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公开(公告)号：CN105489577B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201510992055.X
申请日：2015-12-28
申请人： 江阴长电先进封装有限公司
IPC分类号： H01L23/482 , H01L23/488 , H01L23/29 , H01L23/31
CPC分类号： H01L2224/14 , H01L2224/16225 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
摘要： 本发明公开了一种侧边润湿的圆片级芯片封装结构，属于半导体封装技术领域。其包括硅基衬底和带有若干个芯片电极的芯片，所述硅基衬底的背面设有若干个硅基电极，所述芯片设置在硅基衬底的正面，其芯片电极的信号向下转移至所述硅基衬底的背面的硅基电极，所述硅基电极的向外的侧壁设置若干个金属凸起，所述金属凸起沿硅基衬底的背面向外延伸至硅基衬底的边缘，所述硅基电极与其同侧的金属凸起为一体成形结构，在硅基衬底的侧壁设置开放的槽/孔，所述槽/孔位于金属凸起的正上方，所述槽/孔口径大于金属凸起的宽度尺寸并露出金属凸起的部分或全部，所述槽/孔内填充绝缘物。本发明的封装结构可以提高贴片元件与基板的连接可靠性。
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公开(公告)号：CN104600185B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201410845485.4
申请日：2014-12-31
申请人： 江阴长电先进封装有限公司
摘要： 本发明公开了一种LED封装结构及其晶圆级封装方法，属于半导体封装技术领域。其LED芯片（1）的出光面（11）设置正负电极，该LED芯片（1）倒装于基座（2），其出光面（11）面向基座（2），所述基座（2）的中央开设一中空的型腔（20），该型腔（20）的内侧设置厚度比基座（2）薄的凸块，该凸块分别与LED芯片（1）的正负电极连接，所述基座（2）由彼此绝缘的若干个子基座构成，各子基座与各凸块一一对应，且分别为一体结构，所述基座（2）的上表面设置带有弧形凹腔（631）的透光元件（6），该基座（2）的下表面设置若干个输入/输出端（25）。上述LED封装结构采用晶圆级封装工艺完成，简化并减薄了LED封装结构，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN103779257B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201410057833.1
申请日：2014-02-20
申请人： 江阴长电先进封装有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种防止晶圆放置时发生漂移的热板，属于半导体设备工装技术领域。其热板本体（10）设有贯通孔（11）；还包括设置于热板本体（10）上的若干个防漂移部件（20），所述防漂移部件（20）包括金属柱（21）和硬质金属丝（22），所述硬质金属丝（22）的直径小于金属柱（21）的直径，并垂直固定于金属柱（21）的顶部，所述防漂移部件（20）设置在热板本体（10）的圆周上，所述防漂移部件（20）在贯通孔（11）内能够相对于热板本体（10）上下调整高度，至所述硬质金属丝22）的顶部露出热板本体（10）的正面，且所有所述硬质金属丝（22）的端点等高。本发明安全性能好、更换便捷、可以长期反复使用。
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公开(公告)号：CN106373938A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201611015529.6
申请日：2016-11-18
申请人： 江阴长电先进封装有限公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/14 , H01L21/48 , H01L21/60 , H01L25/18
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2224/73204 , H01L2924/15311 , H01L23/49816 , H01L21/486 , H01L23/145 , H01L23/49827 , H01L23/4985 , H01L24/81 , H01L25/18 , H01L2224/81
摘要： 本发明涉及一种混合密度封装基板的结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。其包括普通基板（20）、超高密度基板（10）、高密度芯片（51）、低密度芯片（53）和包封层Ⅰ（310），超高密度基板（10）嵌于包封层Ⅰ（310）内，超高密度基板（10）与高密度芯片（51）倒装连接、其下表面通过盲孔Ⅰ（130）与普通基板（20）连接，在超高密度基板（10）的垂直区域外形成若干个基板外层金属电极（110），基板外层金属电极（110）通过盲孔Ⅱ（150）与普通基板（20）连接、其上表面与低密度芯片（53）倒装连接，焊盘Ⅱ（250）设置焊料凸块。该封装结构采用圆片级封装方法实现，实现了超高密度基板和普通基板的集成，提升了封装可靠性，有利于产品良率的提升。
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公开(公告)号：CN104112811B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410361999.2
申请日：2014-07-28
申请人： 江阴长电先进封装有限公司
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014
摘要： 本发明公开了一种LED的封装方法，属于半导体封装技术领域。本发明多次以铁箔（8）作为导电层进行高精度的电镀工艺，并结合光刻工艺实现再布线金属层和金属块，其次以包封树脂包封再布线金属层和金属块形成金属引线框本体（1），再在金属引线框本体（1）上正装固定LED芯片（2），然后完成整个封装结构。本发明采用高精度的电镀工艺实现金属引线框本体，克服了湿法腐蚀工艺存在的框架的翘曲缺陷，有效地解决了芯片贴装与打线工艺的协调问题，提高了产品的良率和一致性。
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公开(公告)号：CN103337586B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310212099.7
申请日：2013-05-31
申请人： 江阴长电先进封装有限公司
