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公开(公告)号：CN105372944A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201410829755.2
申请日：2014-12-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: H01J37/3177 , H01J37/045 , H01J37/10 , H01J37/12 , H01J37/20 , H01J2237/0435 , H01J2237/1205
Abstract: 本发明公开了用于带电粒子多束光刻系统的装置。该装置包括多个带电粒子双合透镜，每个双合透镜均具有第一孔径并且均配置为缩小入射在第一孔径上的细光束，从而产生缩小的细光束。该装置还包括多个带电粒子透镜，每个带电粒子透镜均与带电粒子双合透镜中的一个相关，每个带电粒子透镜均具有第二孔径，并且每个带电粒子透镜均配置为从相关的带电粒子双合透镜接受缩小的细光束并且实现以下两种状态中的一种：开启状态，其中允许缩小的细光束沿着期望的路径传输，以及关闭状态，其中阻止缩小的细光束沿着期望的路径传输。在实施例中，第一孔径大于第二孔径，从而改进带电粒子多束光刻系统中的粒子束效率。
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公开(公告)号：CN103969963B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201310167352.1
申请日：2013-05-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/702 , H01J37/00 , H01J37/3174 , H01J37/3177 , H01J2237/0435 , H01J2237/31789
Abstract: 图案生成器包括：具有平面镜的平面镜阵列板、设置在平面镜阵列板上方的至少一个电极板、设置在平面镜上方的小透镜、以及夹置在平面镜阵列板和电极板之间的至少一个绝缘层。电极板包括第一导电层和第二导电层。小透镜具有在电极板中形成的非竖直侧壁。图案生成器进一步包括夹置在两个电极板之间的至少一个绝缘体。非竖直侧壁可以是U形侧壁或L形侧壁。本发明还提供了用于光刻系统的图案生成器。
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公开(公告)号：CN103246171B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201210452518.X
申请日：2012-11-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/2022 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/20 , G03F7/704 , H01J37/3026 , H01J37/3174 , Y10S430/143
Abstract: 本发明公开了一种用于制造半导体器件的方法。一种示例性方法包括接收包括格上目标图案的集成电路(IC)布局。所述方法进一步包括接收多栅格结构。所述多栅格结构包括在第一方向上相互偏移一定偏移量的许多曝光栅格段。所述方法进一步包括实施多栅格曝光以将所述目标图案曝光在衬底上，从而在所述衬底上形成电路部件图案。实施多栅格曝光包括：在第二方向上扫描具有多栅格结构的衬底使得在所述第一方向上发生所曝光的目标图案的亚像素位移，以及使用增量时间(Δt)使得在所述第二方向上发生所曝光的目标图案的亚像素位移。本发明还公开了多栅格曝光方法。
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公开(公告)号：CN103376670B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310126502.4
申请日：2013-04-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70058 , G03F7/20 , G03F7/2051 , G03F7/2059 , G03F7/70291 , G03F7/70625 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , G06F17/5081
Abstract: 本发明提供了以系数n减小临界尺寸(CD)的光刻工艺的方法的一个实施例，其中，n＜1。该方法包括：提供具有第一像素尺寸S1的图案生成器，以产生具有第二像素尺寸S2(S2＜S1)的交替数据网格，其中，图案生成器包括被配置在第一方向上彼此偏移的多个网格段；以及在垂直于所述第一方向的第二方向上扫描图案生成器，使得网格段的每个后续段被控制，以相对于网格段的在先段，网格段的每个后续段具有一个时延。
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公开(公告)号：CN103165417A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210199482.9
申请日：2012-06-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/033 , G03F9/00
CPC classification number: G03F7/70633 , H01L23/544 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2223/5446 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种用于制造半导体器件的方法。一种示例性方法包括通过第一曝光在第一层中形成第一结构，以及确定第一结构的布置信息。所述方法进一步包括通过第二曝光在位于第一层上方的第二层中形成第二结构，以及确定第二结构的布置信息。所述方法进一步包括通过第三曝光在位于第二层上方的第三层中形成包括第一和第二子结构的第三结构。形成第三结构包括独立地将第一子结构与第一结构对准以及独立地将第二子结构与第二结构对准。本发明还公开了多层图案化覆盖拆分方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102683182A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201110352647.7
