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公开(公告)号：CN109835868A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201810524534.2
申请日：2018-05-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开实施例涉及一种具有不同的沟槽深度的微机电系统封装体，及制造上述微机电系统封装体的方法。在一些实施例中，第一装置区中的第一沟槽和切割道区中的切割沟槽系形成在盖基板的前侧。随后，在盖基板上形成并图案化硬掩模。然后，在硬掩模到位的情况下，对盖基板进行蚀刻，使得第一沟槽的底表面的未覆盖部分被凹蚀，而第一沟槽的底表面的覆盖部分并未改变以在第一沟槽中形成停止部。然后，将盖基板的前侧接合到装置基板，将第一沟槽封闭在第一微机电系统装置上。
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公开(公告)号：CN106542491A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201610683335.7
申请日：2016-08-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0013 , B81B2203/0127 , B81B3/0002 , B81B3/001 , B81B3/0072 , B81C1/00134 , B81C1/0065 , B81C1/00666
Abstract: 一种半导体器件包括衬底和接近衬底的可移动膜。该半导体器件还包括位于衬底上方且从衬底的表面朝着可移动膜突出的台。台包括配置为从膜接收碰撞力的撞击部分和位于撞击部分下方的混合应力缓冲件，其中，混合应力缓冲件包括通过硬度不同可分辨的至少两层。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN105967137A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201510450702.4
申请日：2015-07-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/0023 , B81B7/0048 , B81B7/0051 , B81B7/0054 , B81B7/007 , H01L2224/04026 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/16225 , H01L2224/2957 , H01L2224/29624 , H01L2224/29644
Abstract: 本发明涉及具有应力吸收盖衬底的晶圆级芯片尺寸封装件(WLCSP)。盖衬底通过布置在盖衬底的上表面上的接合环和接合焊盘接合至管芯。衬底通孔(TSV)从接合焊盘延伸穿过盖衬底至盖衬底的下表面。此外，上表面中的凹槽在接合焊盘周围延伸和沿着接合环的侧壁延伸。该凹槽吸收诱导应力，从而缓解管芯中的任何器件偏移。本发明的实施例还涉及为晶圆级芯片尺寸封装件(WLCSP)应用缓解焊接偏移的结构和方法。
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公开(公告)号：CN102556933B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201110329759.0
申请日：2011-10-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L41/311 , B81B3/0021 , B81C1/00 , H01L41/113 , H01L41/1136 , H01L41/1138 , H01L41/22 , H01L41/312 , H02K35/04 , H02N2/186 , Y10T29/42 , Y10T29/49005 , Y10T29/49073 , Y10T29/49075 , Y10T29/49146
Abstract: 本发明提供了微器件。器件包括微电子机械系统(MEMS)可移动结构，位于MEMS可移动结构上的多个金属环，以及位于MEMS可移动结构上的压电元件。前部覆盖晶圆和背部覆盖晶圆与MEMS结构接合，前部覆盖晶圆和背部覆盖晶圆封装MEMS可移动结构，多个金属环，和压电元件。器件还包括设置在多个金属环上方的前部覆盖晶圆上的磁体。
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公开(公告)号：CN102701136A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210048824.7
申请日：2012-02-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00579 , B81B2207/015 , B81C2203/0771 , Y10T29/49126
Abstract: 公开了包括用于互补金属氧化物半导体(CMOS)和/或微机电系统(MEMS)器件的旁路结构的装置以及这种装置的制造方法。示例性装置包括：第一衬底；第二衬底，包括MEMS器件；绝缘体，设置在第一衬底和第二衬底之间；以及电旁路结构，设置在接触所述第一衬底的一部分的绝缘体层中，其中，电旁路结构与第二衬底中的MEMS器件和第一衬底中包括的任何器件电隔离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102556933A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110329759.0
