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公开(公告)号：CN102192928B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201110059769.7
申请日：2011-03-11
Applicant: 株式会社LG化学
CPC classification number: B24B49/10 , B24B7/24 , B24B13/015
Abstract: 公开了用于监测玻璃板抛光状态的装置和方法。该装置可包括：位置测量单元，其用于测量玻璃板上的正利用抛光机抛光的位置；电流测量单元，其用于测量流入该抛光机的电流；存储器单元，其用于存储对于玻璃板的每个抛光位置流入该抛光机的电流参考值；以及，控制单元，其用于通过将电流测量单元所测量的针对由所述位置测量单元所测量的每一抛光位置的流入抛光机的电流值、与存储在存储器单元中的每一抛光位置相应的流入抛光机的电流参考值进行比较，来确定抛光状态是否有故障。
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公开(公告)号：CN105264033B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201480031647.9
申请日：2014-12-29
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C09J7/20 , C09J133/04 , C09J163/00 , H01L21/301
CPC classification number: H01L21/6836 , C08L63/00 , C09D133/04 , C09J7/29 , C09J133/04 , C09J2203/326 , C09J2400/22 , C09J2433/006 , C09J2463/00 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/94 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/83885 , H01L2224/92 , H01L2224/94 , H01L2924/00012 , H01L2924/0665 , H01L2224/83862 , H01L2224/8388 , H01L2224/27 , H01L2221/68304 , H01L21/78
Abstract: 本发明涉及一种切割膜，其包括:基底膜；和粘合层，其中所述粘合层的储能模量在30℃下为3.0*105至4.0*106Pa，所述粘合层的交联度为80％至99％，还涉及一种包括所述切割膜的切割晶片粘合膜、及使用所述切割晶片粘合膜的半导体晶圆的切割方法。
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公开(公告)号：CN105324454A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201480021827.9
申请日：2014-12-12
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C09J11/00 , C09J133/04 , C09J7/00 , C09J7/02 , H01L21/301
CPC classification number: C09J11/08 , C09J5/00 , C09J7/20 , C09J133/00 , C09J2201/128 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , C09J2205/302 , C09J2205/31 , C09J2433/00 , C09J2463/00 , C09J2475/00 , C09J2483/00 , H01L21/26 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L2221/68336 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83203 , H01L2224/83204 , H01L2224/83862 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/3512 , H01L2924/0665 , H01L2224/27 , H01L2924/00012 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及一种用于形成切割膜的粘着层的组合物，其包含：含有一个以上反应性官能团的硅化合物油；粘着粘合剂；和光引发剂，其中含有一个以上反应性官能团的硅化合物油与粘着粘合剂的重量比为0.01％至4.5％；涉及一种包括含有所述组合物的粘着层的切割膜、和包括所述切割膜的切割晶片接合膜、及使用所述切割晶片接合膜的半导体晶圆的切割方法。
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公开(公告)号：CN102192928A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110059769.7
申请日：2011-03-11
Applicant: 株式会社LG化学
CPC classification number: B24B49/10 , B24B7/24 , B24B13/015
Abstract: 公开了用于监测玻璃板抛光状态的装置和方法。该装置可包括：位置测量单元，其用于测量玻璃板上的正利用抛光机抛光的位置；电流测量单元，其用于测量流入该抛光机的电流；存储器单元，其用于存储对于玻璃板的每个抛光位置流入该抛光机的电流的参照值；以及，控制单元，其用于通过将电流测量单元所测量的针对由所述位置测量单元所测量的每一抛光位置的电流值与存储在存储器单元中的每一抛光位置的电流参考值进行比较来确定抛光状态是否有故障。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109478535B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN201780044218.9
申请日：2017-11-15
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H01L23/00 , H01L23/522 , H01L23/31
Abstract: 提供了半导体用粘合膜和包括上述粘合膜的半导体器件，所述半导体用粘合膜包括：导电层，所述导电层包含选自铜、镍、钴、铁、不锈钢(SUS)和铝中的至少一种金属并且具有0.05μm或更大的厚度；以及粘合层，所述粘合层形成在所述导电层的至少一个表面上并且包含基于(甲基)丙烯酸酯的树脂、固化剂和环氧树脂。
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公开(公告)号：CN107534020A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680023097.5
申请日：2016-09-23
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H01L23/00 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L23/482 , H01L23/532 , C09J7/00
Abstract: 本发明涉及在110℃下的触变指数为1.5至7.5的粘合膜，其用于固定第一半导体器件和第二半导体器件，所述第一半导体器件的面积与所述第二半导体器件的面积之比为0.65或更小；使用所述粘合膜来制备半导体器件的方法；以及半导体器件。
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公开(公告)号：CN106414641A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201580005577.4
申请日：2015-12-23
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C09J133/14 , C09J163/00 , C09J163/04 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J11/08 , C09J7/02 , H01L23/29
CPC classification number: C09J133/14 , C08L2201/08 , C08L2205/02 , C08L2205/03 , C09J7/22 , C09J7/255 , C09J7/38 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J11/08 , C09J2201/122 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , C09J2205/11 , C09J2433/00 , C09J2463/00 , H01L23/295 , C08L63/00 , C08L63/04 , C08K7/18
Abstract: 本发明涉及一种用于接合半导体的粘合性树脂组合物，包括：具有低吸湿率的热塑性树脂、包含联苯类环氧树脂的环氧树脂、以及包含酚树脂的固化剂，其中在所述粘合性树脂组合物的固体含量中所述联苯类环氧树脂的含量为5重量％至25重量％；一种包括所述用于接合半导体的粘合性树脂组合物的固化产物的粘合膜；一种切割晶片接合膜，包含：基底膜、形成于所述基底膜上的压敏粘合层以及形成于所述压敏粘合层上且包含所述用于接合半导体的粘合性树脂组合物的粘合层；以及一种包括所述粘合膜的半导体装置。
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公开(公告)号：CN108012564B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201780002987.2
申请日：2017-03-28
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H01L23/14 , C09J11/04 , C09J133/10 , C09J133/08 , C09J163/00 , C09J7/20 , H01L23/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件，其包括：形成在被粘物上的第一半导体元件；以及用于包埋第一半导体元件的粘合剂膜，其中粘合剂膜在高温下满足熔体粘度与重量损失率之间的预定比。
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