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公开(公告)号：CN107148597B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201580056531.5
申请日：2015-08-19
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： K·布哈塔查里亚 , H·W·M·范布尔 , C·D·富凯 , H·J·H·斯米尔德 , M·范德沙 , A·J·登博夫 , R·J·F·范哈伦 , 柳星兰 , J·M·M·贝尔特曼 , A·富克斯 , O·A·O·亚达姆 , M·库比斯 , M·J·J·加克
IPC: G03F7/20
Abstract: 衍射测量目标，其具有至少第一子目标和至少第二子目标，以及其中(1)第一和第二子目标每个包括一对周期性结构并且第一子目标具有与第二子目标不同的设计，不同的设计包括第一子目标周期性结构具有与第二子目标周期性结构不同的节距、特征宽度、间隔宽度和/或分割，或者(2)第一和第二子目标分别包括第一层中的第一和第二周期性结构，以及第三周期性结构在第一层下方的第二层中至少部分地位于第一周期性结构下方并且在第二层中没有周期性结构在第二周期性结构下方，以及第四周期性结构在第二层下方的第三层中至少部分地位于第二周期性结构下方。设计该测量目标的方法包括在子目标的外围处定位辅助特征，辅助特征配置为减小子目标外围处的测得强度峰值。
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公开(公告)号：CN108931891A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810681219.0
申请日：2014-11-20
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： Y·J·L·M·范多梅伦 , P·D·恩格布罗姆 , L·G·M·克塞尔斯 , A·J·登博夫 , K·布哈塔查里亚 , P·C·欣南 , M·J·A·皮特斯
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开的实施例涉及检查方法、光刻设备、掩模以及衬底。一种用于获得与光刻过程有关的焦距信息的方法和设备。该方法包括：照射目标，该目标具有交替的第一和第二结构，其中第二结构的形式是依赖于焦距的，而第一结构的形式不具有与第二结构的形式相同的焦距依赖性；以及检测由目标重定向的辐射，以对于该目标获得表示目标的整体非对称性的非对称性测量，其中非对称性测量指示形成目标的束的焦距。一种用于形成这种目标的相关联的掩模和一种具有这种目标的衬底。
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公开(公告)号：CN107148597A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201580056531.5
申请日：2015-08-19
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： K·布哈塔查里亚 , H·W·M·范布尔 , C·D·富凯 , H·J·H·斯米尔德 , M·范德沙 , A·J·登博夫 , R·J·F·范哈伦 , 柳星兰 , J·M·M·贝尔特曼 , A·富克斯 , O·A·O·亚达姆 , M·库比斯 , M·J·J·加克
IPC: G03F7/20
Abstract: 衍射测量目标，其具有至少第一子目标和至少第二子目标，以及其中(1)第一和第二子目标每个包括一对周期性结构并且第一子目标具有与第二子目标不同的设计，不同的设计包括第一子目标周期性结构具有与第二子目标周期性结构不同的节距、特征宽度、间隔宽度和/或分割，或者(2)第一和第二子目标分别包括第一层中的第一和第二周期性结构，以及第三周期性结构在第一层下方的第二层中至少部分地位于第一周期性结构下方并且在第二层中没有周期性结构在第二周期性结构下方，以及第四周期性结构在第二层下方的第三层中至少部分地位于第二周期性结构下方。设计该测量目标的方法包括在子目标的外围处定位辅助特征，辅助特征配置为减小子目标外围处的测得强度峰值。
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公开(公告)号：CN113050388B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202110313757.6
申请日：2016-03-24
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： L·M·威廉斯 , K·布哈塔查里亚 , P·P·宾特维诺斯 , G·陈 , M·艾伯特 , P·J·M·H·克奈里森 , S·摩根 , M·范德沙 , L·H·M·维斯塔彭 , J-S·王 , P·H·瓦德尼尔
Abstract: 本公开的实施例涉及用于检测及量测的方法与装置。一种方法，包括：执行仿真以对多个量测目标和/或用来测量量测目标的多个量测选配方案进行评价；从经评价的多个量测目标和/或量测选配方案中标识一个或多个量测目标和/或量测选配方案；接收一个或多个标识的量测目标和/或量测选配方案的测量数据；以及使用测量数据来调整量测目标参数或量测选配方案参数。
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公开(公告)号：CN114270269A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202080058446.3
申请日：2020-07-14
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： N·潘迪 , S·G·J·马斯杰森 , K·布哈塔查里亚 , A·J·登博夫
