公开(公告)号：CN101913554B

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN200911000142.3

申请日：2009-11-19

Applicant: 希捷科技有限公司

Inventor： 肖帅刚 ,  X·杨

IPC: G11B5/84

CPC classification number: G11B5/84 ,  B05D1/322 ,  B05D3/00 ,  B05D3/06 ,  B05D5/00 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y10/00 ,  G03F7/0002 ,  G11B5/59633 ,  G11B5/743 ,  G11B5/746 ,  G11B5/82 ,  G11B5/855 ,  Y10T428/24802

Abstract: 一种方法包括：提供具有多个化学反差对准部件的衬底，以及在该衬底的至少一部分上沉积自组装材料，其中该自组装材料的大致球状或圆柱状域的位置和/或取向由该对准部件指引，以形成纳米结构图案，而且其中该对准部件的周期在该球状或圆柱状域的周期的约2倍至约10倍之间。还提供了根据该方法制造的装置。

公开(公告)号：CN101795962B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN200880103589.0

申请日：2008-05-28

Applicant: S·V·哈特夫 ,  V·K·涅沃林

Inventor： S·V·哈特夫 ,  V·K·涅沃林 ,  M·M·西穆宁

IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: B81B7/04 ,  B81B2201/0214 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y30/00 ,  G01N29/036 ,  G01N2291/0256

Abstract: 本发明涉及一种微机电和纳米机电设备及其生产方法。所述创造性方法的其中一个改变是基于对自组织和自校准机械设备的运用来生产纳米机电结构，由此与传统照相平板印刷术相比，使其基本几何参数不再受到限制，这使得集成度能够达到1016m-2或更高。此外，本发明的一个创造性方面以其独立选取坐标的形式运用所述元件的工行怎频率，由此降低了要求互连的密度。本发明的其他方面提供了一种对给定气体或颗粒表现出极高测量灵敏度的气体传感器，其具有多用途且选择灵活的机械设备和可控制的感应能力恢复过程。本创造性结构为测量振荡元件的共振频率提供了一种简便的方法，所述方法不要求高频信号分析。

公开(公告)号：CN102804336A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201080027868.0

申请日：2010-06-02

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 斯科特·西里斯 ,  丹·米尔沃德

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L21/3083 ,  B05D1/185 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  C08J5/00 ,  C08J2353/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0337

Abstract: 一些实施例包含利用共聚物形成图案的方法。可跨越衬底形成共聚物主体，且可诱导所述共聚物的自组装以跨越所述衬底形成结构图案。可在所述自组装的所述诱导期间在整个所述共聚物的所述主体上维持均匀厚度。在一些实施例中，可通过利用环绕所述共聚物主体的壁来阻止所述共聚物从所述主体的散布来维持所述均匀厚度。在一些实施例中，可通过利用与所述共聚物主体流体连通的一定体积的共聚物来维持所述均匀厚度。

公开(公告)号：CN102656111A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201080057273.X

申请日：2010-11-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·程 ,  W·辛斯伯格 ,  G·M·沃尔拉夫 ,  H·特隆 ,  L·K·森德伯格 ,  伊藤洋 ,  D·P·桑德斯 ,  H-C·金 ,  Y-H·纳

IPC: B81C1/00 ,  G03F7/32 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/09 ,  G03F7/091 ,  G03F7/165 ,  G03F7/325 ,  G03F7/327 ,  G03F7/40

Abstract: 一种用于形成包括自组装材料的畴图案的分层结构的方法，包括：在衬底上布置包括非交联光刻胶的光刻胶层；可选地烘焙光刻胶层；将光刻胶层图案式曝光于第一辐射；可选地烘焙已曝光光刻胶层；以及采用非碱性显影剂来显影已曝光光刻胶层以形成包括未交联已显影光刻胶的负性图案化光刻胶层；其中，已显影光刻胶不可溶于适用于浇铸能够自组装的给定材料的给定有机溶剂，并且已显影光刻胶可溶于含水碱性显影剂和/或第二有机溶剂。在图案化光刻胶层上浇铸包括溶解在给定有机溶剂中的能够自组装的给定材料的溶液，并且去除给定有机溶剂。当可选地加热和/或退火已浇铸的给定材料时，允许已浇铸的给定材料自组装，由此形成包括自组装给定材料的畴图案的分层结构。

公开(公告)号：CN101578232B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200880001744.8

申请日：2008-01-25

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 丹·B·米尔沃德

IPC: B81C1/00 ,  G03F7/00 ,  H01L21/033

CPC classification number: C23F1/02 ,  B05D3/00 ,  B05D5/00 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/3086 ,  Y10S438/947