CPC分类号： H01L2224/16245 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
摘要： 本发明涉及一种无硅基的圆片级LED封装方法，属于半导体封装技术领域。其工艺过程如下：提供带有导电电极（200）的硅本体（100）；提供若干个带有正负电极（310）的LED芯片（300）；将LED芯片（300）倒装于导电电极（200）上，硅本体（100）之上形成光致发光层（400），光致发光层（400）覆盖LED芯片（300）的出光面；去除硅本体（100）露出导电电极（200）；在导电电极（200）的表面镀金属焊接层（500），金属焊接层（500）直接与导电电极（200）相连，在金属焊接层（500）的表面涂覆线路表面保护层（600）；通过晶圆切割分离的方法形成单颗无硅基的圆片级LED封装结构。本发明提供了一种封装工艺简单、散热性能好、提升出光效率、封装费用低的无硅基的圆片级LED封装方法。
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公开(公告)号：CN105304586A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510807435.1
申请日：2015-11-20
申请人： 江阴长电先进封装有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/535 , H01L23/12 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/96 , H01L21/568 , H01L24/97 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16225 , H01L2224/19 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/15311 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 本发明公开了一种带有加强结构的芯片嵌入式封装结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。其包括芯片单体和薄膜包封体，一个或一个以上所述芯片单体由背面嵌入薄膜包封体内，在所述芯片单体的上表面和薄膜包封体的上表面覆盖绝缘薄膜层，并于所述芯片电极的上表面开设绝缘薄膜层Ⅰ开口，在绝缘薄膜层的上表面形成再布线金属层，所述再布线金属层分别与芯片电极实现电性连接，在再布线金属层的最外层设有输入/输出端，在所述输入/输出端处形成连接件，所述薄膜包封体的背面设置硅基加强板。本发明的封装方法通过圆片级工艺成形，实现了减薄产品厚度、提高了产品可靠性并实现了多芯片封装结构。
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公开(公告)号：CN103489852B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201310457292.7
申请日：2013-09-30
申请人： 江阴长电先进封装有限公司
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明一种射频电感的封装结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。其工艺过程：提供一金属载具（T100）；在金属载具（T100）上设置光刻胶层Ⅰ（T210），在光刻胶层Ⅰ开口图形（T211）内采用电镀工艺形成金属线（100）；采用同样工艺，在电感线圈（110）的内外端口分别设置金属柱（200）；去除光刻胶塑封金属线（100）和金属柱（200）；去除金属载具（T100），将金属线（100）和金属柱（200）的裸露面分别镀金属线圈保护层（310）和金属柱保护层（320）；在金属柱保护层（320）上设置焊球（500），实现电感与载板之间的连接。本发明的射频电感无硅或无陶瓷作为基体，可以降低工艺难度和生产成本，提高Q值，减小电感尺寸，以有利于便携式设备的市场推广。
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公开(公告)号：CN103354266B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201310288543.3
申请日：2013-07-11
申请人： 江阴长电先进封装有限公司
摘要： 本发明涉及一种薄型圆片级LED的封装结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。其包括设有电极（110）的LED芯片（100）和封装盖（200），封装盖（200）设有内凹的型腔（210），LED芯片（100）倒装于金属反射层（400）的表面，并扣置于封装盖（200）的型腔（210）内，金属反射层（400）的横截面尺寸大于型腔（210）的横截面尺寸且小于封装盖（200）的横截面尺寸，并于金属反射层（400）形成旋转90度的“日”字形凹槽（600），隔断的所述金属反射层（400）分别与电极（110）的正极和负极连接，金属层（500）的表面与凹槽（600）内涂覆保护层（700），并形成保护层开口（710）。本发明的圆片级LED的封装结构尺寸更小、更薄、散热性能更好、封装成本更低。
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公开(公告)号：CN104615982A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510042808.0
申请日：2015-01-28
申请人： 江阴长电先进封装有限公司
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/10155 , G06K9/0002 , H01L21/56 , H01L23/3192 , H01L2924/00014
摘要： 本发明涉及一种指纹识别传感器的封装结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。其包括：硅基本体的顶部的边缘位置设置沟槽；传感器芯片设置于硅基本体的顶部，其包括感应元件和设置于感应元件四周的芯片电极，绝缘层Ⅰ覆盖硅基本体的表面和沟槽的裸露面，绝缘层Ⅱ覆盖绝缘层Ⅰ，且从上至下仅覆盖至上拐角Ⅰ区域；再布线金属层将电极信号降至沟槽的底部；金属引线连接再布线金属层与基板，介电层填充绝缘层开口Ⅰ，塑封层塑封基板上的硅基本体的所有裸露的面空间，且于塑封层的表面设置金属膜层。本发明的封装结构能提高产品绝缘性能、提升产品可靠性，本发明的封装方法采用晶圆级工艺，封装流程简单，提高了生产效率，符合封装产业发展的趋势。
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