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公开(公告)号：CN103797580B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201280044692.9
申请日：2012-07-30
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
IPC分类号： H01L27/15
CPC分类号： H01L33/48 , F21V5/007 , H01L25/0753 , H01L33/58 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2933/0058 , H01L2924/00
摘要： 提出一种用于制造多个光电子器件（1）的方法，所述方法具有下述步骤：a）提供连接载体复合件（20）；b）将多个半导体芯片（3，31）设置在所述连接载体复合件（20）上；c）将具有多个开口41）的框架复合件（40）相对于连接载体复合件20）定位，使得将半导体芯片（3，31）分别设置在开口（41）中的一个中；d）将多个光学元件（5）相对于框架复合件（40）定位，使得光学元件遮盖开口；和e）将连接载体复合件连同框架复合件和光学元件分割成多个光电子器件，使得每个光电子器件具有带有至少一个光电子半导体芯片的连接载体（2）、带有至少一个开口的框架（4）和至少一个光学元件。此外提出一种光电子器件。
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公开(公告)号：CN114243448A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111420786.9
申请日：2018-06-08
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
摘要： 提出一种半导体激光二极管(100)，具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层具有主延伸平面并且配置为，在运行中在有源区(5)中产生光(8)并且经由光耦合输出面(6)将其放射，其中有源区(5)从与光耦合输出面(6)相对置的后侧面(7)朝向光耦合输出面(6)沿着纵向方向(93)在主延伸平面中延伸，其中半导体层序列(2)具有表面区域(20)，在所述表面区域上直接接触地施加有第一外壳层(4)，其中所述第一外壳层(4)具有出自与半导体层序列(2)不同的材料体系的透明材料，并且其中第一外壳层(4)是结构化的并且具有第一结构。
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公开(公告)号：CN113851932A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111027537.3
申请日：2017-12-21
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
摘要： 提出一种半导体激光二极管(100)，所述半导体激光二极管具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层具有主延伸平面并且设计用于，在运行时在有源区域(5)中产生光(8)并且经由光耦合输出面(6)放射，其中有源区域(5)从与光耦合输出面(6)相对置的后侧面(7)沿着纵向方向(93)在主延伸平面中朝向光耦合输出面(6)延伸，其中半导体层序列(2)具有表面区域(20)，在所述表面区域上以直接接触的方式施加有连通的接触结构(4)，其中接触结构(4)在至少一个第一接触区域(241)中具有与表面区域(20)直接接触的第一电接触材料(41)并且在至少一个第二接触区域(242)中具有与表面区域(20)直接接触的第二电接触材料(42)，并且其中第一接触区域和第二接触区域(241，242)彼此邻接。
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公开(公告)号：CN104685734A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201380051032.8
申请日：2013-07-29
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
CPC分类号： H01S5/1082 , H01S5/028 , H01S5/0283 , H01S5/0286 , H01S5/0287 , H01S5/32341 , H01S5/343 , H01S2301/02 , H01S2301/18
摘要： 本发明提出一种用于制造半导体激光二极管的方法，所述方法具有下述步骤：-在生长衬底(1)上外延地生长具有至少一个有源层(3)的半导体层序列(2)；-在半导体层序列(2)和生长衬底(1)上构成正面小面(5)，其中所述正面小面构建为具有用于在制成的半导体激光二极管中产生的激光(30)的光放射区域(6)的主放射面；-在正面小面(5)的第二部分(52)上构成耦合输出覆层(9)，其中第一部分(51)和第二部分(52)在平行于所述正面小面(5)的方向上并且沿着半导体层序列(2)的生长方向至少部分地彼此并排地设置，使得所述第一部分(51)至少部分地没有耦合输出覆层(9)并且第二部分(52)至少部分地没有光阻挡层(8)，并且其中第二部分(52)具有光出射区域(6)；-在正面小面(5)的第一部分(51)上构成光阻挡层(8)。此外提出一种半导体激光二极管。
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公开(公告)号：CN113851932B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202111027537.3
申请日：2017-12-21
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
