公开(公告)号：CN207731928U

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201720324426.1

申请日：2017-03-29

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： M·萨姆比 ,  F·F·R·托亚 ,  M·马彻西 ,  M·莫里利 ,  R·德佩特罗 ,  G·巴里拉罗 ,  L·M·斯特拉姆比尼

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8249

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/16 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/8611 ,  H03K17/687

Abstract: 一种的集成电子器件，其具有半导体本体(30)，包括：第一电极区域(32)，该第一电极区域具有第一导电类型；以及第二电极区域(28，34，38)，该第二电极区域具有第二导电类型，该第二电极区域与该第一电极区域形成结。该集成电子器件进一步包括：纳米结构半导体区域(48)，该纳米结构半导体区域在该第一和第二电极区域(32；28，34，38)之一中延伸。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN206059400U

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201621104084.4

申请日：2016-09-30

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： M·萨姆比 ,  D·里帕莫蒂 ,  D·U·吉祖 ,  D·比恩齐

IPC: H01L29/872 ,  H02M3/158

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L21/76 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/8611

Abstract: 提出了一种二极管、控制级和输出级。该二极管包括由前表面限定的半导体主体，并且包括：具有第一导电类型的第一半导体区域，至少部分地面对前表面；以及具有第二导电类型的第二半导体区域，第二半导体区域至少部分地面对前表面并且以一定距离围绕第一半导体区域的至少一部分。该二极管进一步包括：沟槽，其从前表面开始在半导体主体中延伸，包围第二半导体区域的至少一部分；以及被布置在沟槽内的外侧绝缘区域，其通过电介质材料形成并且至少部分地接触第二半导体区域。

公开(公告)号：CN206993400U

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201621467767.6

申请日：2016-12-29

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： M·莫里利 ,  F·夸利亚 ,  F·F·R·托亚 ,  M·萨姆比 ,  G·巴里拉罗

IPC: H04R9/06 ,  H04R9/02

CPC classification number: B06B1/0292 ,  A61B8/4483 ,  B06B1/0644 ,  B06B1/067 ,  B06B1/0685 ,  G10K9/22 ,  G10K11/02 ,  H04R19/005

Abstract: 本公开涉及一种声学器件，具有微机械声学换能器元件(15)；声学衰减区域(40)；以及声学匹配区域(32)，被布置在声学换能器元件(15)和声学衰减区域(40)之间。声学换能器元件(15)被形成在第一衬底(25)中，所述第一衬底容纳定界膜(16)的腔(19)。半导体材料的第二衬底(30)集成电子电路被布置在声学换能器元件(15)和声学衰减区域(40)之间。声学匹配区域(32)具有带有第二衬底的第一界面(32A)和具有带有声学衰减区域(40)的第二界面(32B)。声学匹配区域(32)具有与在第一界面(32A)邻近的第二衬底(30)的阻抗匹配的阻抗，以及与在第二界面(32B)邻近的声学衰减区域(40)的阻抗匹配的阻抗。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN205752219U

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201620147583.5

申请日：2016-02-26

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： M·莫里利 ,  F·F·R·托亚 ,  G·巴里拉罗 ,  M·萨姆比

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/346 ,  H01L33/0054 ,  H01L33/145

Abstract: 本公开提供多孔硅发光器件，以获得令人满意的发光效能。发光器件(1)包括：半导体本体(2)，具有第一导电性类型，具有正侧面(2a)和背侧面(2b)；多孔硅区域(10)，其在半导体本体(2)中在正侧面(2a)处延伸；以及阴极区域(8)，与多孔硅区域(10)直接侧向接触。发光器件进一步包括电绝缘材料的势垒区域(12)，势垒区域(12)在阴极区域的底侧面处与阴极区域(8)直接接触地延伸，使得在使用中，电流排他地穿过阴极区域(8)的侧向部分在半导体本体中流动。通过本公开的实施例，获得了改善的发光效能。