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公开(公告)号：CN113380611B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202110241686.3
申请日：2021-03-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/285 , H10D64/23 , H10D30/01 , H10D30/62
Abstract: 一种半导体器件，包括：栅极堆叠件；位于栅极堆叠件的侧壁上的栅极间隔件；邻近栅极堆叠件的源极/漏极区；硅化物；以及通过硅化物电连接到源极/漏极区的源极/漏极接触件。硅化物包括：共形的第一部分，该共形的第一部分在源极/漏极区中，该共形的第一部分包含金属和硅；以及共形的第二部分，该共形的第二部分在共形的第一部分上方，该共形的第二部分进一步设置在栅极间隔件的侧壁上，该共形的第二部分包含金属、硅和氮。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN110875190B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201910816465.7
申请日：2019-08-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 半导体制造的方法包括提供半导体结构，该半导体结构具有衬底以及位于衬底之上的第一、第二、第三和第四鳍。该方法还包括在第一和第二鳍上形成n型外延源极/漏极(S/D)部件，在第三和第四鳍上形成p型外延S/D部件，以及对半导体结构实施选择性蚀刻工艺以去除n型外延S/D部件和p型外延S/D部件的上部，使得从n型外延S/D部件比从p型外延S/D部件去除更多。本发明的实施例还涉及半导体器件。
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公开(公告)号：CN116487387A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310277503.2
申请日：2023-03-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体装置结构及其形成方法。所述半导体装置结构包括设置在基板上方的栅电极层、设置在基板上方的源极/漏极外延部件、设置在栅电极层上方的第一硬掩模层以及设置在源极/漏极外延部件上方的接触蚀刻停止层。所述结构还包括设置在接触蚀刻停止层上的第一层间介电层，以及设置在接触蚀刻停止层和第一层间介电层上的第二硬掩模层的第一经处理部分。第一硬掩模层的顶表面与第二掩模层的第一经处理部分的顶表面大抵共平面。所述结构还包括设置在第一硬掩模层和第二掩模层的第一经处理部分上的蚀刻停止层。
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公开(公告)号：CN116133360A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211088972.1
申请日：2022-09-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10B10/00
Abstract: 本申请的实施例提供了半导体器件及其形成方法。根据本公开的方法包括形成从衬底突出的鳍状结构，形成与鳍状结构相交的栅极结构，在栅极结构的侧壁上形成栅极间隔件，以及在鳍状结构上方形成导电部件。栅极间隔件横向位于栅极结构和导电部件之间。方法还包括在栅极结构和导电部件上方沉积介电层，执行蚀刻工艺，从而形成穿过介电层的开口并暴露导电部件和栅极结构的顶面，通过开口凹进栅极间隔件，从而暴露栅极结构的侧壁，以及在开口中形成接触部件，其中接触部件与导电部件接触并且具有向下突出以与栅极结构的侧壁接触的底部。
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公开(公告)号：CN115020495A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210492122.1
申请日：2022-05-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 半导体器件结构包括形成在衬底上方的纳米结构。该结构还包括形成在纳米结构上方和周围的栅极结构。该结构还包括在纳米结构上方的栅极结构的侧壁上方形成的间隔件层。该结构还包括邻近间隔件层形成的源极/漏极外延结构。该结构还包括形成在源极/漏极外延结构上方的接触结构，以及形成在间隔件层和接触结构之间的空气间隔件。本申请的实施例还涉及用于形成半导体器件结构的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114864496A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210121750.9
申请日：2022-02-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 提供半导体结构及其形成方法。在一实施例，一种例示方法包括：形成从基底的前侧延伸的鳍状结构；将鳍状结构的源极区凹陷以形成一源极开口；在源极开口的下方形成半导体插塞；从基底的背侧暴露半导体插塞；选择性移除基底的第一部分而未移除基底邻近半导体插塞的第二部分；在工件的底表面的上方形成背侧介电层；以背侧接触件替换半导体插塞；以及选择性移除基底的第二部分，以在背侧介电层与背侧接触件之间形成间隙。通过形成此间隙，可以有效地减少背侧接触件与邻近的栅极结构之间的寄生电容。
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公开(公告)号：CN112582410A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202010784574.8
申请日：2020-08-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L27/11 , H01L21/8244
Abstract: 半导体器件包括鳍结构。在鳍结构上形成源极/漏极区域。第一栅极结构设置在鳍结构上方。源极/漏极接触件设置在源极/漏极区域上方。源极/漏极接触件具有至少部分地在第一栅极结构上方突出的突出段。源极/漏极接触件将源极/漏极区域和第一栅极结构电耦接在一起。本发明还提供了一种形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN110875251A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910800931.2
申请日：2019-08-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234
Abstract: 本公开的一些实施例涉及一种半导体装置的形成方法。方法包含在隔离区内形成第一沟槽，在装置区内形成第二沟槽，其中装置区设置邻接于隔离区，且第一和第二沟槽皆设置在两个金属栅极结构之间，在第一和第二沟槽内形成第一介电层，在第一介电层上形成不同于第一介电层的第二介电层，自第一和第二沟槽移除第二介电层的一部分，在第一沟槽内留下第二介电层的剩余部分，移除形成在第二沟槽的底面上的第一介电层的一部分，在移除第一介电层的前述部分之后，自第一沟槽移除第二介电层的剩余部分，以及在第一和第二沟槽内形成多个接触部件。
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公开(公告)号：CN110729246A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910015643.6
申请日：2019-01-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 一种方法包含形成金属栅极结构，金属栅极结构包含栅极介电层及栅极电极。对金属栅极结构的顶表面进行表面处理，表面处理将栅极电极的顶部转变为氧化层。在栅极电极上方形成导电层，导电层的形成包含以金属元素取代氧化层中的氧。在金属栅极结构上方形成插塞部件，插塞部件与导电层直接接触。
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公开(公告)号：CN109786245A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811258691.X
申请日：2018-10-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 提供一种鳍式场效晶体管装置结构的制造方法。此方法包含在鳍片结构上方形成栅极结构。此方法也包含在源极/漏极结构上方形成源极/漏极接触结构并且在源极/漏极接触结构上方沉积保护层。保护层和源极/漏极接触结构是由不同材料形成。此方法还包含在保护层上方形成蚀刻停止层并且在蚀刻停止层上方形成介电层。此方法包含形成穿过介电层和蚀刻停止层的第一凹槽以露出保护层，并且在第一凹槽中形成源极/漏极导电插塞。源极/漏极导电插塞包含在保护层正上方的阻障层，且保护层和阻障层是由不同材料形成。
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