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公开(公告)号：CN116470960A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310150490.2
申请日：2023-02-22
Applicant: 南京大学
IPC: H04B10/077 , H04B10/116
Abstract: 本发明公开了一种LED调制带宽快速测试系统，包括直流电源；偏置器；激光器，用于激发LED样品发光，实现光信号‑电信号‑光信号的转变；透射组件，用于整体光线的聚焦；滤光片，用于排除激光对LED发光的影响；光电探测器，检测到LED发出的光信号，并转变为电信号输出；矢量网络分析仪，分析两端口信号以绘制频率响应曲线，从而得到LED的调制带宽。本发明可以实现在不封装LED情况下对其通信性能进行测试的功能，并且可以通过激光扫描实现同时测量多个LED的调制带宽的功能。利用本发明的装置可以实现快速测量，并且光激发可以达到对LED样品零损伤的效果。
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公开(公告)号：CN112239889B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202011129343.X
申请日：2020-10-21
Applicant: 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种卤化物气相外延生长系统的气路系统，包括第一HCl导管，N2导管和NH3导管，第一HCl导管通到镓舟处，还包括第二HCl导管，通到接近镓舟区域出口处的位置。并公开了含有该气路系统的卤化物气相外延生长系统，以及减缓卤化物气相外延生长系统中管壁沉积氮化镓的方法。在镓舟区域增加一路HCl到接近出口处，与低温区反应后的GaCl混合，再进行输运，该HCl与GaCl混合气体通过出口处的石英管时，HCl会与管壁上预反应沉积的GaN发生腐蚀反应，减缓管壁沉积，从而不会因管内径缩小导致生长速率和均匀性大幅下降。腐蚀反应生成产物为GaCl，也会提高输运到衬底上方的反应物浓度，保持衬底上GaN生长的长时间高稳定速率，并且提高镓利用率。
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公开(公告)号：CN115966582A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202110601695.9
申请日：2021-05-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/15 , H01L29/24 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开一种单片异质集成的microLED显示芯片，采用外延片上microLED柱阵列，与二维半导体薄膜晶体管矩阵作为驱动电路进行垂直单片异质集成。本发明还公开了其制备方法。本发明避免了传统microLED显示芯片制备工艺中的巨量转移，利用二维半导体可大面积转移和低温器件工艺等特点，可以实现1000PPI以上高分辨microLED显示芯片。同时，二维半导体的高迁移率可以满足microLED显示芯片对高驱动电流、低电压的要求，实现主动寻址的microLED扫描屏幕图像与动画显示。该发明兼容透明与柔性显示要求，在未来超高分辨、超高亮度显示、可见光通讯中具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN114059036B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202111396220.7
申请日：2021-11-23
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/01 , C23C16/02 , C23C14/18 , C23C14/24 , C23C16/27 , C23C16/56 , C30B29/04 , C30B28/14 , C30B33/00
Abstract: 本发明公开了铁薄膜在辅助剥离金刚石多晶薄膜中的应用，具体为在蓝宝石衬底上生长铁薄膜，在铁薄膜上生长金刚石多晶薄膜，采用机械剥离的方式将金刚石多晶薄膜从蓝宝石衬底上剥离。可以使金刚石多晶薄膜无碎裂的从蓝宝石衬底上剥离。本发明利用铁薄膜来辅助剥离金刚石多晶衬底，生长过程中金属铁具有好的延展性，可以缓解蓝宝石与金刚石之间由晶格失配带来的应力，减少样品碎裂的概率。且铁金属层、金刚石层、蓝宝石之间的热膨胀系数差距较大，结合力较弱，便于采用机械剥离的方法实现金刚石多晶薄膜与蓝宝石衬底的分离，从而使金刚石多晶薄膜无碎裂的从蓝宝石衬底上完整剥离。
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公开(公告)号：CN115692538A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211400883.6
申请日：2022-11-09
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于Mxene‑铝铟镓氮异质结的自驱动紫外光探测器及其制备方法，其衬底材料为蓝宝石基片上外延生长的AlInGaN半导体，探测器表面分别为金属电极、Mxene薄层和测试电极，其中Mxene与AlInGaN构成异质结。Mxene和AlInGaN的功函数差使得异质结界面处产生肖特基势垒，可在零偏压下分离光生电子/空穴对，输出光电流，即探测器具备自驱动功能。Mxene薄层具有良好的紫外透光性，能够扩大器件的感光面积，同时探测器的负极退火后与AlInGaN形成欧姆接触，可快速收集电子，提高探测器的工作效率。本发明还提供了Mxene‑AlInGaN异质结的激光剥离转移方法，可进一步制得柔性自驱动紫外光探测器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109935614B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201910278874.6
