分隔离的排气流路，该排气流路的截面积比腔室(32)的剩余部分的截面积小。

    粉体状物质源供给系统的清洗方法、存储介质、基板处理系统和基板处理方法
    15.
    发明公开
    粉体状物质源供给系统的清洗方法、存储介质、基板处理系统和基板处理方法 失效

    公开(公告)号：CN101657888A

    公开(公告)日：2010-02-24

    申请号：CN200880011161.3

    申请日：2008-03-26

    申请人： 东京毅力科创株式会社

    发明人： 守屋刚 ,  长谷川俊夫 ,  山﨑英亮

    IPC分类号： H01L21/31 ,  C23C16/44

    CPC分类号： C23C16/4402

    摘要： 本发明提供一种粉体状物质源供给系统的清洗方法，能够防止在成膜处理时从容器内或导入管内流出颗粒。基板处理系统(10)具有粉体状物质源供给系统(12)和成膜处理装置(11)。粉体状物质源供给系统包括：收容粉体状物质源(13)(羰基钨)的安瓿容器(14)；向安瓿容器内供给载体气体的载体气体供给装置(16)；连接安瓿容器和成膜处理装置的粉体状物质源导入管(17)；从粉体状物质源导入管分支的吹扫管(19)；和开闭粉体状物质源导入管的开闭阀(22)。在成膜处理前，在关闭开闭阀且对吹扫管内排气时，载体气体供给装置供给载体气体使得由载体气体作用在颗粒上的粘性力比成膜处理时由载体气体作用在颗粒上的粘性力大。

    等离子体处理装置、环形部件和等离子体处理方法
    17.
    发明授权
    等离子体处理装置、环形部件和等离子体处理方法 失效

    公开(公告)号：CN100418187C

    公开(公告)日：2008-09-10

    申请号：CN200410031210.3

    申请日：2004-02-06

    申请人： 东京毅力科创株式会社

    发明人： 佐佐木康晴 ,  长池宏史 ,  守屋刚

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  C23F4/00

    CPC分类号： H01J37/32642 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/67069

    摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置、环形部件以及等离子体处理方法，利用等离子体进行处理，当执行相互不同的多个处理时实现装置公用化，在多个装置中执行相同处理时易统一装置之间的等离子体状态，利用由绝缘材料构成的环形部件环绕处理容器内的被处理基板，在此环形部件内设置用于调整等离子体源区的电极，构成为例如在对被处理基板执行第一处理时对该电极施加第一直流电压、在执行第二处理时对该电极施加第二直流电压，此时，由于对应于执行每一处理或相同处理的各装置通过施加合适的直流电压就可统一等离子体的状态，所以可实现装置公用化，并易对等离子体状态进行调整。

    成膜方法
    19.
    发明公开
    成膜方法 有权

    公开(公告)号：CN111164235A

    公开(公告)日：2020-05-15

    申请号：CN201880064563.3

    申请日：2018-09-26

    申请人： 东京毅力科创株式会社

    发明人： 岩下伸也 ,  守屋刚

    IPC分类号： C23C16/509 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H05H1/46

    摘要： 在一实施方式的成膜方法在基片载置于支承台上的状态下被执行。该成膜方法包括：从气体供给部向腔室主体的内部空间供给包含前体的前体气体的步骤；从气体供给部向内部空间供给反应性气体的步骤；生成反应性气体的等离子体以增强前体与反应性气体的反应的步骤。在生成反应性气体的等离子体的步骤中，调节供给到下部电极的第2高频的电功率与供给到上部电极的第1高频的电功率之比，并且用相位调节电路，相对于上部电极的电压的相位相对地调节下部电极的电压的相位。