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公开(公告)号：CN118748210A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410756119.5
申请日：2018-03-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/51 , H01L21/34
Abstract: 本公开涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明提供一种电特性良好的半导体装置、可靠性高的半导体装置、功耗低的半导体装置。本发明是一种半导体装置，包括：栅电极；栅电极上的第一绝缘层；第一绝缘层上的金属氧化物层；金属氧化物层上的一对电极；以及一对电极上的第二绝缘层，其中，第一绝缘层包括第一区域及第二区域，第一区域与金属氧化物层接触，且包括其氧含量比第二区域多的区域，第二区域包括其氮含量比第一区域多的区域，金属氧化物层在膜厚度方向上至少具有氧的浓度梯度，并且，氧浓度在第一区域一侧及第二绝缘层一侧较高。
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公开(公告)号：CN115241045A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210902715.0
申请日：2017-03-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本公开涉及半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置。本发明提高包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。半导体装置包括具有氧化物半导体膜的晶体管。晶体管包括栅电压高于0V且10V以下的晶体管的场效应迁移率的最大值为40以上且小于150的区域；阈值电压为‑1V以上且1V以下的区域；以及S值小于0.3V/decade的区域。
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公开(公告)号：CN108780757A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780018390.7
申请日：2017-03-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , C23C14/08 , H01L21/363 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L21/8242 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/108 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7781 , H01L29/7782 , H01L29/7786 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提高包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。半导体装置包括具有氧化物半导体膜的晶体管。晶体管包括栅电压高于0V且10V以下的晶体管的场效应迁移率的最大值为40以上且小于150的区域；阈值电压为-1V以上且1V以下的区域；以及S值小于0.3V/decade的区域。
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公开(公告)号：CN119769195A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202380060148.1
申请日：2023-08-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种占有面积小的半导体装置。半导体装置包括第一导电层、第一导电层上的第二导电层、第二导电层上的第一绝缘层、第一绝缘层上的半导体层及第三导电层、半导体层及第三导电层上的第二绝缘层以及第二绝缘层上的第四导电层，第二导电层的至少一部分与第一导电层的顶面接触，半导体层与第一导电层的顶面、第二导电层的侧面、第三导电层及第一绝缘层的侧面接触，并且第四导电层隔着第二绝缘层与半导体层重叠。
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公开(公告)号：CN119678672A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202380058212.2
申请日：2023-07-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10D84/83 , G09F9/00 , G09F9/30 , H10D30/01 , H10D30/67 , H10D84/03 , H10D84/80 , H05B33/02 , H10K50/10
Abstract: 提供一种具有微型晶体管的半导体装置。该半导体装置包括第一及第二晶体管。第一晶体管包括第一至第三导电层、绝缘层、第一及第二半导体层。第一导电层上的第二导电层包括与第一导电层重叠的开口。第一半导体层与第一导电层的顶面以及第二导电层的顶面及侧面接触。第二半导体层与第一半导体层的顶面接触。绝缘层与第二半导体层的顶面接触。第三导电层在开口内与第一及第二半导体层重叠。第二晶体管包括绝缘层、第三半导体层、第四至第六导电层。第四及第五导电层与第三半导体层的不同顶面接触。绝缘层在第四与第五导电层间与第三半导体层的顶面接触。第六导电层与绝缘层的顶面接触。第一及第二半导体层包含不同材料。第二及第三半导体层包含相同材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119586349A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380051385.1