申请日：2011-10-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L41/311 , B81B3/0021 , B81C1/00 , H01L41/113 , H01L41/1136 , H01L41/1138 , H01L41/22 , H01L41/312 , H02K35/04 , H02N2/186 , Y10T29/42 , Y10T29/49005 , Y10T29/49073 , Y10T29/49075 , Y10T29/49146
Abstract: 本发明提供了微器件。器件包括微电子机械系统(MEMS)可移动结构，位于MEMS可移动结构上的多个金属环，以及位于MEMS可移动结构上的压电元件。前部覆盖晶圆和背部覆盖晶圆与MEMS结构接合，前部覆盖晶圆和背部覆盖晶圆封装MEMS可移动结构，多个金属环，和压电元件。器件还包括设置在多个金属环上方的前部覆盖晶圆上的磁体。
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公开(公告)号：CN109835865B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN201810394969.X
申请日：2018-04-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种微机电系统(MEMS)封装件和一种在晶圆至晶圆接合层级处实现多个MEMS腔体中的压差调节的方法。将包括第一MEMS器件和第二MEMS器件的器件衬底接合至包括第一凹进区和第二凹进区的覆盖衬底。通风沟槽与凹进区横向地间隔开并且位于第二腔体内。密封结构布置在通风沟槽内并且限定与第二腔体流体连通的通风孔。帽布置在通风孔内以密封在与第一腔体的第一气压不同的第二气压处的第二腔体。本发明的实施例还涉及通过硅柱和智能帽实现晶圆级集成MEMS器件。
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公开(公告)号：CN110745773A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201911039434.1
申请日：2014-09-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供了用于气密密封的薄膜结构。本发明涉及具有气密密封结构的MEMS器件以及相关的方法。在一些实施例中，第一管芯和第二管芯在接合界面区处接合以形成腔室。共形薄膜结构设置为覆盖接合界面区的外侧壁以提供气密密封。在一些实施例中，共形薄膜结构是覆盖第二管芯的外表面和第一管芯的顶面的连续薄层。在一些其他实施例中，共形薄膜结构包括纵向设置的若干离散的薄膜补片。
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公开(公告)号：CN105967138B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201510446511.0
申请日：2015-07-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B7/02 , B81B2201/0214 , B81B2201/0264 , B81B2201/0278 , B81B2207/096 , B81C2203/0109 , G01K13/00 , G01L9/0073 , G01L19/0092 , G01N27/221 , G01N2027/222
Abstract: 本发明实施例涉及一种单片MEMS(微电子机械系统)平台和相关的形成方法，单片MEMS平台包括温度传感器、压力传感器和气体传感器。在一些实施例中，MEMS平台包括：具有一个或多个晶体管器件和温度传感器的半导体衬底。介电层设置在半导体衬底上方。腔设置在介电层的上表面内。MEMS衬底布置在介电层的上表面上并且具有第一部分和第二部分。压力传感器具有通过腔与第二压力传感器电极垂直地分离的第一压力传感器电极，第二压力传感器电极位于MEMS衬底的第一部分内。气体传感器包括设置在第一气体传感器电极和第二气体传感器电极之间的聚合物，第一气体传感器电极位于MEMS衬底的第二部分内。本发明实施例涉及用于集成压力、温度和气体传感器的单片微电子机械系统平台。
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公开(公告)号：CN105967138A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201510446511.0
申请日：2015-07-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B7/02 , B81B2201/0214 , B81B2201/0264 , B81B2201/0278 , B81B2207/096 , B81C2203/0109 , G01K13/00 , G01L9/0073 , G01L19/0092 , G01N27/221 , G01N2027/222
Abstract: 本发明实施例涉及一种单片MEMS(微电子机械系统)平台和相关的形成方法，单片MEMS平台包括温度传感器、压力传感器和气体传感器。在一些实施例中，MEMS平台包括：具有一个或多个晶体管器件和温度传感器的半导体衬底。介电层设置在半导体衬底上方。腔设置在介电层的上表面内。MEMS衬底布置在介电层的上表面上并且具有第一部分和第二部分。压力传感器具有通过腔与第二压力传感器电极垂直地分离的第一压力传感器电极，第二压力传感器电极位于MEMS衬底的第一部分内。气体传感器包括设置在第一气体传感器电极和第二气体传感器电极之间的聚合物，第一气体传感器电极位于MEMS衬底的第二部分内。本发明实施例涉及用于集成压力、温度和气体传感器的单片微电子机械系统平台。
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