申请日：2011-11-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01J37/317
CPC classification number: G03F7/2059 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3007 , H01J37/317 , H01J37/3177 , H01J2237/31761 , H01J2237/31774
Abstract: 一种电子束写入系统以及电子束写入方法，该方法包括：配置一介质在一电子束写入装置中，以使得上述介质通过一平台的协助，且曝光于一电子束源之下；以及通过使用上述电子束源的多个独立控制电子束，写入一图形至上述介质中，其中上述图形包括多个书写带，以及其中还使用上述独立控制电子束中的多个电子束写入每一平行的上述书写带。本发明的电子束写入方法更为有效。
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公开(公告)号：CN101241517B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200710129409.3
申请日：2007-07-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G06F17/5068 , G03F1/36 , G03F1/70 , G03F7/70466
Abstract: 本发明是有关于一种划分全晶片图案布局的方法，包括：提供图案布局，其中此图案布局具有多个特征；检查图案布局以判定特征中多个需划分特征与多个无需划分特征；以第一颜色与第二颜色对需划分特征进行着色步骤；当该着色步骤产生一具有着色冲突的特征时，藉由分解具有着色冲突的特征以及将分解后的具有着色冲突的涂上第一颜色与第二颜色，来解决多个着色冲突；以及以涂上第一颜色的特征来形成第一光罩以及以涂上第二颜色的特征来形成第二光罩。本发明可以有效且高效率地划分全晶片图案布局，可以使独立的布局达到近似的图案密度，还可以将现行曝光机台扩展来印刷下一世代设计图案，更可藉由将这些图案划分成独立的布局来增加每一独立布局的间距。
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公开(公告)号：CN105372944B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201410829755.2
申请日：2014-12-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: H01J37/3177 , H01J37/045 , H01J37/10 , H01J37/12 , H01J37/20 , H01J2237/0435 , H01J2237/1205
Abstract: 本发明公开了用于带电粒子多束光刻系统的装置。该装置包括多个带电粒子双合透镜，每个双合透镜均具有第一孔径并且均配置为缩小入射在第一孔径上的细光束，从而产生缩小的细光束。该装置还包括多个带电粒子透镜，每个带电粒子透镜均与带电粒子双合透镜中的一个相关，每个带电粒子透镜均具有第二孔径，并且每个带电粒子透镜均配置为从相关的带电粒子双合透镜接受缩小的细光束并且实现以下两种状态中的一种：开启状态，其中允许缩小的细光束沿着期望的路径传输，以及关闭状态，其中阻止缩小的细光束沿着期望的路径传输。在实施例中，第一孔径大于第二孔径，从而改进带电粒子多束光刻系统中的粒子束效率。
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公开(公告)号：CN103454853B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201210451288.5
申请日：2012-11-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/78 , G03F1/56 , H01L21/027 , H01L21/311
CPC classification number: G03F1/56 , G03F1/78 , G03F7/2063 , H01L21/0276 , H01L21/0277
Abstract: 一种用于电子束图案化的方法，包括：在衬底上形成导电材料层；在导电材料层上形成底部抗反射涂覆(BARC)层；在BARC层上形成抗蚀剂层；以及将电子束(电子束)引导至感光抗蚀剂层以用于电子束图案化工艺。设计BARC层，使得在电子束图案化工艺期间抗蚀剂层的顶部电势基本为零。
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公开(公告)号：CN103454853A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201210451288.5
申请日：2012-11-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/78 , G03F1/56 , H01L21/027 , H01L21/311
CPC classification number: G03F1/56 , G03F1/78 , G03F7/2063 , H01L21/0276 , H01L21/0277
Abstract: 一种用于电子束图案化的方法，包括：在衬底上形成导电材料层；在导电材料层上形成底部抗反射涂覆(BARC)层；在BARC层上形成抗蚀剂层；以及将电子束(电子束)引导至感光抗蚀剂层以用于电子束图案化工艺。设计BARC层，使得在电子束图案化工艺期间抗蚀剂层的顶部电势基本为零。
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