摘要： 提出一种半导体激光二极管(100)，所述半导体激光二极管具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层具有主延伸平面并且设计用于，在运行时在有源区域(5)中产生光(8)并且经由光耦合输出面(6)放射，其中有源区域(5)从与光耦合输出面(6)相对置的后侧面(7)沿着纵向方向(93)在主延伸平面中朝向光耦合输出面(6)延伸，其中半导体层序列(2)具有表面区域(20)，在所述表面区域上以直接接触的方式施加有连通的接触结构(4)，其中接触结构(4)在至少一个第一接触区域(241)中具有与表面区域(20)直接接触的第一电接触材料(41)并且在至少一个第二接触区域(242)中具有与表面区域(20)直接接触的第二电接触材料(42)，并且其中第一接触区域和第二接触区域(241，242)彼此邻接。
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公开(公告)号：CN114243448B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202111420786.9
申请日：2018-06-08
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
摘要： 提出一种半导体激光二极管(100)，具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层具有主延伸平面并且配置为，在运行中在有源区(5)中产生光(8)并且经由光耦合输出面(6)将其放射，其中有源区(5)从与光耦合输出面(6)相对置的后侧面(7)朝向光耦合输出面(6)沿着纵向方向(93)在主延伸平面中延伸，其中半导体层序列(2)具有表面区域(20)，在所述表面区域上直接接触地施加有第一外壳层(4)，其中所述第一外壳层(4)具有出自与半导体层序列(2)不同的材料体系的透明材料，并且其中第一外壳层(4)是结构化的并且具有第一结构。
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公开(公告)号：CN109478766B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201780043871.3
申请日：2017-07-12
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
摘要： 提出一种具有半导体层序列(2)的半导体激光二极管，所述半导体层序列(2)具有有源层(3)，所述有源层具有主延伸平面并且所述有源层设计用于：在运行中在有源区域(5)中产生光(8)并且经由光耦合输出面(6)放射，其中有源区域(5)沿着纵向方向(93)在主延伸平面中从与光耦合输出面(6)相对置的后侧面(7)延伸至光耦合输出面(6)，并且其中所述半导体层序列(2)具有沟槽结构(10)，所述沟槽结构至少在一侧上在横向地在所述有源区域(5)旁边具有至少一个沟槽(11，12)或者多个沟槽(11，12)，其中沟槽结构(10)的每个沟槽(11，12)沿纵向方向(93)延伸，并且从半导体层序列(2)的上侧(20)起沿竖直方向(92)伸入到半导体层序列(2)中，并且其中所述沟槽结构(10)沿横向方向和/或沿竖直方向和/或沿纵向方向(91，92，93)关于至少一个沟槽(11，12)或多个沟槽(11，12)的特性变化。
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公开(公告)号：CN108884973A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780017646.2
申请日：2017-03-13
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
摘要： 在一个实施方式中，半导体光源(1)包括用于产生初级辐射(P)的半导体激光器(2)以及用于从初级辐射(P)中产生更长波长的可见的次级辐射(S)的转换元件(3)。转换元件(3)为了产生次级辐射(S)具有半导体层序列(30)，所述半导体层序列具有多个量子阱层(31)。量子阱层(31)优选三维成形，使得量子阱层(31)在横截面中观察具有折弯并且至少局部地倾斜于半导体层序列(30)的生长方向(G)取向。
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公开(公告)号：CN113991426A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111134840.3
申请日：2017-05-15
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
IPC分类号： H01S5/22 , H01S5/30 , H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/3105 , H01L21/324 , H01L21/66 , H01L21/762 , H01L27/12 , H01L33/00 , H01L33/02 , H01L33/08 , H01L33/12 , H01S5/20 , H01S5/223
摘要： 提出一种用于制造半导体芯片(100)的方法，其中在用于生长第一半导体层(1)的生长工艺期间，沿着生长的第一半导体层(1)的至少一个延伸方向产生不均匀的横向温度分布，使得建立第一半导体层(1)的材料组成的横向变化。此外，提出一种半导体芯片(100)。
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公开(公告)号：CN107425413B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201710339975.0
申请日：2017-05-15
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
摘要： 提出一种发光半导体芯片(100)，其具有第一半导体层(1)，所述第一半导体层至少是设为用于产生光的有源层的一部分并且沿着至少一个延伸方向具有材料组成的横向变化。此外，提出一种用于制造半导体芯片(100)的方法。
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