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公开(公告)号：CN101095246B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200580045808.0
申请日：2005-12-29
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L43/12 , H01L27/105 , G11B5/39 , H01L43/08 , H01L21/8246 , H01F41/18
CPC classification number: G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F41/307 , H01L43/12
Abstract: 一种磁性多层膜的制造方法，包括：在衬底上形成第1磁性层的第1磁性层形成工序；在所述第1磁性层上形成非磁性层的非磁性层形成工序；在所述非磁性层上形成第2磁性层的第2磁性层形成工序；其特征在于，该方法还包括等离子体处理工序，在所述非磁性层形成工序之前，将所述衬底放到等离子体处理装置中，使所述衬底与所述等离子体处理装置处于电绝缘状态，用感应耦合等离子体进行处理。
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公开(公告)号：CN110462769B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201980001803.X
申请日：2019-02-14
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01F41/18 , H01F41/22 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 本发明提供磁性膜的形成方法，其包括：将靶材进行溅射而在成膜对象上形成非晶态的磁性膜(S12)，该靶材以选自由Mn3Sn、Mn3Ge和(Mn1‑xFex)Ge组成的组中的任意一种作为主成分；以及对非晶态的磁性膜进行加热，使非晶态的磁性膜结晶化(S13)。结晶化包括将非晶态的磁性膜在225℃以上400℃以下的温度进行加热。
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公开(公告)号：CN106232854B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201580021615.5
申请日：2015-08-24
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 喷镀用水反应性Al复合材料，其是在Al中以Al重量基准计添加0.2wt％以上2wt％以下的Bi、1.5wt％以上8wt％以下的Si、0.2wt％以上4wt％以下的Ti、0.2wt％以上2wt％以下的Ce、以及0.2wt％以上2wt％以下的Mg而成的。由该Al复合材料得到Al合金喷镀膜，用该Al合金喷镀膜覆盖成膜室用构成部件。
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公开(公告)号：CN106232854A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201580021615.5
申请日：2015-08-24
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 喷镀用水反应性Al复合材料，其是在Al中以Al重量基准计添加0.2wt％以上2wt％以下的Bi、1.5wt％以上8wt％以下的Si、0.2wt％以上4wt％以下的Ti、0.2wt％以上2wt％以下的Ce、以及0.2wt％以上2wt％以下的Mg而成的。由该Al复合材料得到Al合金喷镀膜，用该Al合金喷镀膜覆盖成膜室用构成部件。
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公开(公告)号：CN103250263A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201180058075.X
申请日：2011-12-20
Applicant: 株式会社爱发科 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明提供了一种无需MgO成膜工序的垂直磁化型磁性元件的制造方法。本发明的磁阻元件(1)的制造方法包括在基体(10)上层压第一层(30)，该第一层(30)由包含Co、Ni和Fe中的至少一种的材料构成。接着，在第一层(30)上层压由Mg构成的第二层(40)。接着，对包括所述第一层(30)和所述第二层(40)的层压体实施氧化处理，使第二层(40)的Mg氧化为MgO。接着，对所述层压体实施加热处理，使第二层(40)结晶，并使第一层(30)垂直磁化。根据该制造方法，可在不产生由MgO成膜所引起的问题的情况下，制造出CoFeB-MgO系材料的垂直磁化型磁性元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102203856A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200980143329.0
申请日：2009-10-27
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: G11B5/84 , H01J37/317
CPC classification number: G11B5/85 , H01J37/244 , H01J37/3171 , H01J2237/24585 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明涉及离子注入装置。本发明的离子注入装置（10）具有配置在照射离子的照射范围（5）内的测定对象物（31）。在通过向处理对象物（40）照射处理气体离子和所述处理气体离子中性化的中性化粒子，由此，向所述处理对象物（40）注入原子时，向测定对象物（31）也照射所述处理气体离子和所述中性化粒子，所以，所述测定对象物（31）的温度上升。并且，控制装置（34）根据所计测的所述测定对象物（31）的温度求出所述处理对象物（40）的原子注入量。由此，能够提供正确测定原子注入量的离子注入装置。
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公开(公告)号：CN102160116A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200980136655.9
申请日：2009-09-17
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: G11B5/84
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 制造磁图案的对比度高的磁记录介质。通过改变用于加速处理气体的离子的加速电压，即便作为抗蚀剂(49)的薄膜部分的离子透过部(48)的膜厚减少，也能够将目标元素的注入量为最大的距磁性层(44)的深度(峰值深度D0、D1)设为设定的深度。通过将峰值深度(D0、D1)设为设定的深度，将磁性膜(44)的处理部(43)从表面非磁性化至背面，并分离磁性部，因而得到磁图案的对比度高的磁记录介质。
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公开(公告)号：CN102105933A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200980128574.4
申请日：2009-07-16
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: G11B5/855 , B82Y25/00 , H01F1/009 , H01F10/3295
Abstract: 通过简单的制造方法来实现高记录密度的磁记录介质。所述磁记录介质包括：基板，形成在所述基板上的多个磁性点，以及形成在磁性点之间的点间分隔带。各磁性点具有人工格子结构，在该人工格子结构中在所述基板上交替地层叠多种类型的原子层，并且信息被磁性地记录。各点间分隔带具有与所述磁性点的人工格子结构连续的人工格子结构，所述各点间分隔带通过将离子注入到所述人工格子结构中来形成，并且具有比所述磁性点的饱和磁化强度小的饱和磁化强度。
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公开(公告)号：CN101815806A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200880110410.4
申请日：2008-09-29
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/3407 , C23C14/352 , H01J37/34 , H01J37/347 , H01L43/12
Abstract: 一种改善膜厚均匀性的成膜装置和成膜方法。旋转机构(24，26，27，29，31，MT)将带溅射面的靶(32)保持在与基板(S)表面倾斜的状态。所述旋转机构可绕轴线旋转地支撑靶(32)，该轴线沿溅射面法线延伸。对由旋转机构支撑的所述靶(32)溅射以在基板(S)表面形成薄膜。在成膜时，旋转机构保持靶(32)的旋转角度。
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公开(公告)号：CN101098980A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200680001790.9
申请日：2006-01-17
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34 , C23C14/06 , H01F41/18 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/12
CPC classification number: H01J37/34 , B82Y25/00 , C23C14/34 , C23C14/505 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01F41/18 , H01J37/32761 , H01L27/228 , H01L43/12
Abstract: 一种溅射装置，围绕旋转轴线使圆盘状衬底旋转的同时，对该衬底的衬底表面进行成膜处理，其特征在于，该装置包括，腔室；台子，以所述旋转轴线为中心使该衬底旋转；溅射阴极，其具有与所述衬底对置的阴极表面；其中，当从所述旋转轴线到所述衬底的外周边缘部的距离为R，从所述旋转轴线到所述阴极表面的中心点的距离为OF，从所述衬底表面到所述阴极表面的中心点的高度为TS时，大概满足R∶OF∶TS＝100∶175∶190±20的关系，同时，所述旋转轴线与通过所述阴极表面的中心点的法线交叉，其交叉角度满足22°±2°的关系。
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