公开(公告)号：CN103777470B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310046337.1

申请日：2013-02-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张书豪 ,  吴小真 ,  许家豪 ,  陈家桢 ,  陈映予 ,  李慈莉 ,  简上杰 ,  陈政宏 ,  严涛南

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/2002 ,  G03F7/20 ,  G03F7/70916 ,  G03F7/70933

Abstract: 提供了一种用于紫外线(UV)和远紫外线(EUV)光刻图案化的方法和装置。生成UV或EUV光束并且将它们引导至设置在工作台上且涂覆有光刻胶的衬底表面。在曝光(即，光刻操作)期间引导层状惰性气体流过并且紧邻涂覆有光刻胶的衬底表面。将惰性气体快速排出并且在曝光位置处具有短暂的共振时间。惰性气体流防止通过光刻胶除气产生的废气和其他污染物沉淀和污染光刻装置的其他部件。

公开(公告)号：CN101110386A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200710109623.2

申请日：2007-06-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟 ,  林建宏 ,  李慈莉

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L2221/1047

Abstract: 本发明提供一种高可靠度的集成电路内连线结构，以及形成此内连线结构的方法。此方法包括提供衬底；形成介电层于所述衬底之上；执行第一缩小工艺，其中所述介电层缩小且具有第一缩小率；于执行第一缩小工艺之后，形成导电结构于所述介电层中；以及于形成导电结构之后，执行第二缩小工艺，其中所述介电层实质上缩小且具有第二缩小率。本发明的优点包括当形成扩散阻障层时，具有较低的孔隙度而改善扩散阻障层，以及较长的电迁移路径而减少了电迁移。

公开(公告)号：CN1940716A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610103312.0

申请日：2006-07-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧智彰 ,  唐存正 ,  蔡飞国 ,  李慈莉 ,  邱建明 ,  李正中 ,  苏益辰 ,  林志诚 ,  康东耀 ,  谢弘璋

IPC: G03F1/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: B08B7/0035 ,  B08B3/08 ,  B08B7/0042 ,  B08B7/0071 ,  G03F1/82

Abstract: 本发明是有关于一种清洁光罩的方法，是用来清洁相位移光罩与其他光罩以及含钼表面。在一实施例中，借由准分子氙气雷射所产生的真空紫外光(VUV)将氧气转变为臭氧，以用于第一清洁操作中。在真空紫外光/臭氧清洁之后，可进行湿式SC1化学清洁，且二步骤清洁程序减少相位移损失与增加传送。在另一实施例中，第一步骤可使用其他方法以在含钼表面上形成钼氧化物。在又一实施例中，此多步骤清洁操作是提供湿式化学清洁，例如SC1或SPM或是两者皆有，接着进一步进行化学或物理处理，例如臭氧、烘烤或电解离子水。