申请日：2023-07-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种兼具低功耗及高性能的半导体装置。该半导体装置包括第一及第二晶体管。第一晶体管包括第一导电层、第一导电层上的第一绝缘层、第一绝缘层上的第二导电层、第二导电层上的第二绝缘层、第二绝缘层上的第三绝缘层、第三绝缘层上的第三导电层以及第一半导体层。第二导电层在与第一导电层重叠的区域中具有到达第一绝缘层的第一开口。第一绝缘层至第三绝缘层及第三导电层在与第一开口重叠的区域中具有到达第一导电层的第二开口。第一半导体层与第一导电层的顶面、第一绝缘层的侧面、第二绝缘层的侧面、第三绝缘层的侧面以及第三导电层的顶面及侧面接触。第二晶体管包括第四导电层、第四导电层上的第一绝缘层至第三绝缘层及第三绝缘层上的第二半导体层。
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公开(公告)号：CN115857237A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211570911.9
申请日：2017-09-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1362 , H01L27/12 , H01L29/10 , G02F1/1368
Abstract: 提供一种新颖的显示装置。该显示装置包括像素部以及驱动该像素部的驱动电路。驱动电路包括双栅结构的第一晶体管。像素部包括单栅结构的第二晶体管及与第二晶体管电连接的像素电极。第一晶体管及第二晶体管的每一个包括被用作沟道的第一金属氧化物膜。各金属氧化物膜包括第一区域及第二区域。第一区域包含In或者Zn、以及氧。第二区域包含In或者元素M、以及氧。第一区域及第二区域以马赛克状分散或者分布。
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公开(公告)号：CN108738364B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201780012189.8
申请日：2017-02-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/14
Abstract: 包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及其可靠性得到提高。本发明提供一种包括氧化物半导体膜的半导体装置。该半导体装置包括：第一绝缘膜；第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的第二绝缘膜及第三绝缘膜；以及第二绝缘膜上的栅电极。第二绝缘膜包括氧氮化硅膜。当通过氧等离子体处理对第二绝缘膜添加过剩氧时，可以对氧化物半导体膜高效地供应氧。
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公开(公告)号：CN108538916A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810172995.8
申请日：2018-03-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L29/78696 , G02F1/1333 , G02F1/13338 , G02F1/1368 , G02F2001/13685 , G06F3/0412 , G06F3/044 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/0296 , H01L27/1225 , H01L27/1259 , H01L27/127 , H01L27/3262 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78 , H01L29/511
Abstract: 本公开涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明提供一种电特性良好的半导体装置、可靠性高的半导体装置、功耗低的半导体装置。本发明是一种半导体装置，包括：栅电极；栅电极上的第一绝缘层；第一绝缘层上的金属氧化物层；金属氧化物层上的一对电极；以及一对电极上的第二绝缘层，其中，第一绝缘层包括第一区域及第二区域，第一区域与金属氧化物层接触，且包括其氧含量比第二区域多的区域，第二区域包括其氮含量比第一区域多的区域，金属氧化物层在膜厚度方向上至少具有氧的浓度梯度，并且，氧浓度在第一区域一侧及第二绝缘层一侧较高。
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公开(公告)号：CN119563389A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202380034498.0
申请日：2023-04-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10D84/83 , H10D84/03 , H10D30/67 , H10D30/01 , G09F9/00 , G09F9/30 , H05B33/02 , H10K50/10 , H10K59/00
Abstract: 提供一种包括微型的晶体管的半导体装置(10)。该半导体装置包括第一晶体管(100)以及第二晶体管(200)。第一晶体管包括第一导电层(112a)、第一导电层上的第一绝缘层(110)、第一绝缘层上的第二绝缘层(120)、第二绝缘层上的第二导电层(112b)、第一半导体层(108)、第三绝缘层(106)以及第三导电层(104)。第一绝缘层、第二绝缘层及第二导电层包括到达第一导电层的开口(143)。第一半导体层与第二导电层的顶面及侧面、第一绝缘层的侧面、第二绝缘层以及第一导电层的顶面接触。第三绝缘层设置在第一半导体层上。第三导电层设置在第三绝缘层上。第二晶体管包括第二绝缘层上的第二半导体层(208)、第二半导体层上的第三绝缘层以及包括隔着第三绝缘层与第二半导体层重叠的区域的第四导电层(204)。
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