申请日：2019-04-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于深硅刻蚀模板量子点转移工艺的微米全色QLED阵列器件。在蓝光LED外延片上设有贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的阵列式正方形台面结构，其上刻蚀形成微米孔。台面结构每2*2个构成一个RGB像素单元，四个微米孔中，分别填充有红光、绿光、黄光量子点，一个自身发蓝光/填充蓝光量子点。在硅片上利用深硅刻蚀技术刻穿硅片上的微米孔，将硅片上的微米孔与Micro‑LED上的量子点填充区域对齐，将量子点通过硅片上的微米孔旋涂进Micro‑LED中。并公开了其制备方法。三块不同的深硅刻蚀掩膜板可完成对Micro‑LED中绿光、红光、黄光量子点的旋涂，实现RGB像素单元的全色显示，形成QLED阵列器件。
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公开(公告)号：CN113451881A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110725102.X
申请日：2021-06-29
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种栅状电极增强表面等离激元激光器，该激光器包括表面等离激元衬底、多量子阱纳米线和栅状电极。本发明利用栅状电极对纳米结构实施电磁场刺激，同时利用等离激元可与增益介质中的激子形成共振耦合从而实现增益介质中光子的受激辐射，成功获得了增强型表面等离激元纳米激光器，核心在于通过采用栅状电极对纳米光腔中的载流子实施电磁场刺激，从而增强纳米光腔中的光产生高效率的激发，降低了表面等离激元激光器的阈值，实现了室温下0.8W/cm2低阈值激射，提高激光器的品质因子Q值。本发明特色在于栅状电极与纳米光腔无接触，在实施电磁场加载的同时有效避免了漏电问题，在一个维度上可突破光学衍射极限的限制。
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公开(公告)号：CN111554733B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202010395256.2
申请日：2020-05-12
Applicant: 南京大学 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种提高功率肖特基二极管反向耐压的器件外延结构，包括基于Si或蓝宝石衬底外延的包含顶部器件沟道层的多层氮化物半导体薄层结构，在器件缓冲层内生长多个横向高势垒插入层，形成符合缓冲层，并公开了其制备方法。本发明采用采用多层高势垒插入结构，每一个高势垒插入层都是阻挡势垒电场向器件内部扩散的阻挡层，实现最大程度的器件耐压。
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公开(公告)号：CN108878469B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810725971.0
申请日：2018-07-04
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于III族氮化物半导体/量子点的混合型RGB微米孔LED阵列器件，设有贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的相互隔离的阵列式正方形台面结构，正方形台面上刻蚀形成微米孔；所述正方形台面结构每2*2个构成一个RGB像素单元，每个RGB像素单元的四个微米孔中，一个填充有红光量子点，另一个填充有绿光量子点。并公开其制备方法。本发明的微米孔LED阵列器件，反向漏电流低至10‑10A量级，并通过喷墨打印技术将II‑VI族核壳结构CdSe/ZnS的红光量子点、绿光量子点填充至微米孔内，红光量子点经蓝光Micro‑LED激发发红光，绿光量子点经蓝光Micro‑LED激发发绿光，实现了每个RGB像素单元的三色显示。
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公开(公告)号：CN109097834B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201811016835.0
申请日：2018-09-03
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备多孔网状结构GaN单晶薄膜的方法，其步骤包括：在蓝宝石衬底上生长厚度范围在0.1‑2微米的氧化镓薄膜；氨气气氛下氮化，形成多孔网格状分布的GaN/Ga2O3复合薄膜；氢氟酸腐蚀，得到多孔化结构的GaN单晶薄膜。该方法制得的多孔网状结构GaN单晶薄膜及其在作为GaN厚膜的衬底材料上的应用。本发明可得到高质量多孔网状结构GaN单晶薄膜。进一步再氮化还可以提高多孔网状结构GaN单晶薄膜的晶体质量。在上述多孔网状结构GaN单晶薄膜上进行厚膜GaN的卤化物气相外延生长，可以获得低应力高质量的GaN厚膜材料。
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