Abstract: 嵌段共聚物可自组装并用于(例如)本文所述的亚光刻图案化方法中。所述嵌段共聚物可为二嵌段共聚物、三嵌段共聚物、多嵌段共聚物、或其组合。所述方法可用于制造包括(例如)亚光刻导线等装置。

公开(公告)号：CN101849282B

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN200880111653.X

申请日：2008-09-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 卡尔·J·拉登斯 ,  布鲁斯·多丽丝 ,  杰伊·W·斯特兰 ,  安东尼·斯坦珀

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/308 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/28518 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00095 ,  B81C2201/0149 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66636 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 自组聚合物技术被用以在存在于半导体结构的导电接触区域的材料中形成至少一有序的纳米尺寸图案。具有有序的，纳米尺寸图案的材料为互连结构的导电材料，或场效晶体管的半导体源极和漏极扩散区。接触区域中有序的纳米尺寸图案材料的存在增加了后续形成接触的总体面积(即界面面积)，继而减少该结构的接触电阻。接触电阻的减少继而改善了通过结构的电流。除上述外，由于结面积保持不变，因此本发明方法和结构不影响该结构的结电容。

公开(公告)号：CN101977839A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200980109327.X

申请日：2009-03-03

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 珍妮弗·卡尔·雷格纳

IPC: B81C1/00 ,  C08L53/00

CPC classification number: B81C1/00031 ,  B05D1/34 ,  B05D3/0254 ,  B05D5/00 ,  B05D5/12 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y30/00 ,  C08L53/00 ,  C08L53/005 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31144 ,  Y10T428/24182 ,  C08L2666/02

Abstract: 本发明提供利用自组装嵌段共聚物在具有经改良长程有序的聚合物基质中制造纳米级交替薄片或圆柱体的阵列的方法、和自所述方法所形成的膜和装置。

公开(公告)号：CN101894794A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN201010185195.3

申请日：2010-05-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 郑雅如 ,  黎家辉 ,  李伟健 ,  罗英惠 ,  C·雷特纳 ,  D·P·桑德斯 ,  杨达

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/76816 ,  B81B2203/0353 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  Y10S438/947

Abstract: 本文使用聚合物定向自组装形成子平版印刷特征的方法，描述了包括嵌段共聚物自组装的方法，其中从具有目标CD(临界尺寸)的开孔(在一个或多个基板中)开始，在规则阵列或随机排列中形成孔。显著地，所形成孔的平均直径中的百分偏差小于初始开孔的平均直径中的百分偏差。可将形成的孔(或通孔)传递到下面的基板中，且随后向这些孔中回填材料，如金属导体。甚至是在低于22nm技术关键点下，本发明的优选方面能够产生具有较密节距和较好CD均匀性的通孔。

公开(公告)号：CN101795962A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200880103589.0

申请日：2008-05-28

Applicant: S·V·哈特夫 ,  V·K·涅沃林

Inventor： S·V·哈特夫 ,  V·K·涅沃林 ,  M·M·西穆宁

IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: B81B7/04 ,  B81B2201/0214 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y30/00 ,  G01N29/036 ,  G01N2291/0256

Abstract: 本发明涉及一种微机电和纳米机电设备及其生产方法。所述创造性方法的其中一个改变是基于对自组织和自校准机械设备的运用来生产纳米机电结构，由此与传统照相平板印刷术相比，使其基本几何参数不再受到限制，这使得集成度能够达到1016m-2或更高。此外，本发明的一个创造性方面以其独立选取坐标的形式运用所述元件的工行怎频率，由此降低了要求互连的密度。本发明的其他方面提供了一种对给定气体或颗粒表现出极高测量灵敏度的气体传感器，其具有多用途且选择灵活的机械设备和可控制的感应能力恢复过程。本创造性结构为测量振荡元件的共振频率提供了一种简便的方法，所述方法不要求高频信号分析。

公开(公告)号：CN101652382A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200780050882.0

申请日：2007-12-04

Applicant: 特拉维夫大学拉莫特有限公司

Inventor： E·加兹特 ,  M·雷彻斯

IPC: C07K5/06 ,  B82B1/00

CPC classification number: B01J19/0046 ,  B01J2219/00596 ,  B01J2219/00709 ,  B01J2219/00725 ,  B81B2203/0361 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y5/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C07K5/06078 ,  C07K17/14 ,  Y10S977/793 ,  Y10S977/896

Abstract: 本发明公开一种纳米结构阵列。所述纳米结构阵列包括一般垂直于平面安排的许多伸长的有机纳米结构。