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公开(公告)号：CN101147247A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200680009167.8
申请日：2006-03-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/44
CPC classification number: H01L21/28562 , C23C16/4554 , C23C16/45544 , C23C16/5096 , H01J2237/022 , H01L21/76843 , H01L21/76862
Abstract: 一种用于利用等离子体增强原子层沉积(PEALD)工艺在衬底上沉积膜的方法包括将衬底放置在被配置为促进PEALD工艺的工艺室中。向工艺室中引入第一处理材料，并且向工艺室中引入第二处理材料。在第二处理材料的引入期间高于600W的电磁功率被耦合到工艺室，以生成加速在衬底表面处的第一和第二处理材料之间的还原反应的等离子体。通过交替引入第一处理材料和第二处理材料在衬底上形成膜。
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公开(公告)号：CN106971937B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201610847749.9
申请日：2016-09-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , C23C16/30 , C23C16/455
Abstract: 本发明的课题在于，提供一种能够成膜平滑性优越的TiON膜的TiON膜的成膜方法。其解决方法在于，在成膜初期阶段中，将重复含Ti气体和氮化气体的交替供给X1次后、供给氧化剂的循环进行Y1循环，在之后的成膜阶段中，将重复含Ti气体和氮化气体的交替供给X2次后、供给氧化剂的循环进行Y2循环直至成为所要求的膜厚。此时，成膜初期阶段的重复数X1和之后的成膜阶段的重复数X2被设定为X1＞X2。
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公开(公告)号：CN106971937A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201610847749.9
申请日：2016-09-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , C23C16/30 , C23C16/455
Abstract: 本发明的课题在于，提供一种能够成膜平滑性优越的TiON膜的TiON膜的成膜方法。其解决方法在于，在成膜初期阶段中，将重复含Ti气体和氮化气体的交替供给X1次后、供给氧化剂的循环进行Y1循环，在之后的成膜阶段中，将重复含Ti气体和氮化气体的交替供给X2次后、供给氧化剂的循环进行Y2循环直至成为所要求的膜厚。此时，成膜初期阶段的重复数X1和之后的成膜阶段的重复数X2被设定为X1＞X2。
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公开(公告)号：CN102165573B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN200980138541.8
申请日：2009-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/44
CPC classification number: H01L21/76814 , C23C16/0236 , C23C16/16 , H01L21/02063 , H01L21/02074 , H01L21/3105 , H01L21/76826 , H01L21/7684 , H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L21/76864
Abstract: 本发明提供了用于将钌(Ru)金属沉积结合于半导体器件制造中以改善铜(Cu)金属中的电迁移和应力迁移的方法。本发明的实施例包括用NHx(x≤3)自由基和H自由基处理包括金属层和低k电介质材料的图案化衬底，以提高Ru金属层在金属层上相对于在低k电介质材料上的选择沉积。
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公开(公告)号：CN102414804A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080018603.4
申请日：2010-08-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/76829 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76849 , H01L21/76877 , H01L21/76883 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种实施有伴随500℃以上的温度的处理的后续工序的Cu配线的形成方法，其具有：在表面具有沟槽和/或孔的基板上的至少沟槽和/或孔的底面和侧面，形成由具有与Cu的晶格面间距的差为10％以内的晶格面间距的金属构成的密接膜的工序；在密接膜上以填埋沟槽和/或孔的方式形成Cu膜的工序；在Cu膜形成后的基板进行350℃以上的退火处理的工序；研磨Cu膜仅使Cu膜的对应于沟槽和/或孔的部分残留的工序；和在研磨后的Cu膜形成盖而成为Cu配线的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1826428B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200480002181.6
申请日：2004-02-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , H01L21/285 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/45523 , C23C16/34 , C23C16/45525 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76843
Abstract: 涉及通过交互地供给成为原料的气体而进行薄膜的形成而迅速地形成高质量的薄膜的方法，是包括使作为原料气体的TiCl4气体附着于基板上或附着于基板的TiCl4分子上，把作为反应气体的NH3气体供给到处理容器内，使此NH3与TiCl4反应而形成TiN膜的工序，通过重复实施这些工序而形成TiN膜的方法，其中还设有在TiCl4气体附着于基板上前，把具有还原性的H2气供给到处理容器(30)内，使TiCl4变化成容易吸附于基板的状态(例如TiCl3)的工序。
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公开(公告)号：CN100585818C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200680009167.8
申请日：2006-03-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/44
CPC classification number: H01L21/28562 , C23C16/4554 , C23C16/45544 , C23C16/5096 , H01J2237/022 , H01L21/76843 , H01L21/76862
Abstract: 一种用于利用等离子体增强原子层沉积(PEALD)工艺在衬底上沉积膜的方法包括将衬底放置在被配置为促进PEALD工艺的工艺室中。向工艺室中引入第一处理材料，并且向工艺室中引入第二处理材料。在第二处理材料的引入期间高于600W的电磁功率被耦合到工艺室，以生成加速在衬底表面处的第一和第二处理材料之间的还原反应的等离子体。通过交替引入第一处理材料和第二处理材料在衬底上形成膜。
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公开(公告)号：CN101384749A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200780005070.4
申请日：2007-01-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/448
CPC classification number: C23C16/4481
Abstract: 本发明描述了与高传导率蒸汽传输系统(40)相耦合的多盘膜前驱体蒸发系统(1)，其用于通过增大膜前驱体的暴露表面积来增大沉积速率。多盘膜前驱体蒸发系统(50)包括一个或多个盘(340)。每个盘被配置为支撑并保持例如固态粉末形式或固态片形式的膜前驱体(350)。另外，每个盘被配置为在加热膜前驱体的同时提供膜前驱体上方的载气的高传导率流动。例如，载气在膜前驱体上方向内流动，并且竖直地向上经过可堆叠盘内的流动通道(318)，并经过固态前驱体蒸发系统中的出口(322)。
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公开(公告)号：CN110473782B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201910309894.5
申请日：2019-04-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明涉及蚀刻方法及蚀刻装置。本发明的课题是提供能够提高异种氧化膜间的蚀刻选择比的技术。本发明的蚀刻方法具备吸附工序和蚀刻工序。在吸附工序中，将包含BCl3气体的处理气体和H2气供给至配置有作为蚀刻对象的被处理体的处理空间，在停止H2气的供给的同时，对处理空间施加规定频率的电力，从而在处理空间产生等离子体，使被处理体吸附基于处理气体的吸附物。在蚀刻工序中，在处理空间产生惰性气体的等离子体而将吸附物活化，从而对被处理体进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN107836034B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN201680040035.5
申请日：2016-06-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 尤凯鸿 , 赫里特·J·勒斯因克 , 考利·瓦吉达 , 石坂忠大 , 袴田隆宏
IPC: H01L21/28 , H01L21/285 , C23C16/16 , C23C16/455 , C23C16/46
Abstract: 提供了一种用于至少部分地填充基底中的特征部的方法。该方法包括提供包括特征部的基底，沉积钌(Ru)金属层以至少部分地填充所述特征部，和热处理所述基底以使所述特征部中的Ru金属层回流。
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