Abstract: 公开了一种用于量测工具的照射和检测设备以及相关方法。该设备包括照射装置，该照射装置能够被操作以产生测量照射，该测量照射包括多个离散波长带并且在每个波长带内包括具有至多单个峰的光谱。该检测装置包括检测分束器以将散射辐射分成多个通道，每个通道与所述波长带中的不同的波长带相对应；以及至少一个检测器，用于分开地检测每个通道。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113050388A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110313757.6
申请日：2016-03-24
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： L·M·威廉斯 , K·布哈塔查里亚 , P·P·宾特维诺斯 , G·陈 , M·艾伯特 , P·J·M·H·克奈里森 , S·摩根 , M·范德沙 , L·H·M·维斯塔彭 , J-S·王 , P·H·瓦德尼尔
Abstract: 本公开的实施例涉及用于检测及量测的方法与装置。一种方法，包括：执行仿真以对多个量测目标和/或用来测量量测目标的多个量测选配方案进行评价；从经评价的多个量测目标和/或量测选配方案中标识一个或多个量测目标和/或量测选配方案；接收一个或多个标识的量测目标和/或量测选配方案的测量数据；以及使用测量数据来调整量测目标参数或量测选配方案参数。
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公开(公告)号：CN113039487A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201980075526.7
申请日：2019-10-15
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： E·P·施密特-韦弗 , K·布哈塔查里亚 , M·科思
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种确定光刻装置的参数的方法，其中该方法包括提供第一基底的第一高度变化数据(602)，提供第一基底的第一性能数据(604)，以及基于第一高度变化数据和第一性能数据确定模型(606)。该方法还包括获取(608)第二基底的第二高度变化数据，将第二高度变化数据输入(609)到模型(610)，以及通过运行模型确定(612)第二基底的第二性能数据。基于第二性能数据，该方法确定(614)装置的参数。
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公开(公告)号：CN109791367B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201780059171.3
申请日：2017-08-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 一种方法，包括：针对堆叠灵敏度和套刻灵敏度，评估用于对使用图案化工艺处理的量测目标进行测量的多个衬底测量选配方案，以及从多个衬底测量选配方案中选择堆叠灵敏度的值满足或越过阈值并且套刻灵敏度的值在距离套刻灵敏度的最大值或最小值的特定有限范围内的一个或多个衬底测量选配方案。
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公开(公告)号：CN108700833A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780014743.6
申请日：2017-02-21
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： K·布哈塔查里亚
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70633 , G01N21/47 , G03F7/70616 , G03F7/70625 , G03F7/70641 , G03F7/70683
Abstract: 公开了一种测量目标的方法、相关联的光刻方法和光刻单元。该方法包括：在衬底上在一个或多个先前层之上的当前层中通过光刻工艺对结构的曝光之后，测量所述目标，其中所述一个或多个先前层均已经经历蚀刻步骤，所述目标仅被包括在所述一个或多个先前层中的至少一个中。以这种方式，获得了目标的蚀刻后测量。
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公开(公告)号：CN105980932A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201480075272.6
申请日：2014-11-20
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： Y·J·L·M·范多梅伦 , P·D·恩格布罗姆 , L·G·M·克塞尔斯 , A·J·登博夫 , K·布哈塔查里亚 , P·C·欣南 , M·J·A·皮特斯
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70641 , G03F7/70683
Abstract: 一种用于获得与光刻过程有关的焦距信息的方法和设备。该方法包括：照射目标，该目标具有交替的第一和第二结构，其中第二结构的形式是依赖于焦距的，而第一结构的形式不具有与第二结构的形式相同的焦距依赖性；以及检测由目标重定向的辐射，以对于该目标获得表示目标的整体非对称性的非对称性测量，其中非对称性测量指示形成目标的束的焦距。一种用于形成这种目标的相关联的掩模和一种具有这种目标的衬底。
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